SU1450082A1 - Генератор импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора импульсов со стабильной частотой следовани  импульсов. Цель изобретени  - повышение стабильности частоты следовани  liMnynbcoB. Генератор представл ет собой мостовую схему с врем задаю- щими конденсаторами 1, 2 в двух противоположных плечах и с врем задаю- щими резисторами 3, 5 в двух других противоположных плечах. Б.соответствующие плечи мостовой схемы последовательно с врем задающими резисторами введены транзисторы 4 и 6 противоположных типов проводимости, подключенные коллекторами к врем задаю- щим конденсаторам 1, 2 соответствен- но и охваченные перекрестными коллек- торно-базовьми св з ми через резисторы 12 и 13 соответственно. 2 ил.

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора импульсов со стабильной частотой следования .. 3 импульсов.

Цель изобретения - повышение стабильности частоты следования импульсов.

На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема генератора импульсов; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы.

Генератор выполнен по мостовой схеме, в двух противоположных пле- и чах которой включены времязадающие конденсаторы 1 и 2, а в двух других противоположных плечах - последовательно соединенные времязадающий резистор 3(5) и транзистор 4(6) соот- 20 ветственно, причем транзисторы 4 и 6 - противоположных типов проводимости.

Питание мостовой схемы осуществляется от шины 7 через резистор 8, 25 а выходом служит выходная, шина 9. В диагональ мостовой схемы подключены соединенные эмиттерами транзисторы 10 и 11 противоположных типов проводимости, причем база транзистора jq 10 обратного типа проводимости подключена к коллектору транзисторов прямого типа проводимости, эмиттер которого соединен через резистор 5 с выходной шиной 9, а база транзистора 11 прямого типа проводимости ³³ подключена к коллектору транзистора 4 обратного типа проводимости, эмиттер которого через резистор 3 подключен к общей шине. База транзистора 4

О 40 через резистор 12 подключена к точке соединения конденсатора 1 и коллектора транзистора 6, подключенного базой через резистор 13 к точке соединения конденсатора 2 и коллектора транзистора 4. База транзистора 11 через резистор 14 соединена с коллектором транзистора 6. Коллектор транзистора 11 через прямовключенный диод 15 связан с общей шиной, к котом 50 рои подсоединены также конденсатор и резистор 3. Коллектор транзистора 10 через прямовключенный диод 16 связан с выходной шиной 9 и резистором 8.

Генератор импульсов работает еледующим образом.

При включении питания начинается заряд конденсаторов 2 и 1 по цепи:

шина 7 питания, резистор 8, конденсатор 2, резистор 14, конденсатор 1, общая шина. По мере заряда конденсаторов 1 и 2 ток через резистор 14 уменьшается, а напряжения на эмиттерных переходах транзисторов 4 и 6 увеличиваются, что приводит к открыванию ·транэисторой 4 и 6, токи коллекторов которых начинают заряжать конденсаторы 2 и 1 более интенсивно, чем через резистор 14. По мере возрастания напряжения на конденсаторах 1 и 2 увеличиваются токи коллекторов транзисторов 4 и 6, поэтому заряд конденсаторов происходит возрастающими токами, вследствие чего напряжение на конденсаторах 1 и 2 возрастает по экспоненте с положительным показателем степени, что обеспечивает возрастание скорости изменения напряжения на конденсаторах. Когда напряжение на конденсаторах превысит половину напряжения источника питания, эмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 будут смещены в прямом направлении и транзисторы 10 и 11 откроются. Это приводит к некоторому уменьшению напряжения на выходной шине 9, а следовательно, к еще большему открыванию транзисторов и 11. Таким образом, возникает лавинообразный процесс открывания транзисторов 10 и 11, который заканчивается насыщением обоих транзисторов за счет токов разряда конденсаторов 1 и 2, на шине 9 формируется передний фронт отрицательного импульса.

Конденсаторы 1 и 2 разряжаются через насыщенные транзисторы 10 и и диоды 16 и 15. Уменьшение токов разряда конденсаторов приводит к переходу транзисторов 10 и 11 сначала в линейную область работы, а затем к лавинообразному закрыванию. Уменьшение напряжения на конденсаторах 1 и 2 приводит также к закрыванию транзисторов 4 и 6.

После закрывания всех транзисторов начинается новый цикл заряда конденсаторов 1 и 2. В дальнейшем процессы в генераторе импульсов повторяются .

В рассматриваемом генераторе импульсов конденсаторы заряжаются возрастающим током, напряжения на них возрастают по экспоненте с положительным показателем степени (фиг.2)·, поэтому в момент открывания транзисторов 10 и 11 скорость возрастания напряжения на конденсаторах во много раз выше, чем у известного устройства, поэтому изменения порогового напряжения открывания транзисторов от температуры меньше влияют на время заряда конденсаторов в паузе между импульсами, что повышает стабильность частоты следования импульсов. Влияние остаточного напряжения на конденсаторах компенсируется включением диодов 15 и 16. Длительность импульса незначительна по сравнению с дли- 15 тельностью паузы и существенного влияния на частоту не оказывает.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Генератор импульсов, выполненный ₂о по мостовой схеме, содержащий в двух противоположных плечах времязадающие конденсаторы, а в двух других противоположных плечах - времязадающие резисторы, причем точка соединения 25 первого конденсатора и первого времязадающего резистора подключена к общей шине, а к точке соединения второго конденсатора и второго времязадаю щего резистора подключены выходная шина и через третий резистор - шина питания, последовательно соединенные первый прямосмещенный диод, первый и второй соединенные эмиттерами транзисторы противоположных типов проводимости и второй прямосмещенный диод в первой диагонали мостовой схемы, связанной с выходной шиной, причем базы первого и второго транзисторов подключены к соответствующим выводам времязадающих конденсаторов так, что последовательно включенные базоэмит.терные переходы образуют вторую диагональ мостовой схемы, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности частоты следования импульсов, введены третий и четвертый транзисторы противоположных типов проводимости, четвертый резистор, подключенный параллельно базоэмиттерным переходам первого и второго транзисторов, пятый и шестой резисторы, причем третий и четвертый транзисторы подключены последовательно с времязадающими резисторами и охвачены коллекторными базовыми связями через пятый и шестой резисторы.

   i

   Фиг. 2