Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в качестве задающего импульсного генератора с регулируемой частотой следовани выходных импульсов. Известны ав,токрлебательные мульти вибраторы на транзисторах разного типа проводимости с резистивно-емкостными коллекторно-базовыми св з ми , позвол ющие получить два противо фазных выходных напр жени LllУказанные мультивибраторы обеспечивают м гкое самовозбуждение лишь в том случае, когда ток, протекающий через врем задающий резистор, не обеспечивает насыщени транзисторов что вл етс их недостатком. Наиболее близким к предлагаемому вл етс мультивибратор, содержащий первый и второй транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых соединены соответственно с шиной питани и с общей шиной, коллектор первого транзистора через коллекторну .о нагрузку соединен с общей шиной и через первый конденсатор с базовым резистором второго транзистора, коллектор которого через соответствующу коллекторную нагрузку .соединен с шиной питани и через второй конденсатор с базовы,1 резистором первого транзистора, и врем задающий резистор 12. Данный мультивибратор позвол ет получать два противоположных фазных напр жени и обеспечивает м гкое самовозбуждение независимо от тока, протекающего через врем задающий резистор, благодар автоматическому поддержанию активного состо ни открытых транзисторов. Недостатком мультивибратора вл етс большое падение напр жени на транзисторах, наход щихс в активном режиме, что приводит к повышенной мощности, рассеиваемой на них, при Формировании импульсов. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей мультивибратора . Поставленна цель достигаетс тем что в мультивибратор, содержащий первый и второй транзисторы ггдзного типа проводимости, эмиттеры которых соединены соответственно с шиной питани в с общей шиной, коллектор первого транзистора через коллекторную нагрузку соединен с общей шиной и через первый конденсатор с базовым резистором второго транзистора, коллектор которого через соответствующу коллекторную нагрузку соединен с шиной питани и через второй конденсатор с базовым резистором первого транзистора, и врем задающий резисто подключенный первым выводом к точке соединени базового резистора второг транзистора с первым конденсатором, введен полевой транзистор обедненного типа, исток и подложка которого подключены к точке соедине;ни базового резистора первого транзистора с вторым конденсатором, сток - к вторс иу (ВЫВОДУ-врем задающего резистора, а затвор - к коллектору первого транзистора . На чертеже приведена принципиальна схема мультивибратора дл случа использовани полевого транзистора с обедненным каналом Р-типа. Мультивибратор содержит транзисто ры 1 и 2, нагрузочные резисторы 3 и 4, конденсаторы 5 и 6, базовые резисторы 7 и 8, врем задающий резистор 9 и полевой транзистор 10. а«1иттеры транзисторов 1 и 2 соединены соответственно с шиной питани и общей шиной, коллекторы - через резисторы 3 и 4 соответственно с общей шиной и шиной питани , а через конденсаторЦ но-резисторные цепочки , состо щие из конденсатора 6 и резистора 8 и конденсатора 5 и резистора 7, соотзетственно с базами транзисторов 2 и 1. Врем задающий 9 одним выводом подключей к точке соединени конденсатора 6 и резистора 8, вторьм выводом - к стоку транзистора 10, исток и подложка этого транзистора подключены к точке соединени конденсатора 5 и резистора 7, а затвор к коллектору первого транзистора. Схема работает следующим образом. В момент включени напр жени питани все транзисторы закрыты. При достижении этим напр жением порога открьшани транзистора 10 через переход сток-исток этого транзистора и резисторы 7 и 9 в базы транзисторов 1 и 2 начинает ток, и эти транзисторы начинают открыватьс . Благодар наличию положительной обратной св зи через депочки, состо щие из резистора 8 и конденсатора 6 и резистора 7 и конденсатора 5, процесс приобретает лавинообразный характер и заканчиваетс насьвдением обоих транзисторов . Насыщение транзистора 1 приводит к закрыванию транзистора Ю. Открытое состо ние транзисторов 1и 2 поддерживаетс за счет зар да конденсаторов 5 и б. Резисторы 7 и 8 ограничивают ток зар да конденсаторов. По мере зар да конденсаторов базовый ток транзисторов уменьшаетс и в определенный момент времени становитс недостаточным дл насыщени транзисторов . Транзисторы переход т в активный режим и происхддит процесс их лавинообразного запирани . При достижении напр жени ме ду коллектором и базой транзисто{)а 1
3 1034153 . .
порога открйвани транзистора 10 пос-разр да конденсаторов 5 и 6, а слелед«ий открываетс .довательнр, частоту следовани импульПоспе запирани транзисторов 1 исов. 2 конденсаторы 5 и б начинают разр жатьс по цепи: источник питани , ре-Предлагаемый мультивибратор зистор 4, переход сток-исток тран-5 -позвол ет, обеспечить режим м гкозистора 10, резисторы 9 и 3. Когдаго возбуждени мультивибратора в шинапр жение на эмиттерно-базовых пере-роком диапазоне изменени частоты хоДах транзисторов 1 и 2 перейдет ну-генерации при условии насыщени транлевой уровень, транзисторы вновьзисторов в момент формировани кмпульоткрываютс и процессы в схеме повто-10сов. Это- позвол ет при одинаковых р ютс . .транзистррах более чем в два раза
Измен величину резистора 9, мож-увеличить мощность формируемых имно в широком диапазоне измен ть врем пульсов.