SU773916A1 - Формирователь двухступенчатых импульсов - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использова но в устройствах автоматики. Известен формирователь ступенчатого напр жени  содержащий триггеры разделительные диоды, резисторные делители напр жени , импульсно-потеи циальные схемы совпадени  11| . Недостатком устройства  вл етс  его сложность, невозможность работы в автоколебательном режиме. Наиболее близким в техническом ре шении к предлагаемому  вл етс  формирователь двухступенчатых импульсор содержащий источник тока, источник напр жени , положительна  шина которого подключена к аноду диода, первы транзистор к базе которого подк.пючен первый резистор, второй транзистор,к коллектору которого подключена перва  обкладка конденсатора, второй и третий резисторы 2. Недостатком устройства  вл етс  невозможность его работы в автоколебательном режиме. Цель изобретени  - обеспечение ра боты устройства в автоколебательном режиме. Поставленна  цель достигаетс  тем что в формирователь двухступенчатых импульсов, содержащий источник тока, источник напр жени , положительна  шина которого подк.точена к аноду диода , первый транзистор к базе которого подк.лючен первый резистор, второй транзистор, к ко.плектору которого подключена перва  обкладка конденсатора , второй и третий резисторы,введен стабилитрон, анод которого подключен к эмиттеру второго транзистора, катод - к положительной шине источника тока, к катоду диода и к эмиттеру первого транзистора, база которого соединена со второй обкладкой конденсатора , а коллектор через второй резистор соединен с общей шиной устройтва , при этом коллектор второго транистора через третий резистор подключен к общей шине устройства, а база к положительной шине источника напр жени . На чертеже приведена схема устройства . Устройство содержит первый транзистор 1, второй транзистор 2, конденсатор 3, диод 4, источник 5 напр жени , источник 6 тока, первый резистор 7, .второй резистор 8,третий резистор 9, стабилитрюн 10.

Устройство работает следующим об разом.

После подачи напр жени  питани  эмиттер транэисторэ 1 оказываетс  подключенным через диод 4 к источник 5 питани , а, следовательно, права  обкладка конденсатора 3 относительно общей шины устройства имеет потенциал источника 5, так как она соединена с ним через базоэмиттерный переход транзистора 1 и диод 4. Так как конденсатор был не зар жен, то на коллекторе транзистора 2 потенциал также равен приблизительно источнику 5. Транзистор 2 заперт, а транзистор 1 насыцен током зар да конденсатора 3 и вЕлходное напр жение равно приблизительно источнику 5, Такое состо ние схемы сохран етс  до тех пор, пока напр жение на обкладках конденсатора 3 не достигнет величины напр жени  источника 5, после чего диод 4 закрываетс , так как конденсатор продолжает зар жатьс  от источника 6 через резистор 9. При этом выходное напр жение уменьшаетс . Такое состо ние схемы будет сохран тьс  до тех пор,пока напр жение на правой половине кондесатора 3 и эмиттере транзистора 1 н достигнет напр жени  пробо  стабилитрона 10, после чего через него к эмиттер транзистора 2, его базу и коллектор потечет ток, который вызовет падение напр жени  на резисторе 9, уменьшение тока зар да конденсатора 3, увеличение тока через стабилитрон 10, эмиттер, базу, коллектор транзистора 2 и т,д., т.е. произойдет лавинообразный процесс, после которого транзистор 2 будет в насыцении, а транзистор 1 заперт напр жением на правой обкладке конденсатора 3, превышающем напр жение на эмиттере на величину, примерно равную напр жению источника 5,вследствие чего напр жение на выходе становитс  равным нулю. Это состо ние сохраните до тех пор, пока конденсатор J не разр дитс  через резисто 8 до напр жени , при котором напр жение на базе транзистора 1 станет меньше напр жени  на его эмиттере, после чего начнет .уменьшатьс  ток

эмиттера и коллектора транзистора i при увеличении тока через базу, эмиттер , коллектор транзистора 1 и т.д., т.е. произойдет лавинообразный npo-i цесс, при котором транзистор 2 закроетс , а транзистор 1 насытитс  и на выходе по витс  напр жение, приблизительно равное напр жению источника 5. После переходного процесса конденсатор 3 окажетс  зар женным до напр жени , равного напр жению пробо  стабилитрона. После дозар да конденсатора 3 до напр жени  источника 5 питани  выходное напр жение. уменьшаетс  до уровн  напр жени  второго уровн , конденсатор 3 продолжает дозар жатьс  до напр жени  пробо  стабилитрона, начнет проводить транзистор 2 и т.д.,т.е.все процессы начнут повтор тьс .

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР, № 367533, кл. Н 03 К 4/02, 1971.

2.Авторское свидетельство СССР № 511682, кл. Н 03 К 5/01, 1976,

Т