SU577644A1 - Мультивибратор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора тактовых импульсов в вычислительной технике и в источниках технологического тока электроэрозионной обработки дл  получени  посто нной длительности импульсов, не завис щей от частоты повторений, и получени  больших скважностей.

Известен мультивибратор с эмиттерной врем задающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещени , дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый днод и первый конденсатор, причем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости Н к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости 1 .

Недостатком данного мультивибратора  вл етс  зависимость длительности импульса от частоты повторений и невозможность получени  скважрюсти больше нескольких дес тков.

Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона генерируемых частот при сохранении неизменной длительности сигнала.

Дл  этого в мультивибратор с эмиттерной врем задающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещени , дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и первый конденсатор, прнчем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости , введены дополнительный резистор, второй конденсатор и второй и третий диоды, причем катод второго диода подключен к эмиттеру второго транзистора и одной обкладке второго конденсатора, а его анод подключен к аноду третьего диода и через дополнительный резистор - к полюсу источника смещени . Катод третьего диода подключен к другой обкладке первого конденсатора и к коллектору дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, а друга  обкладка второго конденсатора - к аноду первого диода.

На чертеже приведена схема мультивибратора .

Он содержит транзисторы 1 и 2 пр мой проводимости, резистор 3, дополнительный резистор 4, резистор 5, диоды 6-8, конденсаторы 9 и К), дополнительный транзистор 11 обратной проводимости, источник 12 смещени , отрицательную шину 13 и положительную шину 14 источиика питани . Шика 13 через резистор 3 соединена с коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2, коллектор которого соединен с шиной 13, а эмиттер - с базой транзистора 11, подключенной через резистор 5 к шине 14, .отрицательному полюсу источника 12 и базе TpaH3HCTopia I. Эмиттер последнего соединен с катодом диода 6, св занным через конденсатор 9с эмиттером транзистора 11 и анодом диода 8, катод которого подключен к эмиттеру транзистора 2. Эмиттер транзистора 11 через конденсатор 10 соединен с его коллекюром и катодом диода 7, анод которого соединен с анодом диода 6, подключенным через резистор 4 к положительному полюсу источника 12.

Мультивибратор работает следующим образом . Пусть конденсаторы 9 и 10 начинают зар жатьс . Ток зар да протекает через резистор 4, диоды 6-8 и открытый транзистор 2. Создаваемое этим током падение напр жени  на резисторе 4 и на диоде 6 больше напр жени  смещени  и прикладываетс  в обратном направлении к базо-эмиттериому переходу транзистора 1, закрыва  .его.

Зар дный ток, протекающий через диод 8, создает на нем посто нное по величине напр жение , которое приложено к базо-эмиттерному переходу транзистора 11 и держит его закрытым . По мере зар да конденсаторов 9 и 10 ток зар да уменьшаетс , уменьшаетс  и падение напр жени  на резисторе 4. При сравнивании падени  напр жени  на резисторе 4 и диоде 6 с напр жением смещени , транзистор 1 начинает открыватьс , что приводит к опрокидыванию мультивибратора.

Ранее зар женный конденсатор 9 разр жаетс  по цепи: эмиттериый переход транзистора 1 - резистор 5 - базо-эмиттериый переход транзистора 11. Ток разр да конденсатора 9 открывает транзистор 11, который шунтирует конденсатор 10, и последний быстро разр жаетс . По окончании разр да конденсатора 9 транзистор 1 выходит из режима насыщени , потенциал его коллектора начинает уменьшатьс , вызыва  отпирание транзистора 2. В мультивибраторе развиваетс  лавинообразный процесс , транзистор 1 закрываетс , а транзистор 2 открываетс .

Описанные процессы периодически повтор ютс . Длительность выходного импульса пр моугольной формы, снимаемого с коллектора транзнстора 1, определ етс  временем разр да конденсатора 9 н не зависит от конденсатора 10, которым определ етс  частота следовани  генерируемых импульсов.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР Ли 451174, кл. Н 03 к 3/282, 28.12.71.