SU810641A1 - Сегнетоэлектрический керамическийМАТЕРиАл - Google Patents

Description

(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относитс  к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектропике, в частности , дл  изготовлени  конденсаторов. Известны сегнетоэлектрики на основе сложных танталатов свинца с величиной диэлектрической проницаемости 60 и точкой Кюри - 50° С 1, известны такие сегнетоэлектрики как РЬгСоТаОе с величиной диэлектрической проницаемости 100 и точкой Кюри при 200° С 2.

Общим недостатком сегнетоэлектрических материалов  вл етс  малое значение диэлектрической проницаемости и низкие значени  точек Кюри. Указанные недостатки пе позвол ют использовать отмеченные составы в практических цел х.

Техническим решением, наиболее близким к данному  вл етс  сегнетоэлектрик РЬ2СгТаОб, синтезированный при высоком давлении |3.

Однако указанный сегнетоэлектрический материал имеет верхнюю точку Кюри - 50° С и низкое значение диэлектрической проницаемости - 80.

Целью изобретени   вл етс  увеличение диэлектрической проницаемости.

Указанна  цель достигаетс  тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал на основе PbjCrTaOe дополнительно содержит LisO, причем состав материала,соответствуетформуле

РЬгСп-л-ТаЫхО,, где J 0,03-0,05.

Дл  получени  материала было приготовлено несколько смесей, содержащих

кажда , %: а) РЬО 57, СгаОз 9; ТагОз 27; LiaCOs 7; b) PbO 59, СгаОз 7, TaaOg 30; ЫйСОз 4, с) РЬО 59, СггОз 9; TaoOj 30, LisCOs 2.

Каждую смесь тщательно перемещивали , подвергали обжигу по обычной керамической технологии, затем производили обжнг в услови х высокого давлени  от 30 до 40 кБ/} ,и температуре 700-1000° С. После сн ти  давлеии  на образцы наносили

электропровод щую пасту и идентифицировали их на наличие сегнетоэлектрических свойств. В результате выполненных исследсванпй установлено, что во всех трех случа х образуетс  сегнетоэлектрический материал .

ЗНачени  диэлектрической проницаемости дл  состава с X 0,04 приведены в таблице, а частотна  и температурна  зависимости , диэлектрической проницаемости

соответственно на фиг. 1 и 2.

Claims (2)

1.Патент США № 3400072, кл. 252-629, 1968.

2.Изв. АН СССР. Неорганические материалы , 10, 1359, 1974.

iQO

so

80 70 6020 W 60 SO ifJO /20 /W IKO .г/