SU807054A1 - Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий - Google Patents
Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий Download PDFInfo
- Publication number
- SU807054A1 SU807054A1 SU762379317A SU2379317A SU807054A1 SU 807054 A1 SU807054 A1 SU 807054A1 SU 762379317 A SU762379317 A SU 762379317A SU 2379317 A SU2379317 A SU 2379317A SU 807054 A1 SU807054 A1 SU 807054A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- control
- photodetector
- substrates
- layers
- multilayer coatings
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ
Изобретениеотноситс к контроль но-измерительной технике и может быть использовано, в частности дл измерени толщин слоев при нанесении на подложки непоглощающих пленочных покрытий, например, .при нанесении многослойных интерференционных покрытий ..
Известны фотометрические устройства дл контрол толщины слоев многослойных покрытий, основанные на измерении экстремальных значений коэффициента пропускани света на фиксированной длине волны ИЗНедостатком .таких -устройств вл етс невысока точность контрол толщины слоев многослойных интерференционных покрытий в процессе ихнанесени на Подложки, обусловлей- . на тем, что контроль осуществл етс непрерывно по одной из рабочих подложек на которую поочередно-нанос тс слои-диэлектриков разного типа. ВслеД ствие этого неизбежны ошибки в определенил толщины наносимых слоев, которые растут с ростом толщины слоев в изготавливаемых покрыти х.
Наиболее близким по технической сущности .к .предлагаемому . вл етс . устройство дл контрол толщины слое
многослойных покрытий в процессе их нанесени в вакуумной камере, содержащее фотоприемник, бЛок питани фотоприемника , блок обработки сигналов фотоприемника и контрольные подложки, предназначенные дл размещени в вакуумной камере L2JНедостатком известного устройства вл етс то, что работа фотоприемника
0 в непрерывном режиме приводит к ошибкам в определении толщины слоев из-за наличи собственных шумов фотоприем:ника , паразитных засветок, разъюсти-ровки оптической аппаратуры и других
5 факторов. j
цель изобретени - повышение точности контрол .
Поставленна цель достигаетс тем,
0 что устройство снабжено датчиком положени контрольных подложек и двум управл е1 а11ми электронными ключами, один из которых подключен между блоком питани и фотоприемником, второй5 между выходом фотоприемника и входом блока обработки сигналов фотоприемника , а датчик положени контрольных , подложек подключен выходом к управл ющим входам управл емых элект0 ронных ключей.
На чертеже представлена блоксхема устройства дл контрол толщины слоев многослойных покрытий.
Устройство содержит вакуумную камеру 1, в которой расположен механизм 2 планетарного вращени , на . платформе которого закреплены две контрольные подложки 3 и несколько рабочих подложек 4. С помощью подвижного экрана 5 обеспечиваетс попеременное экранирование одной из конт- «Q
рольных подложек 3 в процессе нанесени материалов разного типа посредством блока 6 испарителей.
Внутри вакуумной камеры 1 размещен также источник 7 света, расположенный напротив окна 8 в основании 5 камеры. С другой стороны окна снаружи камеры установлен фотоприемник 9, состо щий из монохроматора 10 и фотоэлектронного умножител 11(ФЭУ).
Блок 12 питани фотоприемника 20 подключен к нему через управл емый электронный ключ 13. Второй электронный управл емый ключ 14 подключен входом к выходу фотоприемника 9, а выходом -г к блоку 15 обработки сиг- 25 налов фотоприемника, К управл ющим входам обоих электронных ключей 13 и 14 подключен выход датчика 16 положени контрольных подложек 3.
Устройство работает следующим Q образом.
При нанесении на рабочие подложки 4 сло из материала, например с высоким показателем преломлени , одна из контрольных подложек 3 закрыта . экраном 5, а друга оставлена в тех же услови х,что и рабочие подложки, т. е. не закрыта экраном. При прохождении незакрытой экраном контрольной подложки под световым лучом источника 7 света датчик 16 положе- 40 ни Контрольных подложек вырабаты вает- электрический импульс; поступающий на управл ющие .входы управл екых электронных ключей 13 и 14 и открывающий их. В результате этого 5 выделенный монохроматором 10 и усиленный ФЭУ 11 электрический сигнал с фото;:риемника 9 проходит на вход блока 15 обработки сигналов фотоприемника , на выходе которого по- ел вл етс электрический сигнал, пропорциональный амплитуде светового сигнала, прошедшего через контрольную подложку с нанесенным на нее слоем диэлектрика. Амплитуда этого сигнала зависит от коэффициента пропускани света этой контрольной подложки,
В процессе нанесени сло из материала данного типа проводимости механизм 2 планетарного вргицени 40 обеспечивает большое количество оборотов закрепленных на платформе подложек, благодар чему обеспечиваетс хороша равномерность и идентичность наносимого сло на всех рабо-й5
чих подложках и соответствующей (не закрытой экраном)контрольной подложке . При периодическом попадании этой контрольной подложки 3 в измерительное положение(на общую оптическую ось с источником 7 света и фотоприемником 9)происходит периодическое возбуждение фотометрической системы контрол , образованной элементами 9-16, благодар срабатыванию датчика 16 положени контрольных подложек, обеспечивающего при посредстве ключей 13 и 14 подключение блока питани 12 к фотоприенику 9, а этого фотоприемника к блоку 15 обработки сигналов. Датчик 16 положени контрольных подложек может быть выполнен, например в виде пары светодиод - фотодиод, или пары посто нный магнит-г ркон и т.п.
При нанесении на подложки сло материала, например с низким показателем преломлени , измен етс направление вращени планетарного механизма 2, экран 5 переводитс в положение , при котором он закрывает ранее открытую контрольную подложку 3 так,что контроль толщины наносимого сло диэлектрика осуществл етс теперь при периодическом прохождении другой контрольной подложки через измерительное положение.
Благодар тому, что в данном устройстве контроль толщин наносимых слоев осуществл ют по отдельным контрольным подложкам дл различных материалов, коэффициенты пропускани света каждой из контрольных подложек измен ютс по синусоидальному закону . Ввиду малого поглощени света материалами слое.в, использемыми дл создани интерференционных покрытий, амплитуда колебаний выходного сигнала фотометрической системы не зависи от числа наносимых слоев и имеет максимальное значение. При этом благодар Импульсному режиму работы фотометрической системы исключаетс вли ние на результаты измерени шумов фотоприемника, паразитных засветок и т. п. а также повышаетс экономичность работы системы.
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство дл контрол толщины слоев многослойных покрытий в процессе их нанесени в вакуумной камере , содержащее фотоприемник, блок питани фотоприемника, блок обработки сигналов фотоприемника и контрольные .подложки, предназначенные дл размещени в вакуумной камере, ртличающ.еес тем, что, с целью повышени точности контрол , оно снабжено датчиком положени конт рольных подложек и двум уг/равл «Г1и
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762379317A SU807054A1 (ru) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762379317A SU807054A1 (ru) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU807054A1 true SU807054A1 (ru) | 1981-02-25 |
Family
ID=20668118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU762379317A SU807054A1 (ru) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU807054A1 (ru) |
-
1976
- 1976-07-01 SU SU762379317A patent/SU807054A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3869211A (en) | Instrument for measuring thickness of thin film | |
| EP0150945A2 (en) | Method and apparatus for measuring properties of thin materials | |
| TW355215B (en) | Method for measuring the optical properties of transparent-reflective and/or reflective objects as well as measuring apparatus for carrying out such method | |
| CN101473212A (zh) | 聚焦光束椭偏仪 | |
| JPS59168310A (ja) | 薄膜の厚みを測定する方法及び装置 | |
| US3744916A (en) | Optical film thickness monitor | |
| SU1584759A3 (ru) | Фотометрическое устройство дл измерени и управлени толщиной оптически активных слоев | |
| EP0585883B1 (en) | Method of measuring refractive index of thin film | |
| US4878755A (en) | Process and device for measuring the optical properties of thin layers | |
| SU807054A1 (ru) | Устройство дл контрол толщиныСлОЕВ МНОгОСлОйНыХ пОКРыТий | |
| US2936732A (en) | Production of optical filters | |
| US4525066A (en) | Method and device for measuring temperature using a diffraction grating | |
| US7176474B2 (en) | Method and apparatus for measuring and monitoring coatings | |
| JPS59131106A (ja) | 干渉計およびこれを用いて微少距離を測定する方法 | |
| CN210108895U (zh) | 检测装置和检测系统 | |
| SU1233208A1 (ru) | Способ измерени толщины многослойной полимерной пленки | |
| CN109119355A (zh) | 断面倾斜角检测装置 | |
| US3673420A (en) | Thickness control system for multi-layer optical thin film work | |
| JPH03237304A (ja) | 薄膜作製装置 | |
| SU1735712A1 (ru) | Устройство дл контрол толщины пленок многослойных покрытий в процессе напылени | |
| RU2033603C1 (ru) | Способ измерения коэффициента отражения | |
| JPH0346386A (ja) | 反射防止皮膜の厚み制御方法及び装置 | |
| JPH0714804Y2 (ja) | レーザ干渉式デポレートモニタ | |
| KR20110076593A (ko) | 적층박막필터를 이용한 회전형 파장선택 시스템 | |
| SU1415057A1 (ru) | Способ фотометрического контрол многослойных покрытий |