на вход. Анализ частоты следовани импульсов происходит следующим образом .at the entrance. The pulse frequency analysis is as follows.
Поступающий на вход А первый импуль (фиг, 3, А), пройд элемент И-НЕ, разр жает конденсатор 2 (фиг. 3, Б) практически до нулевого значени напр жени . Так как на входе элементаThe first impulse arriving at input A (Fig. 3, A), having passed the NAND element, discharges capacitor 2 (Fig. 3, B) to almost zero voltage. Since the input element
3низкий уровень, выходной транзистор этого элемента закрыт и конеднсатор3low level, the output transistor of this element is closed and the connector
4начинает зар жатьс входным током элемента 5 (фиг. 3, В). После окончани действи первого импульса выходной транзистор элемента 1 закрываетс и конденсатор 2 начинает зар жатьс входным током элемента 3. Если частота следовани импульсов меньше , то конденсатор 2 успевает зар дитьс до напр жени включени элемента 3 , выходной транзистор этого элемента насыщаетс и разр жает конденсатор 4 до нулевого значени напр жени . Емкость конденсатора 4 выбрана большей, чем емкость конденсатора 2, поэтому напр жение конденсатор 4 не успевает достичь напр жени срабатывани элемента 5 и сигнал на выходе элемента 5 (фиг. 3, Г) сохран ет свое значение. Аналогична картина происходит при поступлении второго и третьего импульса (фиг. 3, А).4 starts charging the input current of element 5 (FIG. 3, B). After the end of the first pulse, the output transistor of the element 1 closes and the capacitor 2 begins to charge by the input current of the element 3. If the pulse frequency is lower, then the capacitor 2 has time to charge before the switching voltage of the element 3, the output transistor of this element becomes saturated and discharges the capacitor 4 to zero voltage. The capacitance of the capacitor 4 is chosen greater than the capacitance of the capacitor 2, therefore, the voltage of the capacitor 4 does not have time to reach the response voltage of the element 5 and the output signal of the element 5 (Fig. 3, D) retains its value. A similar picture occurs when a second and third pulse arrives (Fig. 3, A).
Если после третьего импульса частота стала больше f , то конденсатор 2 не успеет зар дитьс до напр жени включени элемента 3, так как четвертый импульс разр дит его раньше этого момента (фиг. 3, Б). То же самое произойдет при поступлении п того и последующих импульсов, частота следовани которых больше . Вследствие этого выходной транзистор элемента 3 будет закрыт и конденсатор 4 начнет зар жатьс входным током элемента 5 до напр жени включени этого элемента (фиг. 3, В), в результате выходной транзистор элемента 5 переключитс в режим насыщени и на выходе устройства будет сигнал низкого уровн .If, after the third pulse, the frequency has become greater than f, then the capacitor 2 will not have time to charge before the switching voltage of element 3, since the fourth pulse discharges it before this moment (Fig. 3, B). The same thing will happen when receiving the fifth and subsequent pulses, the frequency of which is greater. As a result, the output transistor of the element 3 will be closed and the capacitor 4 will start to be charged by the input current of the element 5 to turn on the voltage of this element (Fig. 3, B), as a result the output transistor of the element 5 will switch to saturation mode and the output signal will be low .