SU776820A1 - Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct - Google Patents

Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct Download PDF

Info

Publication number
SU776820A1
SU776820A1 SU782668904A SU2668904A SU776820A1 SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1 SU 782668904 A SU782668904 A SU 782668904A SU 2668904 A SU2668904 A SU 2668904A SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
indium
diffusion welding
silver
piesotransducer
layer
Prior art date
Application number
SU782668904A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Патик Грантович Бабурян
Рубен Спартакович Микаелян
Original Assignee
Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета filed Critical Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета
Priority to SU782668904A priority Critical patent/SU776820A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU776820A1 publication Critical patent/SU776820A1/en

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к диффузионной сварке и может быть использовано при сварке пьезопреобразовател  с звукопроводом , примен емых в акустикооптических устройствах.The invention relates to diffusion welding and can be used in welding a piezoelectric transducer with a flux duct, used in acoustic-optical devices.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому изобретению  вл етс  способ диффузионной сварки пьезопреобразовател  с звукопроводом через промежуточные прослойки серебра и инди  1.The closest in technical essence and the achieved result to the proposed invention is a method of diffusion welding of a piezoelectric transducer with a sound guide through intermediate silver layers and indi 1.

Недостатком этого способа  вл етс  высокое омическое сопротивление зоны соединени .The disadvantage of this method is the high ohmic resistance of the connection zone.

Цель изобретени  - снижение омического сопротивлени  зоны соединени .The purpose of the invention is to reduce the ohmic resistance of the connection zone.

Поставленна  пель достигаетс  тем, что на свариваемые поверхности дополнительно нанос т промежуточный слой металла с высокой электропроводностью, не образующий эвтектики с индием и серебром.The delivered pell is achieved by the fact that an intermediate layer of metal with high electrical conductivity, which does not form eutectic with indium and silver, is additionally applied to the surfaces being welded.

На чертеже показана схема осуществлени  способа.The drawing shows a scheme for implementing the method.

Способ осуи;ествл ют следующим образом .The way of being sucked; is described as follows.

На свариваемые поверхности пьезопреобразовател  1 и звукопровода 2 вакуумным напылением последовательно нанос т слой 3 материала, обеспечивающего адгезию последующего сло , слой 4 металла сA layer 3 of material is applied successively onto the welded surfaces of the piezoelectric transducer 1 and the sound duct 2 by vacuum spraying; the layer 4 of the metal is adhered to

высокой электропроводностью, например меди, не образуюгДий эвтектики с индием и серебром, слой 5 серебра и слой 6 инди .high electrical conductivity, such as copper, does not form an eutectic with indium and silver, silver layer 5 and indium layer 6.

Собранный узел устанавливают в вакуум5 ную установку, нагревают и провод т диффузионную сварку. Благодар  дополнительному промежуточному слою металла с высокой электропроводностью, не образующему высокоомной эвтектики с индием и 10 серебром, снижаетс  омическое сопротивлеиие зоны соединени .The assembled assembly is installed in a vacuum unit, heated and diffusion welded. Due to the additional intermediate layer of metal with high electrical conductivity, which does not form a high-resistivity eutectic with indium and 10 silver, the ohmic resistance of the bonding zone is reduced.

Пример. В качестве материалов звукопровода используют молибдат свинца,Example. Lead molybdate is used as a sound duct.

15 а-кварц, йодноватую кислоту, стекло ТФ-5 и плавленный кварц. Пьезопреобразователи изготовл ют из ниобата лити  и йодата лити .15 a-quartz, iodic acid, TF-5 glass and fused quartz. Piezo transducers are made from lithium niobate and lithium iodate.

В качестве подсло  в зависимости от используемых материалов берут следующие компоненты: Сг, Мо, Ti, Ni толщиной 200- 1000 А. Дл  сварки ниобата лити , а-кварца и стекла ТФ-5 напыл ют подслой Сг или CrNi, а в качестве дополнительногоDepending on the materials used, the following components are taken as a sublayer: Cr, Mo, Ti, Ni 200–1000 A. thick For welding niobate lithium, a-quartz and TF-5 glass, spray Cr or CrNi as an underlayer, and as an additional

25 сло  - слой Си. Дл  нанесени  подсло , слоев меди и серебра свариваемые элементы нагревают до 280-300°С со скоростью 1,5-2 град/мин, после нанесени  указанных слоев охлаждают до 100°С дл  нанесе30 ни  сло  инди .25 layer - a layer of C. For the application of the sublayer, the layers of copper and silver, the elements to be welded are heated to 280-300 ° C at a rate of 1.5-2 K / min, after the application of these layers is cooled to 100 ° C to apply 30 layers of indium.

л l

i . .,ГГ-.776820i. ., YY-.776820

л  l

Толщина напыл емых слоев следующа :The thickness of the sprayed layers is as follows:

Подслой (Сг), А 500-1000Sublayer (Cr), A 500-1000

Дополнительный слой металлаAdditional metal layer

(медь), мкм0,3-0,4(copper), µm0.3-0.4

Слой серебра, мкм0,3Silver layer, µm0.3

Слой инди , мкм0,4-0,5Indie layer, µm0,4-0,5

Сварку провод т в вакууме (10- мм рт. ст.) ири 180-200°С ,нод давлением до 50 кг/см в течение 30 мин. Скорость нагревани  свариваемого образца составл ет 1,5-2град/мин. Затем образцы охлаждают до комнатной темнературы со скоростью 1,0-1,5 град/мин.Welding is carried out in vacuum (10 mm Hg. Art.) Iri 180–200 ° C, nodes up to 50 kg / cm pressure for 30 minutes. The heating rate of the sample to be welded is 1.5-2 C / min. Then the samples are cooled to room temperature at a speed of 1.0-1.5 deg / min.

Предлагаемый способ позвол ет снизить омическое сопротивление зоны соединени  при сварке пьезопреобразовател  с звукопроводом , что приводит к увеличению КПД ньезопреобразовател .The proposed method makes it possible to reduce the ohmic resistance of the joint zone when welding a piezoelectric transducer with a duct, which leads to an increase in the efficiency of a non-transducer.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ диффузионной сварки пьезопреобразовател  с звукопроводом через промежуточные прослойки серебра и инди , отличающийс  тем, что, с целью снил ени  омического сопротивлени  зоны соединени , на свариваемые поверхности дополнительно нанос т промежуточный слой металла с высокой электропроводностью, не образующий эвтектики с индием и серебром .The method of diffusion welding of a piezoelectric transducer with a sound guide through intermediate silver layers and indium, characterized in that, in order to reduce the ohmic resistance of the joint zone, an intermediate layer of metal with high electrical conductivity, not forming eutectic with indium and silver, is additionally applied to the surfaces to be welded. Источники информации, прин тые во внимание нри экспертизе 1. Труды института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике. Журнал «Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике США. - М, Мир 1973, № 8, с. 34.Sources of information taken into account at the examination 1. Proceedings of the Institute of Electrical and Electronics Engineers. Journal of the Institute of Electrical and Electronics Engineers of the United States. - M, World 1973, No. 8, p. 34 JJ
SU782668904A 1978-06-28 1978-06-28 Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct SU776820A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668904A SU776820A1 (en) 1978-06-28 1978-06-28 Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668904A SU776820A1 (en) 1978-06-28 1978-06-28 Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU776820A1 true SU776820A1 (en) 1980-11-07

Family

ID=20787211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782668904A SU776820A1 (en) 1978-06-28 1978-06-28 Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU776820A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3206698A (en) Electro-mechanical delay line having ferroelectric transducer bonded to solid delay medium
JPS5719076B2 (en)
ATE42610T1 (en) PIEZO-CERAMIC VALVE PLATE FOR A LOW-PRESSURE INJECTION VALVE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE.
JPS54132187A (en) Crystal oscillator
JPS5846059B2 (en) semiconductor equipment
SU776820A1 (en) Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct
JPS6148136B2 (en)
NL179099C (en) ELECTRODE CONSTRUCTION AND TELEVISION RECEPTION TUBE EQUIPPED WITH SUCH ELECTRODE CONSTRUCTION.
JPS56142633A (en) Forming method for back electrode of semiconductor wafer
US3265473A (en) Metalized ceramic members
JPS62172676A (en) Terminal attachment to the material which is hard to be soldered
JPS5713784A (en) Bimorph piezoelectric element
JPS587998A (en) Ultrasonic transducer structure material
JPS58182839A (en) Semiconductor device
JPS5854368B2 (en) liquid crystal display device
SU732606A1 (en) Seal
JPS556245A (en) Thermister bolometer
JPS5928070B2 (en) semiconductor displacement transducer
JPS6345869A (en) Organic photoelectric transducer
JPH0629769A (en) Chip type electronic parts
JPS587704Y2 (en) surface acoustic wave device
JPS61267023A (en) Acoustooptic element
JPS601853A (en) Leadframe for semiconductor
JPH06328242A (en) Heating tool
JPS5660035A (en) Semiconductor device