SU776820A1 - Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct - Google Patents
Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct Download PDFInfo
- Publication number
- SU776820A1 SU776820A1 SU782668904A SU2668904A SU776820A1 SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1 SU 782668904 A SU782668904 A SU 782668904A SU 2668904 A SU2668904 A SU 2668904A SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- indium
- diffusion welding
- silver
- piesotransducer
- layer
- Prior art date
Links
Description
1one
Изобретение относитс к диффузионной сварке и может быть использовано при сварке пьезопреобразовател с звукопроводом , примен емых в акустикооптических устройствах.The invention relates to diffusion welding and can be used in welding a piezoelectric transducer with a flux duct, used in acoustic-optical devices.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому изобретению вл етс способ диффузионной сварки пьезопреобразовател с звукопроводом через промежуточные прослойки серебра и инди 1.The closest in technical essence and the achieved result to the proposed invention is a method of diffusion welding of a piezoelectric transducer with a sound guide through intermediate silver layers and indi 1.
Недостатком этого способа вл етс высокое омическое сопротивление зоны соединени .The disadvantage of this method is the high ohmic resistance of the connection zone.
Цель изобретени - снижение омического сопротивлени зоны соединени .The purpose of the invention is to reduce the ohmic resistance of the connection zone.
Поставленна пель достигаетс тем, что на свариваемые поверхности дополнительно нанос т промежуточный слой металла с высокой электропроводностью, не образующий эвтектики с индием и серебром.The delivered pell is achieved by the fact that an intermediate layer of metal with high electrical conductivity, which does not form eutectic with indium and silver, is additionally applied to the surfaces being welded.
На чертеже показана схема осуществлени способа.The drawing shows a scheme for implementing the method.
Способ осуи;ествл ют следующим образом .The way of being sucked; is described as follows.
На свариваемые поверхности пьезопреобразовател 1 и звукопровода 2 вакуумным напылением последовательно нанос т слой 3 материала, обеспечивающего адгезию последующего сло , слой 4 металла сA layer 3 of material is applied successively onto the welded surfaces of the piezoelectric transducer 1 and the sound duct 2 by vacuum spraying; the layer 4 of the metal is adhered to
высокой электропроводностью, например меди, не образуюгДий эвтектики с индием и серебром, слой 5 серебра и слой 6 инди .high electrical conductivity, such as copper, does not form an eutectic with indium and silver, silver layer 5 and indium layer 6.
Собранный узел устанавливают в вакуум5 ную установку, нагревают и провод т диффузионную сварку. Благодар дополнительному промежуточному слою металла с высокой электропроводностью, не образующему высокоомной эвтектики с индием и 10 серебром, снижаетс омическое сопротивлеиие зоны соединени .The assembled assembly is installed in a vacuum unit, heated and diffusion welded. Due to the additional intermediate layer of metal with high electrical conductivity, which does not form a high-resistivity eutectic with indium and 10 silver, the ohmic resistance of the bonding zone is reduced.
Пример. В качестве материалов звукопровода используют молибдат свинца,Example. Lead molybdate is used as a sound duct.
15 а-кварц, йодноватую кислоту, стекло ТФ-5 и плавленный кварц. Пьезопреобразователи изготовл ют из ниобата лити и йодата лити .15 a-quartz, iodic acid, TF-5 glass and fused quartz. Piezo transducers are made from lithium niobate and lithium iodate.
В качестве подсло в зависимости от используемых материалов берут следующие компоненты: Сг, Мо, Ti, Ni толщиной 200- 1000 А. Дл сварки ниобата лити , а-кварца и стекла ТФ-5 напыл ют подслой Сг или CrNi, а в качестве дополнительногоDepending on the materials used, the following components are taken as a sublayer: Cr, Mo, Ti, Ni 200–1000 A. thick For welding niobate lithium, a-quartz and TF-5 glass, spray Cr or CrNi as an underlayer, and as an additional
25 сло - слой Си. Дл нанесени подсло , слоев меди и серебра свариваемые элементы нагревают до 280-300°С со скоростью 1,5-2 град/мин, после нанесени указанных слоев охлаждают до 100°С дл нанесе30 ни сло инди .25 layer - a layer of C. For the application of the sublayer, the layers of copper and silver, the elements to be welded are heated to 280-300 ° C at a rate of 1.5-2 K / min, after the application of these layers is cooled to 100 ° C to apply 30 layers of indium.
л l
i . .,ГГ-.776820i. ., YY-.776820
л l
Толщина напыл емых слоев следующа :The thickness of the sprayed layers is as follows:
Подслой (Сг), А 500-1000Sublayer (Cr), A 500-1000
Дополнительный слой металлаAdditional metal layer
(медь), мкм0,3-0,4(copper), µm0.3-0.4
Слой серебра, мкм0,3Silver layer, µm0.3
Слой инди , мкм0,4-0,5Indie layer, µm0,4-0,5
Сварку провод т в вакууме (10- мм рт. ст.) ири 180-200°С ,нод давлением до 50 кг/см в течение 30 мин. Скорость нагревани свариваемого образца составл ет 1,5-2град/мин. Затем образцы охлаждают до комнатной темнературы со скоростью 1,0-1,5 град/мин.Welding is carried out in vacuum (10 mm Hg. Art.) Iri 180–200 ° C, nodes up to 50 kg / cm pressure for 30 minutes. The heating rate of the sample to be welded is 1.5-2 C / min. Then the samples are cooled to room temperature at a speed of 1.0-1.5 deg / min.
Предлагаемый способ позвол ет снизить омическое сопротивление зоны соединени при сварке пьезопреобразовател с звукопроводом , что приводит к увеличению КПД ньезопреобразовател .The proposed method makes it possible to reduce the ohmic resistance of the joint zone when welding a piezoelectric transducer with a duct, which leads to an increase in the efficiency of a non-transducer.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782668904A SU776820A1 (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782668904A SU776820A1 (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU776820A1 true SU776820A1 (en) | 1980-11-07 |
Family
ID=20787211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782668904A SU776820A1 (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU776820A1 (en) |
-
1978
- 1978-06-28 SU SU782668904A patent/SU776820A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3206698A (en) | Electro-mechanical delay line having ferroelectric transducer bonded to solid delay medium | |
JPS5719076B2 (en) | ||
ATE42610T1 (en) | PIEZO-CERAMIC VALVE PLATE FOR A LOW-PRESSURE INJECTION VALVE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE. | |
JPS54132187A (en) | Crystal oscillator | |
JPS5846059B2 (en) | semiconductor equipment | |
SU776820A1 (en) | Method of diffusion welding of piesotransducer with sound duct | |
JPS6148136B2 (en) | ||
NL179099C (en) | ELECTRODE CONSTRUCTION AND TELEVISION RECEPTION TUBE EQUIPPED WITH SUCH ELECTRODE CONSTRUCTION. | |
JPS56142633A (en) | Forming method for back electrode of semiconductor wafer | |
US3265473A (en) | Metalized ceramic members | |
JPS62172676A (en) | Terminal attachment to the material which is hard to be soldered | |
JPS5713784A (en) | Bimorph piezoelectric element | |
JPS587998A (en) | Ultrasonic transducer structure material | |
JPS58182839A (en) | Semiconductor device | |
JPS5854368B2 (en) | liquid crystal display device | |
SU732606A1 (en) | Seal | |
JPS556245A (en) | Thermister bolometer | |
JPS5928070B2 (en) | semiconductor displacement transducer | |
JPS6345869A (en) | Organic photoelectric transducer | |
JPH0629769A (en) | Chip type electronic parts | |
JPS587704Y2 (en) | surface acoustic wave device | |
JPS61267023A (en) | Acoustooptic element | |
JPS601853A (en) | Leadframe for semiconductor | |
JPH06328242A (en) | Heating tool | |
JPS5660035A (en) | Semiconductor device |