SU769834A1 - Устройство дл осождени слоев из газовой фазы - Google Patents

Устройство дл осождени слоев из газовой фазы Download PDF

Info

Publication number
SU769834A1
SU769834A1 SU782653457A SU2653457A SU769834A1 SU 769834 A1 SU769834 A1 SU 769834A1 SU 782653457 A SU782653457 A SU 782653457A SU 2653457 A SU2653457 A SU 2653457A SU 769834 A1 SU769834 A1 SU 769834A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reactor
substrates
axis
tubes
layers
Prior art date
Application number
SU782653457A
Other languages
English (en)
Inventor
Б.З. Кантер
А.В. Кожухов
Original Assignee
Институт Физики Полупроволников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроволников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроволников Со Ан Ссср
Priority to SU782653457A priority Critical patent/SU769834A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU769834A1 publication Critical patent/SU769834A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Description

,жностью перемещени  в вертикальной плоскости синфаэно,а в горизонтальной плоскости-противофазно.
На фиг. 1 представлена схема реактора; на фиг. 2 - кинематическа  схема перемещаемого механизма.
Реактор 1 разметен внутри нагрева (Тел  2 (печь сопротивлени ). Шлюзовые камеры 3 обеспечивают герметичность рабочего пространства реакт.ора и подачу полупроводниковых подложек 4 в реактор, а также выгрузку подложек из реактора. Во врем  перемещени  через рабочую камеру подложки совершают поступательное и одновременно вращательное движение вокруг собственной оси. Средство дл  перемещени  состоит из подвижных трубок 5, неподвижной трубки 6 и кривсааипно-шатунного механизма 7, которий приводитс  в движение от мотора 8. К трубкам 5 по всей длине приварены ограничители 9, которые не позвол ют подложкам уходить в сторону от оси реактора. Ограничители 9, приваренные по всей длине к трубке б, обеспечивают устойчивость подложек во врем  холостого хода перемещающегос  устройства.
На фиг. 1 и 2 подвижные трубки 5 показаны в крайнем верхнем (рабочем) положении. Механизмы 7 с противоположных сторон реактора работают синхронно .
Весь кривс аипно-шатунный механизм и герметичный ввод вращени  от вала мотора расположены в камере 10, котора  стоит между реактором 1 и шлюзовыми камерами 3. Герметичность обеспечиваетс  специальными уплотнени ми .
Устройство работает следуквдим образом .
При вращении вала мотора 8 оба плеча преобразовател  поднимаютс  и опускаютс  одновременно, так как ось преобразовател  расположена вертикально и жестко закреплена. Одновременно поднимаютс  и опускаютс  крайние трубки 5. На уровне середины . траектоЕ 1И подвижных трубок расположена неподвижна  трубка б, на которую опускаетс  подложка, когда подвижные трубки 5 наход тс  ниже среднего уровн . Врем  прохождени  подвижных трубок ниже неподвижной опоры - это врем  холостого хода, когда подложка находитс  в покое, а крайние трубки возвращаютс  в исходное положение.
Кагжда  точка плеч преобразовател  совершает движение по траектории в форме эллипса или окружности (в зависимости от рассто ни  до оси преобразовател ) . Горизонтальные составл ющие ТЕ аектории (вдоль оси реактора ) дл  точек, расположенных с разных сторон от оси, имеют противоположные направлени . Соответственно подвижные трубки в направлении оси реактора движутс  в противофазе, что приводит к повороту подложки на некоторый угол во врем  рабочего хода трубок, Во врем  холостого хода трубки возвращаютс  в исходное положение и цикл повтор етс . За некоторое число циклов подложка совершает полный оборот вокруг своей оЪи.
Подвижные трубки расположены на разных рассто ни х от оси преобразовател  . Амплитуды перемещени  трубок вдоль оси реактора различны в разных направлени х. Это приводит к шаговому поступательному перемещению подложек вдоль оси реактора в направлении движени  трубки с большей амплитудой во врем  рабочего хода.
Таким образом, подложки перемещаютс  вдоль оси реактора и одновременно вращаютс  вокруг своей оси.
Разброс времени прохождени  подложек весь реактор составл ет не более ±.3%. Подложки примен лись со срезом дл  определени  кристаллографических направлений. Измерени  стабильности скорости движени  прх водились при температуре .
Описанный процесс перемещени  подложек через реакционную камеру исключает возможность загр знени  рабочей зоны реактора из средства перемещени , так как элементы последнего совершают колебательные движени  с небольшой с1мплитудой (3-10 к®л) В то же врем  подложки при движении вращаютс , что обеспечивает равномерное осаждение слоев, так как исключаютс  эффекты, обусловленные радиальной неоднородностью распределени  температуры и газового потока.
Предложенный реактор был выполнен дл  осаждени  слоев нитрида кремни  толщиной 1000А на кремниевые подложки диаметром 40 мм. Осаждение нитрида кремни  проводитс  в результате взаимодействи  силана и в потоке газа-носител -аргона при температуре 700-850С. Давление - атмосферное . Трубки устройства перемещени  подложек через реактор выполнены из кварца.
Производительность непрерывно работакадего реактора составл ет дл  данного процесса 30-50 подложек в1 ч. Скорость перемещени  подложек можно перестраивать (максимальна  производительность до 200 подложек в 1ч.), неравномерность толщины сло  нитрида кремни  не превышает 5%
Предложенна  конструкци  реактора может быть использована дл  непрерывного осаждени  слоев диэлектриков, полупроводников и металлов из газообразных соединений с активацией процесса нагревом, электрическим разр дом или излучением. Реактор может быть использован дл  газового травлени  полупроводниковых материалов и дл  плазмохимического травлени 

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Устройство для осаждения слоев из 20 газовой фазы, включающее горизонтальный трубчатый реактор, внутри которого размещены средства для непрерыв ного поступательного перемещения подложек, шлюзовые камеры, установленные по торцам реак~ора, для ввода и вывода подложек, средства для ввода и вывода газов и нагреватель, отличающеес я тем, что, с целью повышения чистоты процесса и улучшения однородности осаждаемых слоев путем одновременного поступательного перемещения и вращения подложек в реакторе, средство для их перемещения выполнено из трех трубок, установленных параллельно оси реактора, средняя из которых неподвижна, а две крайние с помощью кривошипношатунных механизмов установлены с возможностью перемещения в вертикальной плоскости синфазно, а в горизонтальной плоскости - противофазно
SU782653457A 1978-07-20 1978-07-20 Устройство дл осождени слоев из газовой фазы SU769834A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782653457A SU769834A1 (ru) 1978-07-20 1978-07-20 Устройство дл осождени слоев из газовой фазы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782653457A SU769834A1 (ru) 1978-07-20 1978-07-20 Устройство дл осождени слоев из газовой фазы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU769834A1 true SU769834A1 (ru) 1981-09-07

Family

ID=20780832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782653457A SU769834A1 (ru) 1978-07-20 1978-07-20 Устройство дл осождени слоев из газовой фазы

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU769834A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2571547C2 (ru) * 2011-04-07 2015-12-20 Пикосан Ой Реактор для осаждения с плазменным источником

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2571547C2 (ru) * 2011-04-07 2015-12-20 Пикосан Ой Реактор для осаждения с плазменным источником

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4062318A (en) Apparatus for chemical vapor deposition
US4926793A (en) Method of forming thin film and apparatus therefor
JP3581388B2 (ja) 均一性が向上した堆積ポリシリコン膜と、そのための装置
US4389973A (en) Apparatus for performing growth of compound thin films
US4263872A (en) Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates
KR930006605B1 (ko) 하나이상의 원통형 부재의 외측 표면상에 재료층을 부착하는 방법
US3608519A (en) Deposition reactor
US3408982A (en) Vapor plating apparatus including rotatable substrate support
US10508333B2 (en) Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same
EP0164928A2 (en) Vertical hot wall CVD reactor
SU769834A1 (ru) Устройство дл осождени слоев из газовой фазы
JPH0786173A (ja) 成膜方法
JP2882605B2 (ja) 歪み層超格子構造の連続成長方法
WO2018210273A1 (zh) 一种具有同一等离子体源的原子层沉积装置及方法
CN115928050A (zh) 一种横流式薄膜沉积反应器
JPS6281019A (ja) 縦形気相化学生成装置
JP2683671B2 (ja) 半導体基板への成膜方法及び成膜装置
JPH04171944A (ja) 気相エピタキシャル成長装置
JPS63147894A (ja) 気相成長方法と縦型気相成長装置
KR100407508B1 (ko) 비회전형 박막 형성 장치
SU1074161A1 (ru) Устройство дл газовой эпитаксии полупроводниковых соединений
JP3163343B2 (ja) 半導体製造装置
JPH04154117A (ja) 減圧cvd装置
CN117926209A (zh) 回转式mocvd设备
JPS63300512A (ja) 気相成長装置