SU769834A1 - Устройство дл осождени слоев из газовой фазы - Google Patents
Устройство дл осождени слоев из газовой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- SU769834A1 SU769834A1 SU782653457A SU2653457A SU769834A1 SU 769834 A1 SU769834 A1 SU 769834A1 SU 782653457 A SU782653457 A SU 782653457A SU 2653457 A SU2653457 A SU 2653457A SU 769834 A1 SU769834 A1 SU 769834A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reactor
- substrates
- axis
- tubes
- layers
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
,жностью перемещени в вертикальной плоскости синфаэно,а в горизонтальной плоскости-противофазно.
На фиг. 1 представлена схема реактора; на фиг. 2 - кинематическа схема перемещаемого механизма.
Реактор 1 разметен внутри нагрева (Тел 2 (печь сопротивлени ). Шлюзовые камеры 3 обеспечивают герметичность рабочего пространства реакт.ора и подачу полупроводниковых подложек 4 в реактор, а также выгрузку подложек из реактора. Во врем перемещени через рабочую камеру подложки совершают поступательное и одновременно вращательное движение вокруг собственной оси. Средство дл перемещени состоит из подвижных трубок 5, неподвижной трубки 6 и кривсааипно-шатунного механизма 7, которий приводитс в движение от мотора 8. К трубкам 5 по всей длине приварены ограничители 9, которые не позвол ют подложкам уходить в сторону от оси реактора. Ограничители 9, приваренные по всей длине к трубке б, обеспечивают устойчивость подложек во врем холостого хода перемещающегос устройства.
На фиг. 1 и 2 подвижные трубки 5 показаны в крайнем верхнем (рабочем) положении. Механизмы 7 с противоположных сторон реактора работают синхронно .
Весь кривс аипно-шатунный механизм и герметичный ввод вращени от вала мотора расположены в камере 10, котора стоит между реактором 1 и шлюзовыми камерами 3. Герметичность обеспечиваетс специальными уплотнени ми .
Устройство работает следуквдим образом .
При вращении вала мотора 8 оба плеча преобразовател поднимаютс и опускаютс одновременно, так как ось преобразовател расположена вертикально и жестко закреплена. Одновременно поднимаютс и опускаютс крайние трубки 5. На уровне середины . траектоЕ 1И подвижных трубок расположена неподвижна трубка б, на которую опускаетс подложка, когда подвижные трубки 5 наход тс ниже среднего уровн . Врем прохождени подвижных трубок ниже неподвижной опоры - это врем холостого хода, когда подложка находитс в покое, а крайние трубки возвращаютс в исходное положение.
Кагжда точка плеч преобразовател совершает движение по траектории в форме эллипса или окружности (в зависимости от рассто ни до оси преобразовател ) . Горизонтальные составл ющие ТЕ аектории (вдоль оси реактора ) дл точек, расположенных с разных сторон от оси, имеют противоположные направлени . Соответственно подвижные трубки в направлении оси реактора движутс в противофазе, что приводит к повороту подложки на некоторый угол во врем рабочего хода трубок, Во врем холостого хода трубки возвращаютс в исходное положение и цикл повтор етс . За некоторое число циклов подложка совершает полный оборот вокруг своей оЪи.
Подвижные трубки расположены на разных рассто ни х от оси преобразовател . Амплитуды перемещени трубок вдоль оси реактора различны в разных направлени х. Это приводит к шаговому поступательному перемещению подложек вдоль оси реактора в направлении движени трубки с большей амплитудой во врем рабочего хода.
Таким образом, подложки перемещаютс вдоль оси реактора и одновременно вращаютс вокруг своей оси.
Разброс времени прохождени подложек весь реактор составл ет не более ±.3%. Подложки примен лись со срезом дл определени кристаллографических направлений. Измерени стабильности скорости движени прх водились при температуре .
Описанный процесс перемещени подложек через реакционную камеру исключает возможность загр знени рабочей зоны реактора из средства перемещени , так как элементы последнего совершают колебательные движени с небольшой с1мплитудой (3-10 к®л) В то же врем подложки при движении вращаютс , что обеспечивает равномерное осаждение слоев, так как исключаютс эффекты, обусловленные радиальной неоднородностью распределени температуры и газового потока.
Предложенный реактор был выполнен дл осаждени слоев нитрида кремни толщиной 1000А на кремниевые подложки диаметром 40 мм. Осаждение нитрида кремни проводитс в результате взаимодействи силана и в потоке газа-носител -аргона при температуре 700-850С. Давление - атмосферное . Трубки устройства перемещени подложек через реактор выполнены из кварца.
Производительность непрерывно работакадего реактора составл ет дл данного процесса 30-50 подложек в1 ч. Скорость перемещени подложек можно перестраивать (максимальна производительность до 200 подложек в 1ч.), неравномерность толщины сло нитрида кремни не превышает 5%
Предложенна конструкци реактора может быть использована дл непрерывного осаждени слоев диэлектриков, полупроводников и металлов из газообразных соединений с активацией процесса нагревом, электрическим разр дом или излучением. Реактор может быть использован дл газового травлени полупроводниковых материалов и дл плазмохимического травлени
Claims (1)
- Формула изобретенияУстройство для осаждения слоев из 20 газовой фазы, включающее горизонтальный трубчатый реактор, внутри которого размещены средства для непрерыв ного поступательного перемещения подложек, шлюзовые камеры, установленные по торцам реак~ора, для ввода и вывода подложек, средства для ввода и вывода газов и нагреватель, отличающеес я тем, что, с целью повышения чистоты процесса и улучшения однородности осаждаемых слоев путем одновременного поступательного перемещения и вращения подложек в реакторе, средство для их перемещения выполнено из трех трубок, установленных параллельно оси реактора, средняя из которых неподвижна, а две крайние с помощью кривошипношатунных механизмов установлены с возможностью перемещения в вертикальной плоскости синфазно, а в горизонтальной плоскости - противофазно
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782653457A SU769834A1 (ru) | 1978-07-20 | 1978-07-20 | Устройство дл осождени слоев из газовой фазы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782653457A SU769834A1 (ru) | 1978-07-20 | 1978-07-20 | Устройство дл осождени слоев из газовой фазы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU769834A1 true SU769834A1 (ru) | 1981-09-07 |
Family
ID=20780832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782653457A SU769834A1 (ru) | 1978-07-20 | 1978-07-20 | Устройство дл осождени слоев из газовой фазы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU769834A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
-
1978
- 1978-07-20 SU SU782653457A patent/SU769834A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4062318A (en) | Apparatus for chemical vapor deposition | |
US4926793A (en) | Method of forming thin film and apparatus therefor | |
JP3581388B2 (ja) | 均一性が向上した堆積ポリシリコン膜と、そのための装置 | |
US4389973A (en) | Apparatus for performing growth of compound thin films | |
US4263872A (en) | Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates | |
KR930006605B1 (ko) | 하나이상의 원통형 부재의 외측 표면상에 재료층을 부착하는 방법 | |
US3608519A (en) | Deposition reactor | |
US3408982A (en) | Vapor plating apparatus including rotatable substrate support | |
US10508333B2 (en) | Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same | |
EP0164928A2 (en) | Vertical hot wall CVD reactor | |
SU769834A1 (ru) | Устройство дл осождени слоев из газовой фазы | |
JPH0786173A (ja) | 成膜方法 | |
JP2882605B2 (ja) | 歪み層超格子構造の連続成長方法 | |
WO2018210273A1 (zh) | 一种具有同一等离子体源的原子层沉积装置及方法 | |
CN115928050A (zh) | 一种横流式薄膜沉积反应器 | |
JPS6281019A (ja) | 縦形気相化学生成装置 | |
JP2683671B2 (ja) | 半導体基板への成膜方法及び成膜装置 | |
JPH04171944A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
JPS63147894A (ja) | 気相成長方法と縦型気相成長装置 | |
KR100407508B1 (ko) | 비회전형 박막 형성 장치 | |
SU1074161A1 (ru) | Устройство дл газовой эпитаксии полупроводниковых соединений | |
JP3163343B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH04154117A (ja) | 減圧cvd装置 | |
CN117926209A (zh) | 回转式mocvd设备 | |
JPS63300512A (ja) | 気相成長装置 |