SU764977A1

SU764977A1 - Manipulator for measuring barrier caracitances of surface-barrier structures

Info

Publication number: SU764977A1
Application number: SU782637841A
Authority: SU
Inventors: Виктор Алексеевич Преснов; Олег Петрович Канчуковский; Лидия Васильевна Мороз; Александр Леонидович Шенкевич
Original assignee: Одесский государственный университет им.И.И.Мечникова
Priority date: 1978-07-07
Filing date: 1978-07-07
Publication date: 1980-09-23

Description

1one

Изобретение относитс к электронной технике , непосредственно дл измерени барьерных емкостей (менее 0,3 пФ) поверхностнобарьерных структур. Манипул тор может быть применен на препри ти х, занимающихс изготовлением и исследованием поверхностно-барьерных структур, имеющих малые барьерные емкости.The invention relates to electronic technology, directly for measuring barrier capacitances (less than 0.3 pF) of surface barrier structures. The manipulator can be applied to enterprises engaged in the manufacture and study of surface barrier structures with small barrier capacitances.

Известен манипул тор дл измерени электрических параметров полупроводниковых структур, содержащий пьедестал и контактный зонд 1.A known manipulator for measuring the electrical parameters of semiconductor structures, comprising a pedestal and a contact probe 1.

Однако этот манипул тор не позвол ет измер ть барьерные емкости поверхностнобарьерных структур.However, this manipulator does not allow measurement of the barrier capacitances of surface barrier structures.

Наиболее близким устройством вл етс манипул тор дл измерени барьерных емкостей поверхностно-барьерных структур , содержащий металлизированный подвижный пьедестал, на котором устанавливаетс с поверхностно-барьерными структурами полупроводникова пластина, оптическим контактом к пьедесталу и контактный зонд 2.The closest device is a manipulator for measuring the barrier capacitances of surface barrier structures containing a metallized mobile pedestal on which a semiconductor plate is installed with the surface barrier structures, an optical contact to the pedestal and a contact probe 2.

Недостатки манипул тора следующие: наличие паразитной емкости пор дка 0,3 пФ между контактным зондом и полупроводниковой пластиной понижает точность измерени и не позвол ет измерить барьерные емкости менее 0,3 пФ.The disadvantages of the manipulator are the following: the presence of a parasitic capacitance of about 0.3 pF between the contact probe and the semiconductor plate reduces the measurement accuracy and does not allow for measuring the barrier capacitances of less than 0.3 pF.

Цель изобретени - повыщение точности измерений за счет уменьщени паразитной 5 емкости -достигаетс тем, что над полупроводниковой пластиной расположен заземленный электрод, размером не менее величины пластины и жестко св занный с пьедесталом , имеющий две взаимно перпендикул рные щели дл контактного зонда. Паразит0 на емкость между полупроводниковой пластиной и контактным зондом практически отсутствует , так как они разделены заземленным электродом.The purpose of the invention is to increase the measurement accuracy by reducing the parasitic 5 capacitance — achieved by the fact that a grounded electrode is located at least the size of the plate and rigidly connected to the pedestal, having two mutually perpendicular gaps for the contact probe. Parasite0 on the capacitance between the semiconductor plate and the contact probe is practically absent, since they are separated by a grounded electrode.

На фиг. 1 изображен общий вид предлагаемого манипул тора; на фиг. 2 - то же, вид сверху.FIG. 1 shows a general view of the proposed manipulator; in fig. 2 - the same, top view.

Предлагаемый манипул тор содержит подвижный пьедестал 1, на котором расположена полупроводникова пластина 2 с поверхностно-барьерными структурами 3, рас20 положенными на полупроводниковой пластине; контактный зонд 4, осуществл ющий контакт с измер емой поверхностно-барьерной структурой; заземленный электрод 5, размером не менее размера пластины, имеюThe proposed manipulator contains a movable pedestal 1, on which the semiconductor wafer 2 is located with surface-barrier structures 3 placed on the semiconductor wafer; a contact probe 4 that makes contact with the measured surface barrier structure; grounded electrode 5, no less than the size of the plate, I have

Claims

Claim

Manipulator for measuring the barrier capacities of surface-barrier structures, containing a metallized movable pedestal, on which a semiconductor wafer is mounted with surface-barrier structures by ohmic contact to the pedestal and a contact probe, characterized in that, in order to increase the measurement accuracy by reducing stray capacitance, over a semiconductor wafer is a grounded electrode, not less than the size of the wafer, rigidly connected to the pedestal and having two mutually perpendicular bright slots for the contact probe.