SU1377787A1 - Device for measuring hall electromotive force in space-charge region - Google Patents

Device for measuring hall electromotive force in space-charge region Download PDF

Info

Publication number
SU1377787A1
SU1377787A1 SU853957289A SU3957289A SU1377787A1 SU 1377787 A1 SU1377787 A1 SU 1377787A1 SU 853957289 A SU853957289 A SU 853957289A SU 3957289 A SU3957289 A SU 3957289A SU 1377787 A1 SU1377787 A1 SU 1377787A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
potential
hall
charge region
current
reliability
Prior art date
Application number
SU853957289A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Варфоломеевич Худяков
Сергей Михайлович Кубашев
Людмила Алексеевна Стерхова
Сергей Владимирович Николаев
Original Assignee
Физико-Технический Институт Со Специальным Конструкторским Бюро И Опытным Производством Уральского Научного Центра Ан Ссср
Устиновский механический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физико-Технический Институт Со Специальным Конструкторским Бюро И Опытным Производством Уральского Научного Центра Ан Ссср, Устиновский механический институт filed Critical Физико-Технический Институт Со Специальным Конструкторским Бюро И Опытным Производством Уральского Научного Центра Ан Ссср
Priority to SU853957289A priority Critical patent/SU1377787A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1377787A1 publication Critical patent/SU1377787A1/en

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к магнитным измерени м и позвол ет повысить надежность и достоверность измерений. Холловские, потенциальные и токовые электроды (Э) 3, 2 и 4 расположены на изол ционной пластине 1. Потенциальный Э 7 расположен над полупроводниковой пластиной (П) 6. На токовые Э 4 подаетс  переменное напр жение, которое наводит в П 6 высокочастотный ток, протекающий в плоскости П 6. Одновременно создают электростатическое поле, перпендикул рное плоскости П 6, путем подачи разности потенциалов между потенциальными Э 2 и 7, установленными с возможностью вертикального перемещени  относительно друг друга а также посто нное магнитное поле. При этом зар ды, протекающие в области пространственного зар да, под действием переменного электрического пол  отклон ютс  к хол- ловским Э 3, где устанавливаетс  переменна  ЭДС Холла. 2 ил. S (ПThe invention relates to magnetic measurements and makes it possible to increase the reliability and reliability of measurements. Hall, potential and current electrodes (E) 3, 2 and 4 are located on an insulating plate 1. Potential E 7 is located above the semiconductor plate (P) 6. On the current E 4 an alternating voltage is applied, which induces in P 6 a high-frequency current, flowing in the P 6 plane. At the same time, an electrostatic field is created, perpendicular to the P 6 plane, by applying a potential difference between potential E 2 and 7, installed with the possibility of vertical movement relative to each other as well as a constant magnetic field. In this case, the charges flowing in the spatial charge region, under the action of an alternating electric field, are deflected to the Hall 3, where the Hall voltage is set. 2 Il. S (P

Description

J 25J 25

/ / / / / /

а -у - Щ , iand - y - i

III 11К/ХУ1/ /Y/j/ЛIIII 11К / ХУ1 / / Y / j / ЛI

X XX x

/ / f  // f

(pt/г. /(pt / g. /

Изобретение относитс  к магнитным измерени м и предназначено дл  измерени  ЭДС Холла в области пространственного зар да полупроводников на стадии промежуточного контрол  в процессе изготовлени  приборов и интегральных схем.The invention relates to magnetic measurements and is intended to measure the Hall voltage in the spatial charge region of semiconductors at the intermediate control stage during the manufacture of devices and integrated circuits.

Цель изобретени  - повьшение надежности и достоверности измерений за счет возможности использовани  одного и того же устройства дл  измерени  серии образцов без нарушени  целостности их и за счет использовани  бесконтактного метода измерений. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.The purpose of the invention is to increase the reliability and validity of measurements due to the possibility of using the same device for measuring a series of samples without disturbing their integrity and by using a non-contact measurement method. FIG. 1 shows the proposed device, side view; in fig. 2 shows section A-A in FIG. one.

Устройство содержит изол ционную пластину 1, первый потенциальный электрод (резистивный) 2, холловские 3 и токовые 4 электроды, держатели 5, размещенные на пластине 1, образец 6 и второй потенциальный электрод 7, наход щийс  в контакте с образцом.The device contains an insulating plate 1, a first potential electrode (resistive) 2, Hall 3 and current 4 electrodes, holders 5 placed on plate 1, sample 6 and the second potential electrode 7 in contact with the sample.

Образец 6 укрепл ют на держател х 5 исследуемой поверхностью к потенци альному электроду 2. При этом электрды 2 и 7 расположены друг под другом и укреплены на штативе (не показан) с возможностью вертикального перемещени  относительно друг друга. Металлизированный электрод 8 опускают до соприкосновени  с образцом и обеспечени  электрического контакта с ним. На токовые электроды 4 подаетс  переменное напр жение, которое из-за емкостной св зи наводит в образце 6Sample 6 is mounted on holders 5 with the test surface to potential electrode 2. In this case, electrodes 2 and 7 are located one under the other and are mounted on a tripod (not shown) with the possibility of vertical movement relative to each other. The metallized electrode 8 is lowered until it touches the sample and makes electrical contact with it. An alternating voltage is applied to the current electrodes 4, which, due to capacitive coupling, induces in sample 6

высокочастотный ток, протекающий в плоскости образца. Одновременно с переменным напр жением создают электростатическое поле, перпендикул рное плоскости образца при подаче разности потенциалов между потенциальными электродами 2 и 7, а также посто нное магнитное поле. При этом зар ды, протекающие в области пространственного зар да, под действием переменного электрического пол  отклон ютс  к холловским электродам 3, где устанавливаетс  измер ема  ЭДС Холла.high frequency current flowing in the plane of the sample. Simultaneously with the alternating voltage, they create an electrostatic field perpendicular to the sample plane when applying a potential difference between potential electrodes 2 and 7, as well as a constant magnetic field. In this case, the charges flowing in the spatial charge region, under the action of an alternating electric field, are deflected to the Hall electrodes 3, where the measured Hall voltage is established.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Устройство дл  измерени  ЭДС Хола в области пространственного зар а , содержащее полупроводниковую пластину и пары холловских, токовых потенциальных электродов, отличающеес  тем, что, с целью повышени  надежности и достоверности измерений, в него введена дополнительна  изол ционна  пластина, с.держател ми образца, на которой расположены холловские и токовые электроды и один из потенциальных электродов, выполненный в виде резистивной пленки , наход щейс  в электрическом контакте с холловскими и токовыми электродами , а другой потенциальный электрод расположен над полупроводниковой пластиной с возможностью вертикального перемещени  дл  обеспечени  электрического контакта с полупроводниковой пластиной.A device for measuring the EMF of the Hol in the spatial charge region, containing a semiconductor plate and a pair of Hall, current potential electrodes, characterized in that, in order to increase the reliability and reliability of measurements, an additional insulating plate is inserted into it, which contains Hall and current electrodes and one of the potential electrodes, made in the form of a resistive film, which is in electrical contact with Hall and current electrodes, and the other potential cial electrode is disposed above the wafer for vertical movement to provide an electrical contact with the wafer. Л-;}L-;} Фиг. 2FIG. 2
SU853957289A 1985-07-09 1985-07-09 Device for measuring hall electromotive force in space-charge region SU1377787A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853957289A SU1377787A1 (en) 1985-07-09 1985-07-09 Device for measuring hall electromotive force in space-charge region

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853957289A SU1377787A1 (en) 1985-07-09 1985-07-09 Device for measuring hall electromotive force in space-charge region

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1377787A1 true SU1377787A1 (en) 1988-02-28

Family

ID=21198711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853957289A SU1377787A1 (en) 1985-07-09 1985-07-09 Device for measuring hall electromotive force in space-charge region

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1377787A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Жарких Ю.С. и др. Иакроэлектро- ника, т. 12, вып. 4, 1983, с. 375. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5773989A (en) Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
DE60029483D1 (en) NON-INVASIVE ELECTRIC MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR DISCS
JPS5979545A (en) Electrostatic chucking device
US5591996A (en) Recirculating charge transfer magnetic field sensor
JPS6482541A (en) Method and device for measuring semiconductor surface
US7741850B2 (en) Electric potential measuring apparatus, and image forming apparatus
DE3787041D1 (en) METHOD FOR DETECTING AND / OR IDENTIFYING A BIOLOGICAL SUBSTANCE BY ELECTRICAL MEASUREMENTS AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS METHOD.
EP0980004B1 (en) Microscopic capacitance measurement system and probing system
SU1377787A1 (en) Device for measuring hall electromotive force in space-charge region
JP2965176B2 (en) Method for evaluating transient characteristics of electrostatic chuck
US6496013B1 (en) Device for testing circuit boards
EP0325453B1 (en) Noninvasive method for characterization of semiconductors
JPH067562B2 (en) Structure of mounting table for prober
US4774472A (en) Apparatus for method to test efficiency of air ionizers and method for determining ability of an air ionizer to sustain a potential difference between an isolated object and a reference potential
JPS5871423A (en) Circuit device for measuring temperature
JP2518301B2 (en) Interval measuring device
JP2004063486A (en) Chuck mechanism for prober
US4213086A (en) Selector device for the determination of the type of electroconductivity in semiconductor wafers
SU1224858A1 (en) Sounding head
JPS62138764A (en) Electrostatic probe
JPH01315153A (en) Wafer-mounting member of prober
US4307337A (en) Method and apparatus for capacitively measuring variations in the nominal distance between a color selection electrode and a display window of a television display tube
SU1003394A1 (en) Device for measuring potential difference
JPH04115545A (en) Probe card
SU1341593A1 (en) Device for measuring potential of charged layers