SU747403A3 - Способ получени кремни -типа проводимости - Google Patents
Способ получени кремни -типа проводимости Download PDFInfo
- Publication number
- SU747403A3 SU747403A3 SU762419003A SU2419003A SU747403A3 SU 747403 A3 SU747403 A3 SU 747403A3 SU 762419003 A SU762419003 A SU 762419003A SU 2419003 A SU2419003 A SU 2419003A SU 747403 A3 SU747403 A3 SU 747403A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- silicon
- neutron flux
- diaphragm
- neutron
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims 1
- 101150109831 SIN4 gene Proteins 0.000 claims 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 claims 1
- 238000012885 constant function Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- -1 such as Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000012237 artificial material Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002251 gadolinium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/165—Transmutation doping
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ п-ТИПА
1
Изобретение относитс к способу получени кремни проводимости с тарельчатой формой профил удельного электрического сопротивлени (р) в радиальном направлении путем облучени тепловыми нейтронами.
В общем существует желание получени стержней монокристаллов кремни дл изготовлени из них полупроводниковых элементов, в которых в их радиальном направлении имеютс очень однородные значени сопротивлеии .
Дл изготовлени специальных полупроводниковых элементов, как например , запирающих силовых тиристоров большой площади, в которых стрем тс переместить лавинный пробой с кра диска на его середину, желательно иметь кристаллы кремни , которые при однородном J3 в середине диска, имеют в краевой зоне повышение удельного электрического сопротивлени / - (тарельчатой формы - профиль распределени удельного сопротивлени диска кристалла кремни ). Это означает то, что распределение легирующей примеси в радиальном направлении в краевых зонах кристалла кремни ниже по :а5авнению со средними зонами. ПРОВОДИМОСТИ
Из статьи 1 известно, что кристаллы кремни , обладающие однородной проводимостью, могут быть изготовлены путем облучени тепловыми нейтронами , причем имеющийс в кремнии природный изотоп 30s{ переходит при прин тии теплового нейтрона и отдачи f-излучени в нестабильный изотоп 31 который при - излучении с. периодом
10 полураспада 2,62 часа переходит в стабильный изотоп фосфора 31p. При так называемом радиогенном легировании кремни по реакции
30g. (п,у)- 3lgi - 31р
15
имеетс следующа проста взаимозависимость (при условии полного затухани и пренебрежени выгоранием
аэ
из-за его незначительности):
30,
si Ср 2-О-10 - Ф t,
где Ср - концентраци фосфора в
атом/см, Ф - поток тепловых нейтроиов в
25
нейтрон/см, сек.; t - врем облучени в секундах. Цель изобретени - получениеТарельчатого профил удельного сопротивлени в радиальном направлении
30 кристалла. с jToO целью предложено кристалл в процессе облучени вращать вокрут его продольной оси и направл ть в его середину более интенсивный или менее интенсивный поток нейтронов, чем на его кра . Интенсивность потока нейтронов, направл емого на кристалл , регулируют путем изменени ширины шлицы диафрагмы или использовани мишени требуемого профил или об лучают Есристалл в зоне реактора с не линейным градиентом потока нейтронов Изобретение по сн етс чертежами, где на фиг. 1-9 изображены примеры поведени кристалла кремни в нейтронном поле. Согласно фиг. 1 во врем нейтронного облучени перед вертикально закрепленньтм стержнем кристалла кремни устанавливают щелевидную диафрагму 2 .и кристалл кремни 1 привод т во вра11ение вокруг его продоль ной оси в направлении стрелки 3. При этом примен етс перемещаема .по ширине щели диафрагма 2, сделанна из кадми толщиной 1 мм из боратного стекла. При вращении кристалла кремни 1 средние части 4 наход тс посто нно в зоне параллельного или сла бо расход щегос луча нейтронов 5. Краевые зоны б кристалла кремни 1 облучаютс меньше, поскольку они наход тс под воздействием только рассе нных и диффундированных нейтронов в результате этого создаетс , как видно из фиг. 1, повышение сопротивлени кремни . При этомр-профиль за висит от установленной ширины диафра мы. При применении диафрагмы из кадми толщиной 1 мм происходит почти полное поглощение нейтронов. Во втором случае, как показано на фиг. 2, в соответствии с примером об лучение кристалла кремни 1 производ т в реакторе, например, в реакторе типа Свимминг-Поол (пул), который на фиг. не изображен. Облучение происхо дит в зоне с градиентами потока при вращении кристалла кремни 1 вокруг своей продольной оси в направлении стрелки 3. Часть луча нейтронов 5, котора проходит больший путь в вод 7, тер ет свою интенсивность. В результате вращени , как и в случае фиг. 1, получают ротационно-симметричный р-профиль с подъемом в наруж ных зонах, показанный на фиг. 3. Фиг. 4 изображает характеристику потока нейтронов в кристалле кремни 1 в нейтронном поле с нелинейны ми градиентами потока. При этом по оси абсцисс отложено рассто ние кри талла кремни 1 от поверхности сгор ни стержн в СМ-, по оси ординат относительна концентраци тепловых нейтронов. В другом варианте предмета изобр тени предусматриваетс так же полу Учение р-профил путем управл емого ггьПО - ени луча чдогип,. (/осго щото Э быстрых Н(,ЙТрОНОН , на з кристалла кремни и мишени. При том мишень следует выполн ть в виде замедлител . Р -прОфиль получают блаодар тому, что за счет геометрии ишени на краю создаетс меньшее заедление , В качестве мишени может служить, например, парафин, графит ли т жела вода. Этот вариант показан на фиг. 5, где облучаемый кристалл кремни 1 помещен в трубку 8 и на своей наружной поверхности покрыт, хот бы частично , поглощающим нейтроны материалом , причем кажда из его торцовых сторон закрыта, хот бы частично, поглощающим нейтроны дисками 9 и 10, которые в середине имеют отверсти 11 и 12 соответственно желаемому )-профилю. В качестве поглощающего нейтроны материала может служить боратное стекло, карбид бора, нитрид бора, окись кадми и листовой кадмий и/или искусственные материалы, как, например, полиэтилен с добавлением соединени гадолини или силиконовый каучук, которые нанос тс на соответственную поверхность. Между источником нейтронов 6 и поглощающими дисками 9 и 10 размещены диафрагмирующие трубки 13 и 14 из кадиги или боратного стекла, подобранные по размеру отверсти поглощающих дисков. Выполнение J -профил зависит от различной длины диафрагмирующих трубок 13 и 14, от их внутреннего диаметра и различной толщины поглощающего материала . Это устройство (см. фиг. 5) дл легировани фосфором посредством облучени нейтронами монтируетс в реакторе, который на рисунке не изображен . Изображенное на фиг. 5 устройство может быть выполнено, как показано на фиг. 6. Здесь дл облучени дисков кремни 15,, (причем на рисунке изображена заполненной только одна камера), примен етс открыта с двух концов трубка 8 с несугцими элементами ДЛЯ1 дисков кристалла кремни , которые могут быть выполнены из поглощающего нейтрона материала в виде колец 16. Эти элементы размещаютс на внутренней поверхности трубки 8 на соответственном рассто нии друг от друга. Используемый материал может иметь больший коэффициент поглощени по сравнению с материалом трубки. Путем и-зменени геометрии поглощающи5 частей может дополнительно измен тьс получение атомов фосфора. При толщине поглощени , например, 1 мм (кадг1иевый лист) можно снизить тепловую часть потока нейтронов до значени ниже 1/10.000. На фиг. 7 представлен другой вариант изобретенного способа, в котором поглощающее покрытие 17 нанесено на поверхность кремни н которое мо жет равномерно перемещатьс вдоль стержн кристалла кремни 1 в напра лении 18. При этом J)-профиль может измен тьс по длине поглощающего по крыти . Поглощающее покрытие 17, со сто щее, например, из кадмиевого ли та толщиной 1 мм, перемещаетс вдол стержн из Кристалла кремни 1 во в м облучени таким образом, что лю бой участок поверхности покрыти стержн кристалла кремни 1 остаетс одинаковое врем закрытым поглощающим покрытием. Благодар тому, что кажда краева зона кристалла кремни 1 при равномерном движении погло тающего покрыти 17 вдоль стержн кристалла кремни 1 имеет равные услови облучени , создаетс желаемый тарельчатый Р -профиль (см.фиг.3) Можно также во врем облучени нейтронами перемещать вместо поглощающего покрыти 17 стержень кристалла кремни 1. Ниже изобретение по сн етс дополнительно с помощью фиг. 8 и 9 и примера, где на фиг. 8 изображено в схематическом виде устройство в соЪтветствии с предметом изобретени , состо щее из системы с двум диафраг мами, перед стержнем кристалла кремни , а на фиг. 9 показано устройство из нескольких систем диафрагм, устанавливаемое с наружней поверхности облучаемого стержн кристалла кремни 1. Из фиг. 8 можно видеть, что в облучаемом стержне кристалла кремни 1 можно различить три зоны (зона 1, ограничение угла видимости проводитс исключительно за счет диафрагмы 19; зона 2, угол ограничен кромкой диафрагмы 19 и диафрагмы 20; зона 3, ограничение осуществл етс только диафрагмой 20). Предложив изотропное распределение нейтронов в пространстве 21, отношение плотности потока нейтронов в точке (X, У) (в стержне кристалла кремни 1) к плотности потока нейтро нов в пространстве 21 задано углом видимости Л/25Г. Расчет соответственн трем возможным случа м следует прово дить раздельно. Зона 1:
Claims (4)
- имеет место при условии полного заПри переводе в пол рные- (1.1 X г -у г gb((d i-rsinp; ГС tan г 2d r&mP d -Ъ Зона 3: аналогично 1 -агсЫп 2bz(dg.sin4) ,rstn P -d2-b Зона 2. (((2 (X -anrtan ;с.ЧГ2Т --t«nt ( j I АцаФрагм д агс4о|п - arctan у -v. arclan (,)(,),) атап (.dQ ( Х-ьЬЛСЬг-х) (ytd,)(y4d2; 4(.)tX(.da-ol.)b, (d,+dj)x(b,-bj + ol,d,-b,b,carc-tan SinPCbi-tb2)trcoS-P()+b-,d2.b;di r rsinP()+rcoSP(b,-bj,)d,,b Искомый легированный профиль f(Г) лучаем путем усреднени всех углов ( - вращение кристалла кремни 1). ZK f (г) J (.(г,ч) ачз. Цифровой расчет был проведен дл зличной.формы щелей и стержн криалла с радиусом 25 мм. При этом едполагались две одинаковые систе . Получение абсолютного значени н:5,ентрации легировани можно полуть путем замены плотности потока йтронов Ф в обычном уравнении на f (г) . Кроме того, необходимо учитывать, о при расчете принималось 100% поощение материалом диафрагмы. В том учае, когда 100% поглощени нет, е. % всех нейтронов проходит через териал дифрагмы, то это означает ибавление посто нной функции к У численным профил м, В уравнении тивации следует заменить в этом учае Ф через , 100-х. ф f (г) ТосГ Численный пример: Дл реакции 30g| {nS)тухани 3lgi и пренебрежении выго ниеь 30gj , (поскольку оно слш ком значительно), следующа эависгдаюс Ср 2-05-10 . t. Ф 100-х I где Ср - концентрации фосфора в атом/см2; Ф - поток теплоных нейтронов нейтрон/см.сек,I t - врем облучени в секунд X - пропускаемость материала бленды в %; f (г) - фактор экранировани (см текст). Возьмем дл примера: Ф а 5 102 . t 10 полуоткрытое отверстие диафрагмы 19: Ь., 10 полуоткрытое отверстие диафрагмы20: Ьл 5 рассто ние от середины стержн кристалла кремни до дифрагмы 19: d,, 30 рассто ние от середины стержн кристалла кремни до диафрагмы 320:dg 25 Дл коэффициента поглощени по чаем тогда: радиус (м) концентраци фосфор . атом, см „и Это соответствовало бы снижени легировани на 35% от центра к кр утем подбора других систем диафрагм ли другого материала диафрагм (с еньшим поглощением) это значение ожно легко измен ть в широких мастабах . Кроме ТОГО; не исключаетс возможность проведени однородногооблучени нейтронами кристалла кремни с последующим, дополнительными его облучением . Формула изобретени 1.Способ получени кремни п-ти па проводимости путем облучени монокристалла потоком тепловых нейтронов, отличающийс тем, что, с целью получени тарельчатого профил удельного сопротивлени в радиальном направлении кристалла, последний в процессе.облучени вращают вокруг продольной оси и направл ют в его середину более интенсивный или менее интенсивный поток нейтронов, чем на его кра .
- 2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что интенсивность потока нейтронов, направл емого на кристалл , регулируют путем изменени ширины шлицы диафрагмы,
- 3.Способ поп, 1, отличающийс тем, что интенсивность потока нейтронов, направл емого на кристалл, измен ют путем использовани мишени требуемого профил .
- 4.Способ по п, 1, отличающийс тем, что кристалл облучают в зоне реактора с нелинейным градиентом потока нейтронов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1, О ,Electpochem, Зое. , 1961, 108, р. 171-179 (прототип).My/y- ff -y-) I1920
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2552621A DE2552621C3 (de) | 1975-11-24 | 1975-11-24 | Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit in radialer Richtung tellerförmigem Profil des spezifischen Widerstandes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU747403A3 true SU747403A3 (ru) | 1980-07-23 |
Family
ID=5962486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU762419003A SU747403A3 (ru) | 1975-11-24 | 1976-11-15 | Способ получени кремни -типа проводимости |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4119441A (ru) |
| BE (1) | BE846378A (ru) |
| CA (1) | CA1082574A (ru) |
| DE (1) | DE2552621C3 (ru) |
| SU (1) | SU747403A3 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2753488C2 (de) * | 1977-12-01 | 1986-06-19 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung von n-dotiertem Silicium durch Neutronenbestrahlung |
| US4348351A (en) * | 1980-04-21 | 1982-09-07 | Monsanto Company | Method for producing neutron doped silicon having controlled dopant variation |
| JPS5958866A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | サイリスタ |
| DE3511363A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von bereichen mit einstellbarer, gleichfoermiger dotierung in siliziumkristallscheiben durch neutronenbestrahlung sowie verwendung dieses verfahrens zur herstellung von leistungsthyristoren |
| EP1540048B1 (en) * | 2002-09-19 | 2010-05-12 | Showa Denko K.K. | Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same |
| JPWO2004073057A1 (ja) * | 2003-02-14 | 2006-06-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| US10468148B2 (en) | 2017-04-24 | 2019-11-05 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for neutron transmutation doping of semiconductor wafers |
| RU2646411C1 (ru) * | 2017-06-09 | 2018-03-05 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ получения кремния с изотопическим составом 28Si, 30Si |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3255050A (en) * | 1962-03-23 | 1966-06-07 | Carl N Klahr | Fabrication of semiconductor devices by transmutation doping |
| DE2433991A1 (de) * | 1974-07-15 | 1976-02-05 | Siemens Ag | Verfahren zum dotieren einer halbleiterschicht |
-
1975
- 1975-11-24 DE DE2552621A patent/DE2552621C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-09-20 BE BE170771A patent/BE846378A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-10-12 US US05/731,440 patent/US4119441A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-15 SU SU762419003A patent/SU747403A3/ru active
- 1976-11-19 CA CA266,127A patent/CA1082574A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2552621C3 (de) | 1979-09-13 |
| DE2552621A1 (de) | 1977-05-26 |
| BE846378A (fr) | 1977-01-17 |
| US4119441A (en) | 1978-10-10 |
| CA1082574A (en) | 1980-07-29 |
| DE2552621B2 (ru) | 1979-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU747403A3 (ru) | Способ получени кремни -типа проводимости | |
| US4027051A (en) | Method of producing homogeneously doped n-type Si monocrystals and adjusting dopant concentration therein by thermal neutron radiation | |
| DE102018109361A1 (de) | Einrichtung und Verfahren zur Neutronentransmutationsdotierung von Halbleiterwafern | |
| Gopal et al. | Gamma-ray attenuation coefficient measurements | |
| Hanaoka et al. | The post flare loops observed at the total eclipse of February 16, 1980 | |
| Larson et al. | A comparison of diffuse scattering by defects measured in anomalous transmission and near Bragg reflections | |
| Glaser et al. | Bubble counting for the determination of the velocities of charged particles in bubble chambers | |
| JPS5936819B2 (ja) | ｎ型ド−ピングされたシリコン単結晶の製造方法 | |
| Ozeki et al. | Crystal structure analysis of a hexatungstate by a high-energy x-ray diffraction experiment using an imaging plate Weissenberg camera at the BL04B2 beamline of SPring-8 | |
| Wang et al. | An X-ray focusing monochromator composed of poly-capillary X-ray lenses and highly oriented pyrolytic graphite | |
| Kim et al. | A new neutron transmutation doping system for radial irradiation uniformity | |
| Floux et al. | X-ray emission from laser created plasmas | |
| US4728371A (en) | Method for manufacturing regions having adjustable uniform doping in silicon crystal wafers by neutron irradiation | |
| Haase et al. | Solid state nuclear track detectors: Track forming, stabilizing and development processes | |
| Margolin | Nonlinear propagation of a Bessel light beam of near-breakdown intensity in water | |
| Kubo et al. | X-Ray Study on the Radiation Damage in LiF Crystals | |
| Kinomura | Project 3 Enhancement of research methods for material irradiation and defect analysis (R3P3) | |
| Kudo et al. | Performance of an imaging plate as an x‐ray area detector used for plane‐wave x‐ray diffraction topography | |
| Smirnov et al. | ON ILLUMINATION INDUCED CHANGES IN X-RAY INTENSITY REFLECTIONS FROM CdS MONOCRYSTAL | |
| Marsden et al. | LXXIX. The transformations in the active deposit of actinium | |
| Ipe et al. | Low-energy x-ray dosimetry studies (6 to 16 keV) at SSRL beamline 1-5 | |
| Woodley | Effect of dose on the energy dependence of LiF thermoluminescent radiation dosimeters | |
| Gupta | Conical Two‐Crystal Monochromator for Scattering, Diffraction, and Absorption Cross Section Work with Slow Neutrons | |
| Hankins | ENERGY DEPENDENCE OF ALBEDO NEUTRON DOSIMETERS PLACED ON THE HEAD. | |
| Kessler et al. | TSEE Measurement of the Dose of 90Sr/90Y Beta Radiation Behind Absorbers of Different Atomic Number |