SU736222A1 - Микроэлектронна схема управлени - Google Patents

Микроэлектронна схема управлени Download PDF

Info

Publication number
SU736222A1
SU736222A1 SU782582412A SU2582412A SU736222A1 SU 736222 A1 SU736222 A1 SU 736222A1 SU 782582412 A SU782582412 A SU 782582412A SU 2582412 A SU2582412 A SU 2582412A SU 736222 A1 SU736222 A1 SU 736222A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
base
emitter
collector
control circuit
Prior art date
Application number
SU782582412A
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Витальевич Ерохин
Борис Георгиевич Коноплев
Михаил Федорович Пономарев
Алексей Васильевич Фомичев
Original Assignee
Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова filed Critical Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова
Priority to SU782582412A priority Critical patent/SU736222A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU736222A1 publication Critical patent/SU736222A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в различных устройствах вычислительной техники и дискретной автоматики.
Известна микроэлектронна  схема управлени  регистром сдвига, содержаща  транзисторы разного типа проводимости, источник управл ющих сигналов и триггер регистра сдвига.
Недостатком известного устройства  вл етс  малое быстродействие, обусловленное временем разр да суммарной межэлектродной емкости транзисторов 1 .
Известен цифровой инвертор, содержащий входной транзистор первого типа проводимости и выходной транзистор второго типа проводимости (2) .Недостатком инвертора  вл етс  малое быстродействие, обусловленное временем разр да емкости, равной сумме емкости коллектор-база входного транзистора и база-эмиттер выходного транзистора.
Цель изобретени  - повыпгение быстродействи .
Дл  достижени  пocтaвлeF нoй цели вмикроэлектроннуго схему управлени , содержащую
ВХОДНОЙ транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине первого такта управл ющего двухтактного сигнала, база - к общей шине, а коллектор - к базе выходного транзистора второго типа проводимости , эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к выходной Ш1ше, введены разр дный и ключевой транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с тиной второго такта управл ющего двухтактного сигнала, коллектор - с коллектором разр дного транзистора, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора, и с базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора , а эмиттер - к общей ашне., к которой подсоединены база токозадающего транзистора и змиттер разр дного транзистора.
На чертеже представлена принципиальна  схема.
Она содержит входной транзистор 1 первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к цпше 2 первого такта управл ющего
двухтактного сигнала, база -- к общей шине, а коллектор - к базе выходного транзистора 3 второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к выходной шине, введены разр дный 4 и ключевой 5 транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор 6 первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной 7 второго такта управл ющего даухтактного сигнала, коллектор - с коллектором
разр дного транзистора 4, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 1, и с базой ключевого транзистора 5, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора 3, а эмиттер - к общей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора 6 и эмиттер разр дного транзистора 4.
Устройство работает следуюшим образом.
При подаче первого тактового импульса (ТИ транзистор 1 входит в режим насыщени  и включает выходной транзистор 3, зар жает паразитную ёмкость база-эмиттер 8. Одновременно с этим коллекторна  цепь открытого импульсом ТИ1 транзистора 4 разр жает зар женную ранее тактом ТИ2 емкость 9 р-п-перехода эмиттер-база транзистор 5, закрывает его. В . момент окончани  импульса ТИ1 емкость 8 зар жена, транзисторы 1,3,4 открыты, 5, 6 - закрыты.
После включени  тактового импульса ТИ2 транзистор 6 насыщаетс  и включает транзистор 5, что способствует быстрому разр ду емкости 8. После разр да этой емкости схема готова к приходу следующего тактирующего импульса ТИ1.
Преимуществом предлагаемой схемы управлени  по сравнению с известной  вл етс  повышенное быстродействие, обусловленное уменьшением длительности цикла разр да емкости
р-п-перехода эмиттер-база выходаого транзисгора .
Эксперимент показал, ч го предлагаема  схема уменьшает длительност - фронта разр да емкости на 50%.

Claims (2)

1.За вка Франции N 2131960, кл. G 11 С 19/00 22.12.72.
2.За вка ФРГ № 2643941, кл.Н 01 L 27/06 07.04.77.
W
шшлп.
SU782582412A 1978-02-20 1978-02-20 Микроэлектронна схема управлени SU736222A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782582412A SU736222A1 (ru) 1978-02-20 1978-02-20 Микроэлектронна схема управлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782582412A SU736222A1 (ru) 1978-02-20 1978-02-20 Микроэлектронна схема управлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU736222A1 true SU736222A1 (ru) 1980-05-25

Family

ID=20750099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782582412A SU736222A1 (ru) 1978-02-20 1978-02-20 Микроэлектронна схема управлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU736222A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU736222A1 (ru) Микроэлектронна схема управлени
GB1241746A (en) Buffer circuit for gating circuits
SU466617A1 (ru) Преобразователь напр жени в частоту следовани импульсов
SU963103A1 (ru) Двухтактный динамический регистр сдвига
US4216442A (en) Control circuit for multivibrator
SU1633486A1 (ru) Полевой транзисторный ключ
SU721797A1 (ru) Сравнивающее устройство
SU987810A1 (ru) Преобразователь напр жени в частоту
SU1008906A1 (ru) Реле времени
SU438109A1 (ru) Ключ
SU1083340A1 (ru) Усилитель мощности
SU546015A1 (ru) Формирователь потенциалов дл накопител запоминающего устройства на мдп-транзисторах
JP2689628B2 (ja) ドライバー回路
SU1267619A1 (ru) Аналого-цифровой преобразователь
SU1119171A1 (ru) Транзисторный ключ
SU1552357A1 (ru) Ждущий мультивибратор
SU1026289A1 (ru) Реверсивный мультивибратор
SU1170590A1 (ru) Генератор импульсов
SU1081797A1 (ru) Коммутатор
SU1106017A1 (ru) Высоковольтный коммутатор
SU391726A1 (ru) Ооесо;о2ная
KR870003013Y1 (ko) 바이어스 전압이 필요없는 단안정 멀티 바이브레이터
SU400997A1 (ru) Устройство задержки
SU627571A1 (ru) Управл емый фантастронный генератор
SU374734A1 (ru) ДВУХПОРОГОВОЕ УСТРОЙСТВО^ , •.-.. ,-.. - ,-ioii''!i;:;,>& it''-^...'