SU728165A1 - Magnetic analogue storage element - Google Patents

Magnetic analogue storage element Download PDF

Info

Publication number
SU728165A1
SU728165A1 SU782694266A SU2694266A SU728165A1 SU 728165 A1 SU728165 A1 SU 728165A1 SU 782694266 A SU782694266 A SU 782694266A SU 2694266 A SU2694266 A SU 2694266A SU 728165 A1 SU728165 A1 SU 728165A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
winding
recording
memory element
transfluxor
windings
Prior art date
Application number
SU782694266A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Андреевич Незамаев
Геннадий Иванович Семушенков
Владимир Михайлович Сидоров
Original Assignee
Новосибирский электротехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский электротехнический институт filed Critical Новосибирский электротехнический институт
Priority to SU782694266A priority Critical patent/SU728165A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU728165A1 publication Critical patent/SU728165A1/en

Links

Description

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении аналоговых запоминающих устройств ( временных функций напряжения.The invention relates to the field of automation and computer technology and can be used in the construction of analog storage devices ( temporary voltage functions.

Известен магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий трансфлюксоры, прошитые обмотками записи, установки, строба записи и дифференци- f ально включенными выходными обмотками [1]. В таком элементе памяти характеристика записи информации нереверсивна, т.е, обеспечивается запись сигналов только одной полярности. 'A magnetic analogue memory element is known that contains transfluxors stitched with recording, installation, recording strobe windings and output windings differentially switched on [1]. In such a memory element, the characteristic of recording information is not reversible, that is, only signals of one polarity are recorded. ''

Наиболее близким техническим реше- ’ нием к изобретению является магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий два двухотверстных трансфлюксора прошитых обмотками записи, установки, строба записи, считывания и дифференциально' включенными выходными обмотками, а также два стабилитрона, разноименные электроды которых соединены с одной входной клеммой устройства, а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречно стабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи [21. При записи , ' 2 методом'интегрирования напряжения в таком элементе памяти необходимо наличие двух многовитковых обмоток - записи.The closest technical solution to the invention is a magnetic analog memory element containing two double-hole transfluxers stitched with recording, installation, recording strobe, read windings and output windings differentially switched on, as well as two zener diodes, the unlike electrodes of which are connected to one input terminal of the device and other unlike electrodes are connected to the other input terminal of the device through diodes connected to the zener diodes and corresponding recording windings [21. When recording, the '2 method' of integrating voltage in such a memory element requires two multi-turn windings - recording.

Целью изобретения является упрощение магнитного аналогового элемента памяти.The aim of the invention is to simplify the magnetic analog memory element.

Поставленная цель достигается тем, η что в4 магнитный аналоговый элемент памяти,содержащий сдвоенный трансфлюксор с ‘четырьмя'отверстиями, обмотку запиёи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверс5 тия которого прошиты обмотками считываний и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена ® через одно большое отверстие трансфлюксора: согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стаби_ литрон, одноименные электроды котоэ рых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверстиями.This goal is achieved by η that in a 4 magnetic analog memory element containing a double transfluxor with four openings, a winding tape, an installation winding, a recording gate winding, stitching large openings of the transfluxor, small openings of which are stitched with read windings and output windings differentially switched on , a control winding is introduced, which is connected to the input of the memory element and passed through one large hole of the transfluxor: according to, and through the other, it meets the winding of the recording strobe, and included counter diode and stab_litron, the same electrodes of which are connected to the recording winding, covering the transflux jumper between large holes.

На чертеже представлена принципиальная схема магнитного аналогово3 ''“гто'элёмёнта'' памяти, выполненная согласно изобретению.The drawing shows a schematic diagram of a magnetic analog 3 '' “gto'element” memory, made according to the invention.

Магнитный аналоговый элемент памя.......ти содержит сдвоенный трансфлюксорMagnetic analog memory element ....... te contains dual transfluxor

1, средняя перемычка которого охвачена обмотками установки 2, строба записи 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управления 5 так, что одно большое отверстие она прошивает согласно, а другое — встречно с обмоткой,строба записи, а малые отверстия прошиты обмотками считывания 6 и дифференциально включенными выходными обмотками 7. Начало и конец обмотки управления 5 соединены с входными клеммами элемента памяти, а начало и конец обмотки записи 4 соединены между собой через встречно включенные диод 8 и стабилитрон 9, причём, если начало обмотки записи соединено с анодом дйода, то конец — с анодом стабилитрона.1, the middle jumper of which is covered by the windings of installation 2, the recording strobe 3, records 4, the extreme jumpers are covered by the control winding 5 so that it flashes one large hole according to, and the other is counter-wound with the winding, recording strobe, and the small holes are stitched by read windings 6 and differentially connected output windings 7. The beginning and end of the control winding 5 are connected to the input terminals of the memory element, and the beginning and end of the recording winding 4 are interconnected via counter-connected diode 8 and zener diode 9, and if the beginning the recording winding is connected to the anode of the diode, then the end is connected to the anode of the zener diode.

В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаются в состояние насыщения, соответствующее максимальному значению остаточного потока — Фг . При подёчё в обмотку 3 импульса тока строба записи диод 8 открывается, стабилитрон 9 пробивается и, если ток управления в обмотке 41,-0, сора ного ίIn the process of operation by the installation current pulses through the winding 2, both halves of the transfluxor are set to a saturation state corresponding to the maximum value of the residual flux - Фг. When a current pulse of the recording strobe is fed into the winding 3, the diode 8 opens, the zener diode 9 breaks through and, if the control current in the winding 41, -0 is

ХОдное напряжение на выходной обмотке пропорционально величине тока Гх. При изменении направления тока 1Х напряжение на выходе меняет . полярность.The output voltage on the output winding is proportional to the current value G x . When changing the direction of the current 1 X the voltage at the output changes. polarity.

Предлагаемый элемент памяти обладает реверсивной характеристикой записи,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихся у известного элемента памяти,один диод и один стабилитрон. Обмотка управления 5 выполняется одновитковой. При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента памяти стабилитрон является общим для всего запоминающего устройства,а обмотка управления прошивает последовательно все элементы памяти.The proposed memory element has a reversible recording characteristic, has one record winding 4 with the number of turns, two times less than one winding of the two available memory elements, one diode and one zener diode. The control winding 5 is single-turn. When constructing an analog storage device based on such a memory element, the zener diode is common to the entire storage device, and the control winding flashes all the memory elements in sequence.

Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе памяти меньше в два раза, а общее число витков меньше практически в три раза, чем у известного элемента памяти, то упрощается элемент памяти при той же точности записи.Since the number of diodes and zener diodes in this memory element is less than two times, and the total number of turns is almost three times less than that of a known memory element, the memory element is simplified with the same recording accuracy.

Claims (2)

Изобретение относитс  к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построе нии аналоговых запоминающих устройств временных функций напр жени . Известен магнитный аналоговый элемент пам ти, содержащий трансфлюксоры , прошитые обМотками записи, установки , строба записи и дифференциально включенными,выходными обмотками 1. В таком элементе пам ти характе ристика записи информации нереверсивна , т.е. обеспечиваетс  запись сигналов только одной пол рности. Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  магнит .ный аналоговый элемент пам ти, содержащий два двухотверстных трансфлюксор прошитых обмотками записи, установки, строба записи, считывани  и дифференциально включенными выходными обмотками , а также два стабилитро на, разноименные электроды которых соединены с одной входной клеммой устройства, а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречно стабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи 2, При записи методоминтегрировани  напр жени  в таком элементе пам ти необходимо наличие двух многовитковых обмоток записи. Целью изобретени   вл етс  упрощение магнитного аналогового элемента пам ти. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в магнитный аналоговый элемент пам ти,сбйержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьм отверсти ми, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверсти  трансфлюксора, малые отверсти  которого прошиты обмотками считы-, ваниЯ и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управлени , котора  подключена к входу элемента пам ти и пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора; согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон , одноименные электроды которых подключены к обмотка записи, охватывающей перемыггку -трансфлюксора между большими отверсти ми. На чертеже представлена прин мпиальна  схема магнитного аналогово го элёмёнта пам ти , выполненна  согласно изобретению. Маг.нитный аналоговый элемент пам  тй содержит сдвоенный трансфлюксор 1, средн   перемычка которого охвачена обмотками установки 2, строба эап11си 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управлени  5 так, что одно большое отверстие она прошивает согласно, а другое - встре цо с обмоткой(строба записи, а малые отверсти  прошиты обмотками считывани  6 и дифференциально включенными выходными обмотками 7, Начало и конец обмотки управлени  5 соединены с входными клеммами элемента пам ти, а начало и конец обмотки записи 4 соединены между собой через встречно включенные диод 8 и стабилитрон 9 причём, если начало об1«ютки записи соединено с анодом диода, то конец - с анодом стабилитрона. . В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаютс  в со сто ние насыщени , соответствующее максимальному значению остаточно го потока - Фг . При подйчё в обмотк 3 импульса тока строба записи диод 8 открываетс , стабилитрон 9 пробива етс  и, если ток управлени  в обмотк 41 О, в обеих половинах трансфлюксора устанавливаетс  значение магнит ного потока Ф -Ф -bik ° - iw где и,, - напр жение стабилизации стабилитрона; - длительность импульса ток строба записи; W - число витков обмотки записи 4. При этом г в этом случае при ГУ - О в обеих половинах трансфлюксора устанавливаетс  значение магнитного потока, соответствующее -середине рабочего диапазона; Поскольку выходна  обмотка 7 включена по дифференциальной схеме, средне значение выходного напр жени  на осн йой частоте равно нулю. Если ток уп равлени  1 О, то подача импульса тока строба записи в обмотку 3 ведет к неодинаковой разблокировке половин трансфлюксора и при считывании выхЬдное напр жение на выходной обмотке пропорционально величине тока Г„ . При изменении направлени  тока I, напр жение на выходе мен ет пол рность. Предлагаемый элемент пам ти обладает реверсивной характеристикой запи ,си,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихс  у известного элемента пам ти,один диод и один стабилитрон. Обмотка управлени  5 выполн етс  одновитковой. При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента пам ти стабилитрон  вл етс  общим дп  всего запоминающего устройства,а обмотка управлени  прошивает последовательно все элементы пам ти. Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе пам ти меньше в два раза, а общее число витков меньд1е практически в три раза, чем у известного элемента пам ти, то упрощаетс  элемент пам ти при той же точности записи. Формула изобретени  Магнитный аналоговый элемент пам ти , содержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьм  отверсти ми, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверсти  трансфлюксора, малые отверсти  которого прошиты обмотками считывани  и дифференциально включенными выходными отмобками, отличающий с   тем, что, с целью упрощени  элемента пам ти, в него введены обмотка управленг  , котора  подключена к входу элемента пам ти   пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверсти ми . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 396720, кл.С 11 С 27/00, 1974. The invention relates to the field of automation and computer technology and can be used in the construction of analog storage devices of temporary voltage functions. A magnetic analog memory element is known that contains transfluxors stitched with recording, installation, recording strobe and differential-switched, output windings 1. In such a memory element, information recording behavior is irreversible, i.e. Only one polarity of signals is recorded. The closest technical solution to the invention is a magnet. An analogue memory element containing two two-hole transfluxor flashes of recording, setting, write strobe, read and differential output windings, as well as two stabilizers whose opposite electrodes are connected to one input terminal. devices, and other dissimilar electrodes are connected to another input terminal of the device through diodes connected to the zener diodes and the corresponding write windings 2, When recording the method of integrating the voltage in such a memory element requires the presence of two multi-turn recording windings. The aim of the invention is to simplify the magnetic analog memory element. The goal is achieved by the fact that a magnetic analog memory element, a dual transfluxor with four holes, a recording winding, an installation winding, a recording stator winding, piercing the large apertures of the transfluxor, which small holes are stitched by the windings of reading, writing and differential output windings , a control winding is inserted, which is connected to the input of the memory element and passed through one large opening of the transfluxor; according to, and through another oppositely with the winding of the recording strobe, both the opposite diode and the zener diode, whose electrodes of the same name are connected to the recording winding covering the jumper of the transfluxor between the large openings. The drawing shows a schematic diagram of a magnetic analog memory element made according to the invention. The magnetization analog memory element contains a dual transfluxor 1, the middle jumper of which is covered by the windings of installation 2, the gate e103, 3, records 4, the last jumpers are covered by the control winding 5 so that it connects one large hole according to, and the other one meets the winding (recording gates, and small openings are stitched by reading windings 6 and differential output windings 7, the beginning and end of control winding 5 are connected to the input terminals of the memory element, and the beginning and end of recording winding 4 are connected between oh through the oppositely connected diode 8 and the zener diode 9. Moreover, if the beginning of the recording is connected to the diode anode, the end is connected to the anode of the zener diode. During operation, the installation current pulses through winding 2 are set to saturation corresponding to the maximum value of the residual flow is Fg. When a current pulse of the recording strobe is detected in the winding 3, diode 8 opens, the Zener diode 9 breaks through and, if the control current in the 41 O winding, in both halves of the transfluxor F -F current -bik ° - iw ,, where - the zener voltage stabilization; - the pulse duration of the write strobe current; W is the number of turns of the record winding 4. In this case, in this case, when PG — O, in both halves of the transfluxor, the value of the magnetic flux is set to correspond to -mid of the working range; Since the output winding 7 is connected in a differential circuit, the average value of the output voltage at the fundamental frequency is zero. If the control current is 1 O, then the supply of a current gate strobe to the winding 3 leads to unequal unlocking of the transfluxor halves and, when reading, the output voltage on the output winding is proportional to the current value T ". When the current direction I changes, the output voltage changes polarity. The proposed memory element has a reversible characteristic of the record, si, has one recording winding 4 with the number of turns twice less than in one winding of two known memory elements, one diode and one zener diode. The control winding 5 is single turn. When constructing an analog storage device based on such a memory element, the Zener diode is the common dp of the entire storage device, and the control winding stitches through all the memory elements in sequence. Since the number of diodes and zener diodes in a given memory element is less than two times, and the total number of turns is less than three times less than that of a known memory element, the memory element is simplified with the same recording accuracy. Invention Magnetic analogue memory element comprising a dual transfluxor with four holes, a recording winding, a mounting winding, a recording stator winding piercing the large openings of the transfluxor, the small holes of which are stitched by readout windings and differential output sinks with In order to simplify the memory element, a control winding is inserted into it, which is connected to the input of the memory element through one large hole of the transfluxor, according to, and through ugoe oppositely wound write strobe and included counter and a zener diode, like electrodes are connected to the winding of the recording embracing transfluxors jumper between the large apertures. Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate 396720, C. 11 C 27/00, 1974. 2. Авторское свидетельство СССР № , кл.С 11 С 27/00, 1974.2. USSR author's certificate №, C. 11 C 27/00, 1974. ли,,.li ,,. Й6«Уй5ЙКЬ-.. « ; 5:..r/v,- :.:Y6 "Yy5YK- .."; 5: .. r / v, -:.:
SU782694266A 1978-11-30 1978-11-30 Magnetic analogue storage element SU728165A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782694266A SU728165A1 (en) 1978-11-30 1978-11-30 Magnetic analogue storage element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782694266A SU728165A1 (en) 1978-11-30 1978-11-30 Magnetic analogue storage element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU728165A1 true SU728165A1 (en) 1980-04-15

Family

ID=20797608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782694266A SU728165A1 (en) 1978-11-30 1978-11-30 Magnetic analogue storage element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU728165A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU728165A1 (en) Magnetic analogue storage element
US4058705A (en) Magnetic card reader
SU516098A1 (en) Magnetic storage element
SU435564A1 (en) MAGNETIC ANALOG ELEMENT OF MEMORY
SU585545A1 (en) Magnetic storage device
SU1265854A1 (en) Memory element
SU249059A1 (en) MEMORY ELEMENT
SU756631A1 (en) Voltage-to-digital code converter
SU473215A1 (en) Magnetic drive type
SU1127002A1 (en) Storage rule
SU445078A1 (en) Analog storage device
SU622168A2 (en) Arrangement for information retrieval from magnetic core storage units
SU407397A1 (en)
SU221048A1 (en) MAGNETIC ELEMENT
SU542239A1 (en) Device for recording and reading information
SU538422A1 (en) Magnetic storage element
SU647868A1 (en) Coincidence element based on ferrite cores with rectangular hysterresis loop
SU296150A1 (en) Memorizing Element
SU765875A1 (en) Semipermanent storage
RU1770986C (en) Information reading out unit for magnetic bubble domain storage device
SU392553A1 (en) MAGNETIC ELEMENT
SU587503A1 (en) Magnetic storage element
SU416753A1 (en)
SU1048517A1 (en) Working memory
SU830563A1 (en) Device for recording and reading-out information for mos-transistor stores