SU728165A1 - Magnetic analogue storage element - Google Patents
Magnetic analogue storage element Download PDFInfo
- Publication number
- SU728165A1 SU728165A1 SU782694266A SU2694266A SU728165A1 SU 728165 A1 SU728165 A1 SU 728165A1 SU 782694266 A SU782694266 A SU 782694266A SU 2694266 A SU2694266 A SU 2694266A SU 728165 A1 SU728165 A1 SU 728165A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- winding
- recording
- memory element
- transfluxor
- windings
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении аналоговых запоминающих устройств ( временных функций напряжения.The invention relates to the field of automation and computer technology and can be used in the construction of analog storage devices ( temporary voltage functions.
Известен магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий трансфлюксоры, прошитые обмотками записи, установки, строба записи и дифференци- f ально включенными выходными обмотками [1]. В таком элементе памяти характеристика записи информации нереверсивна, т.е, обеспечивается запись сигналов только одной полярности. 'A magnetic analogue memory element is known that contains transfluxors stitched with recording, installation, recording strobe windings and output windings differentially switched on [1]. In such a memory element, the characteristic of recording information is not reversible, that is, only signals of one polarity are recorded. ''
Наиболее близким техническим реше- ’ нием к изобретению является магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий два двухотверстных трансфлюксора прошитых обмотками записи, установки, строба записи, считывания и дифференциально' включенными выходными обмотками, а также два стабилитрона, разноименные электроды которых соединены с одной входной клеммой устройства, а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречно стабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи [21. При записи , ' 2 методом'интегрирования напряжения в таком элементе памяти необходимо наличие двух многовитковых обмоток - записи.The closest technical solution to the invention is a magnetic analog memory element containing two double-hole transfluxers stitched with recording, installation, recording strobe, read windings and output windings differentially switched on, as well as two zener diodes, the unlike electrodes of which are connected to one input terminal of the device and other unlike electrodes are connected to the other input terminal of the device through diodes connected to the zener diodes and corresponding recording windings [21. When recording, the '2 method' of integrating voltage in such a memory element requires two multi-turn windings - recording.
Целью изобретения является упрощение магнитного аналогового элемента памяти.The aim of the invention is to simplify the magnetic analog memory element.
Поставленная цель достигается тем, η что в4 магнитный аналоговый элемент памяти,содержащий сдвоенный трансфлюксор с ‘четырьмя'отверстиями, обмотку запиёи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверс5 тия которого прошиты обмотками считываний и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена ® через одно большое отверстие трансфлюксора: согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стаби_ литрон, одноименные электроды котоэ рых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверстиями.This goal is achieved by η that in a 4 magnetic analog memory element containing a double transfluxor with four openings, a winding tape, an installation winding, a recording gate winding, stitching large openings of the transfluxor, small openings of which are stitched with read windings and output windings differentially switched on , a control winding is introduced, which is connected to the input of the memory element and passed through one large hole of the transfluxor: according to, and through the other, it meets the winding of the recording strobe, and included counter diode and stab_litron, the same electrodes of which are connected to the recording winding, covering the transflux jumper between large holes.
На чертеже представлена принципиальная схема магнитного аналогово3 ''“гто'элёмёнта'' памяти, выполненная согласно изобретению.The drawing shows a schematic diagram of a magnetic analog 3 '' “gto'element” memory, made according to the invention.
Магнитный аналоговый элемент памя.......ти содержит сдвоенный трансфлюксорMagnetic analog memory element ....... te contains dual transfluxor
1, средняя перемычка которого охвачена обмотками установки 2, строба записи 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управления 5 так, что одно большое отверстие она прошивает согласно, а другое — встречно с обмоткой,строба записи, а малые отверстия прошиты обмотками считывания 6 и дифференциально включенными выходными обмотками 7. Начало и конец обмотки управления 5 соединены с входными клеммами элемента памяти, а начало и конец обмотки записи 4 соединены между собой через встречно включенные диод 8 и стабилитрон 9, причём, если начало обмотки записи соединено с анодом дйода, то конец — с анодом стабилитрона.1, the middle jumper of which is covered by the windings of installation 2, the recording strobe 3, records 4, the extreme jumpers are covered by the control winding 5 so that it flashes one large hole according to, and the other is counter-wound with the winding, recording strobe, and the small holes are stitched by read windings 6 and differentially connected output windings 7. The beginning and end of the control winding 5 are connected to the input terminals of the memory element, and the beginning and end of the recording winding 4 are interconnected via counter-connected diode 8 and zener diode 9, and if the beginning the recording winding is connected to the anode of the diode, then the end is connected to the anode of the zener diode.
В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаются в состояние насыщения, соответствующее максимальному значению остаточного потока — Фг . При подёчё в обмотку 3 импульса тока строба записи диод 8 открывается, стабилитрон 9 пробивается и, если ток управления в обмотке 41,-0, сора ного ίIn the process of operation by the installation current pulses through the winding 2, both halves of the transfluxor are set to a saturation state corresponding to the maximum value of the residual flux - Фг. When a current pulse of the recording strobe is fed into the winding 3, the diode 8 opens, the zener diode 9 breaks through and, if the control current in the winding 41, -0 is
ХОдное напряжение на выходной обмотке пропорционально величине тока Гх. При изменении направления тока 1Х напряжение на выходе меняет . полярность.The output voltage on the output winding is proportional to the current value G x . When changing the direction of the current 1 X the voltage at the output changes. polarity.
Предлагаемый элемент памяти обладает реверсивной характеристикой записи,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихся у известного элемента памяти,один диод и один стабилитрон. Обмотка управления 5 выполняется одновитковой. При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента памяти стабилитрон является общим для всего запоминающего устройства,а обмотка управления прошивает последовательно все элементы памяти.The proposed memory element has a reversible recording characteristic, has one record winding 4 with the number of turns, two times less than one winding of the two available memory elements, one diode and one zener diode. The control winding 5 is single-turn. When constructing an analog storage device based on such a memory element, the zener diode is common to the entire storage device, and the control winding flashes all the memory elements in sequence.
Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе памяти меньше в два раза, а общее число витков меньше практически в три раза, чем у известного элемента памяти, то упрощается элемент памяти при той же точности записи.Since the number of diodes and zener diodes in this memory element is less than two times, and the total number of turns is almost three times less than that of a known memory element, the memory element is simplified with the same recording accuracy.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782694266A SU728165A1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Magnetic analogue storage element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782694266A SU728165A1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Magnetic analogue storage element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU728165A1 true SU728165A1 (en) | 1980-04-15 |
Family
ID=20797608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782694266A SU728165A1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Magnetic analogue storage element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU728165A1 (en) |
-
1978
- 1978-11-30 SU SU782694266A patent/SU728165A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU728165A1 (en) | Magnetic analogue storage element | |
US4058705A (en) | Magnetic card reader | |
SU516098A1 (en) | Magnetic storage element | |
SU435564A1 (en) | MAGNETIC ANALOG ELEMENT OF MEMORY | |
SU585545A1 (en) | Magnetic storage device | |
SU1265854A1 (en) | Memory element | |
SU249059A1 (en) | MEMORY ELEMENT | |
SU756631A1 (en) | Voltage-to-digital code converter | |
SU473215A1 (en) | Magnetic drive type | |
SU1127002A1 (en) | Storage rule | |
SU445078A1 (en) | Analog storage device | |
SU622168A2 (en) | Arrangement for information retrieval from magnetic core storage units | |
SU407397A1 (en) | ||
SU221048A1 (en) | MAGNETIC ELEMENT | |
SU542239A1 (en) | Device for recording and reading information | |
SU538422A1 (en) | Magnetic storage element | |
SU647868A1 (en) | Coincidence element based on ferrite cores with rectangular hysterresis loop | |
SU296150A1 (en) | Memorizing Element | |
SU765875A1 (en) | Semipermanent storage | |
RU1770986C (en) | Information reading out unit for magnetic bubble domain storage device | |
SU392553A1 (en) | MAGNETIC ELEMENT | |
SU587503A1 (en) | Magnetic storage element | |
SU416753A1 (en) | ||
SU1048517A1 (en) | Working memory | |
SU830563A1 (en) | Device for recording and reading-out information for mos-transistor stores |