SU585545A1 - Magnetic storage device - Google Patents

Magnetic storage device

Info

Publication number
SU585545A1
SU585545A1 SU762354653A SU2354653A SU585545A1 SU 585545 A1 SU585545 A1 SU 585545A1 SU 762354653 A SU762354653 A SU 762354653A SU 2354653 A SU2354653 A SU 2354653A SU 585545 A1 SU585545 A1 SU 585545A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
holes
winding
coordinate
magnetic storage
windings
Prior art date
Application number
SU762354653A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Орестович Тимофеев
Original Assignee
Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) filed Critical Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина)
Priority to SU762354653A priority Critical patent/SU585545A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU585545A1 publication Critical patent/SU585545A1/en

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

Изобретение относитс  к цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах с двухкоординатной выборкой (структура 3).The invention relates to digital computing and automation and can be used in random-access memory devices with two-coordinate sampling (structure 3).

Известны высокотехнологичные магнитные запоминающие элементы, выполненные на групне отверстий многоотверстной пластины из материала с пр моугольной петлей гистерезиса так, что через каждое отверстие проходит только один проводник.High-tech magnetic storage elements are known that are made on a group of holes of a multi-hole plate of material with a rectangular hysteresis loop so that only one conductor passes through each hole.

Магнитный запоминаюихнй элемент с двухкоординатной выборкой, выполненный на ферритовой пластине из материала с пр моугольной петлей гистерезиса с вое мью отверсти ми, шесть из которых расположены вдоль одной оси симметрии и прошиты двум  координатными обмотками и обмоткой смешени , а два - вдоль перпендикул рной оси симметрии и прошиты разр дной обмоткой,  вл етс  наиболее близким техническим решением к предложенному элементу. Этот элемент имеет малый выходной сигнал по причине неглубокой модул ции выходного напр жени  от разр дного тока записи (1).Magnetic memory is a two-coordinate sampling element made on a ferrite plate made of a material with a rectangular hysteresis loop with new holes, six of which are located along one axis of symmetry and stitched by two coordinate windings and a winding mix, and two along the perpendicular axis of symmetry and flashed by the discharge winding, is the closest technical solution to the proposed element. This element has a small output signal due to shallow modulation of the output voltage from the write write current (1).

Цель изобретени  состоит в повышении надежности элемента путем увеличени  выходного сигнала.The purpose of the invention is to increase the reliability of the element by increasing the output signal.

Дл  этого отверсти  на пластине pacno.noены вдоль одной оси, координатные обмотки и бмотка смещени  прошиты соответственно через первое и восьмое, четвертое и п тое, третье н шестое отверсти  в противоположных направени х , а разр дна  обмотка прошита через второе и седьмое отверсти  в одинаковых направлени х .For this, the holes on the pacno.no plate are along one axis, the coordinate windings and displacement windings are stitched respectively through the first and eighth, fourth and fifth, third and sixth holes in opposite directions, and the discharge winding is stitched through the second and seventh holes in the same directions x.

Эти изменени  в расположении отверстий привод т к более тесному взаимодействию зоныThese changes in the location of the holes lead to a closer interaction of the zone

хранени  информации и зоны опроса и тем самым к увеличению выходного сигнала.storing information and polling areas and thus increasing the output signal.

На фиг. 1 изображен предлагаемый магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 -используемые магнитные состо ни .FIG. 1 shows the proposed magnetic storage element; in fig. 2-used magnetic states.

Магнитный запоминающий элемент выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с пр моугольной петлей гистерезиса, содержащем восемь отверстий, расположенных вдоль одной оси, и прошитых координатными обмотками 3, 4 соответственно через первое и восьмое , четвертое и п тое отверсти  в противоположных направлени х, обмоткой смещени The magnetic storage element is made in the area 1 of the plate 2 of a material with a rectangular hysteresis loop containing eight holes along one axis and stitched with coordinate windings 3, 4, respectively, through the first and eighth, fourth and fifth holes in opposite directions, winding displacement

5через третье и шестое отверсти  в противоположных направлени х и разр дной обмоткой5 through the third and sixth holes in opposite directions and the discharge winding

6через второе и седьмое отверсти  в одинаковых направлени х.6 through the second and seventh holes in the same directions.

Элемент работает следующим образом. Т1оДйча двух координатных токов 1,, 1у в обмотки 3, 4 на фоне тока смещени  , , протекающего в обмотке 5, приводит к «жесткому стиранию мнформацин, так как элемент переходит в магнитное состо ние «С (фиг. 2).The element works as follows. The T1Dycha of two coordinate currents 1 ,, 1у in the windings 3, 4 against the background of the bias current flowing in the winding 5 leads to a "hard erasing of mnformatsin, since the element goes into the magnetic state" C (Fig. 2).

В разр дной обмотке 6 наводитс  импульс йапр женн  Ut или Uo той или иной пол рности в зависимости от предыдущего магнитного состо ни  «1 или «О.A discharge voltage Ut or Uo of one or another polarity is induced in the discharge winding 6 depending on the previous magnetic state "1 or" O.

Запись информации осуществл етс  по окончании координатных токов поддействием тока смещени  при наличии одного из разр дных токов 1м, I pi, подаваемых в разр дную обмотку 6. Ток Грр (Ipi) нарушает баланс в иагнитопроводе элемента. Изменение магнитного потока центральной перемычки замыкаетс  в основном вокруг правых (левых) четырех отверстиА и элемент попадает в состо ние «О (I).Information is recorded at the end of the coordinate currents by the action of the bias current in the presence of one of the discharge currents of 1 m, I pi, supplied to the discharge winding 6. The current Gpp (Ipi) disrupts the balance in the element's magnetic circuit. The change in the magnetic flux of the central jumper closes mainly around the right (left) four holes, and the element falls into the “O (I)” state.

Предложенный элемент может хранить троичную информаиию. Третье состо ние хранени The proposed element can store threefold information. Third storage state

возникает, если при записи не подаютс  ,рэзр диые токи 1р,. 1р,.occurs if no recording is made during the recording, the raster currents 1p ,. 1p ,.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину из матрриала с пр моугольной петлей гистерезиса с восмью отверсти ми , прощитыми координатными йбмотками , обмоткой смещени  и разр дной обмоткой , отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности элемента, отверсти  на пластине расположёны вдоль одной оси, координатные обмотки и обмотка смещени  прошиты соответственно через первое и восьмое, четвертое и п тое, третье и шестое отверсти  в противоположйых направлени х, а разр дна  обмотка прошита через второе и седьмое отверсти  в одинаковых направлени х.A magnetic storage element comprising a ferrite plate of matrrial with a rectangular hysteresis loop with eight holes, padded coordinate windings, a bias winding and a discharge winding, characterized in that, to increase the reliability of the element, the holes on the plate are aligned along one axis, the coordinate the windings and the winding are stitched respectively through the first and eighth, fourth and fifth, third and sixth holes in opposite directions, and the discharge winding is stitched through the second and seventh holes in the same directions. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:Sources of information taken into account in the examination: 1 Двторсксе свидетельство по за вке № 2135944/18-24, кл. G С 11/08, i9.05.75.1 Dvtorksse certificate of application number 2135944 / 18-24, cl. G C 11/08, i9.05.75.
SU762354653A 1976-05-03 1976-05-03 Magnetic storage device SU585545A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762354653A SU585545A1 (en) 1976-05-03 1976-05-03 Magnetic storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762354653A SU585545A1 (en) 1976-05-03 1976-05-03 Magnetic storage device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU585545A1 true SU585545A1 (en) 1977-12-25

Family

ID=20659391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762354653A SU585545A1 (en) 1976-05-03 1976-05-03 Magnetic storage device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU585545A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2455330A1 (en) MAGNETIC RESISTANCE TRANSDUCTION DEVICE
GB1486926A (en) Magnetoresistive movement detecting apparatus
JPS57164416A (en) Magnetic head
SU585545A1 (en) Magnetic storage device
JPH05274627A (en) Magneto-resistance type thin-film magnetic head
JPS554734A (en) Thin film magnetic head for vertical magnetic recording
GB776401A (en) Improvements in or relating to magnetic recording storage equipment
JPS54157613A (en) Magnetic head
US2964738A (en) Hall effect memory device
JPS5414719A (en) Signal reproducer
SU392553A1 (en) MAGNETIC ELEMENT
SU516099A1 (en) Magnetic storage element
SU529483A1 (en) Magnetic storage element
SU597004A1 (en) Magnetic storage element
JPS6029115Y2 (en) magnetic bubble memory package
SU562865A1 (en) Memory device
SU516098A1 (en) Magnetic storage element
SU538422A1 (en) Magnetic storage element
SU610173A1 (en) Magnetic storage element
GB1016298A (en) Stereophonic pick-up cartridge
SU1127002A1 (en) Storage rule
SU614467A1 (en) Magnetic storage element
SU587503A1 (en) Magnetic storage element
SU573880A1 (en) Ferrite-transistor element
SU805414A1 (en) Storage ceel for semipermanent storage