SU711082A1 - Polishing suspension - Google Patents

Polishing suspension Download PDF

Info

Publication number
SU711082A1
SU711082A1 SU782639687A SU2639687A SU711082A1 SU 711082 A1 SU711082 A1 SU 711082A1 SU 782639687 A SU782639687 A SU 782639687A SU 2639687 A SU2639687 A SU 2639687A SU 711082 A1 SU711082 A1 SU 711082A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
silicon carbide
pumice
polishing
water
sodium nitrite
Prior art date
Application number
SU782639687A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вадим Никифорович Морозенко
Александр Евдокимович Проволоцкий
Леонид Борисович Чумак
Наталья Ильинична Кузьмичева
Борис Георгиевич Кузнецов
Иван Кондратьевич Евтушенко
Иван Васильевич Владиславский
Original Assignee
Morozenko Vadim N
Provolotskij Aleksandr E
Chumak Leonid B
Kuzmicheva Natalya
Kuznetsov Boris G
Evtushenko Ivan K
Vladislavskij Ivan V
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Morozenko Vadim N, Provolotskij Aleksandr E, Chumak Leonid B, Kuzmicheva Natalya, Kuznetsov Boris G, Evtushenko Ivan K, Vladislavskij Ivan V filed Critical Morozenko Vadim N
Priority to SU782639687A priority Critical patent/SU711082A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU711082A1 publication Critical patent/SU711082A1/en

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области поверхности деталей из различных мате-, риалов гидроабразивным полированием. Известна полировальна  суспензи , со держаща  карбид кремни , нитрит натри  и воду 1. Недостатками известной полировальной суспензии  вл ютс  невысока  произ водительность процесса полировани  и низкое качество полируемой поверхности Целью изобретени   вл етс  упрощение и ускорение процесса полировани  и улучшение качества обработки. Это достигаетс  тем, что полировальна  суспензи  содержит карбид кремни  зернистостью 40-80 мкм и дополнительно содержит пемзу зернистостью 1465 мкм при следующем соотношении ком понентов, вес,%: Карбид кремни 10-40 Нитрит натри 0,5-1,0 Вода54-74,5 Пемза.5-15 Пример 1, Дл  гкдроабрааивной обработки есс-формы  р стали 45 с шероховатостью 7 класса готов т полировальную суспензию со следующим соотношением компонентов, вес,%: Карбид кремни  зернистостью 8О мкм25 Нитрит натри 1 Вода64 Пемза з нистостью 65 мкм10 Суспензию готов т в специальной ванне , в которой с помощью струйных воздушных барботеров частицы карбида кремг ни  к пемзы привод тс  во взвешенное состо ние давлением воздуха в барботе- pax 4 кгс/см. После обработки прессформы в течение.ЗО мин при давлении рабочей струи 7 КГС/СМ шероховатость довод т до 8класса,Непрекраща  процесса обработки давление воздуха в барботерах снижают до 2 кгс/см , при этом зерна карбида кремни  осаждаютс  на дно, а частицы пемзы продолжают нахо-The invention relates to the surface area of parts from various materials, rials, hydroabrasive polishing. The known polishing slurry containing silicon carbide, sodium nitrite and water 1. The disadvantages of the known polishing slurry are the low productivity of the polishing process and the poor quality of the polished surface. The purpose of the invention is to simplify and speed up the polishing process and improve the quality of processing. This is achieved by the fact that the polishing slurry contains silicon carbide with a grain size of 40-80 µm and additionally contains pumice stone with a 1465 µm grain size in the following ratio of components, weight,%: Silicon carbide 10-40 Sodium nitrite 0.5-1.0 Water54-74, 5 Pumice. 5-15 Example 1, For grinding the mold of an ess form p of steel 45 with a roughness of class 7, a polishing slurry is prepared with the following ratio of components, weight,%: Silicon carbide 8O micron grain size 25 Nitrite sodium 1 Water 64 Pumice content 65 micron 10 Suspension prepared in a special bath in which omoschyu jet air spargers carbide particles kremg nor pumice are shown in suspendation air pressure barbote- pax 4 kgf / cm. After processing the mold for about 3 min. With a working jet pressure of 7 KGS / CM, the roughness is brought to grade 8, the non-treating process, the pressure of the air in the bubblers is reduced to 2 kgf / cm, while silicon carbide grains are deposited on the bottom, and the pumice particles continue to -

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Полировальная суспензия, содержащая карбид кремния, нитрит натрия и воду, отличающаяся тем, что, с целью упрощения и ускорения процесса полирования и улучшения качества обработки,она содержит карбид кремния.зернистостью 40-80 мкм дополнительно содержит пемзу зернистостью 14-65 мкм при .следующем соотношении компонентов, вес.%:A polishing suspension containing silicon carbide, sodium nitrite and water, characterized in that, in order to simplify and speed up the polishing process and improve the quality of processing, it contains silicon carbide. 40-80 microns in size additionally contains pumice with a grain size of 14-65 microns. ratio of components, wt.%: Карбид кремния Silicon carbide 10-40 10-40 Нитрит натрия Sodium nitrite 0,5-1,0 0.5-1.0 Вода Water 54-74,5 54-74.5 Пемза Pumice 5-15 5-15
SU782639687A 1978-07-04 1978-07-04 Polishing suspension SU711082A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782639687A SU711082A1 (en) 1978-07-04 1978-07-04 Polishing suspension

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782639687A SU711082A1 (en) 1978-07-04 1978-07-04 Polishing suspension

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU711082A1 true SU711082A1 (en) 1980-01-25

Family

ID=20774887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782639687A SU711082A1 (en) 1978-07-04 1978-07-04 Polishing suspension

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU711082A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE164618T1 (en) GRINDING MATERIAL
CN100365774C (en) Semiconductor wafer manufacturing method and wafer
US4929257A (en) Abrasive composition and process for polishing
SU711082A1 (en) Polishing suspension
US4654051A (en) Grinding wheel
US3673746A (en) Method of polishing glass
JPH05285812A (en) Grinding method
JPS59142059A (en) Surface polishing
Indge Lapping, honing, and polishing
RU2041891C1 (en) Polishing composition
JPH05138525A (en) Dry barrel polishing method and dry media
CN2161417Y (en) Compound stone grinder for stone surface abrader
SU1743830A1 (en) Method of manufacturing grinding-finishing tool
SU1553195A1 (en) Apparatus for ultrasonic three-dimensional working
JPS5741171A (en) Grindstone for grinding and cutting
KR950011398B1 (en) Detergent compositions for removing impurity
JPS59196160A (en) Polishing method of film head
SU1691070A1 (en) Method of polishing workpiece surfaces
JPH04201171A (en) Grinding work method for rolling roll
JPH04223852A (en) Polishing method and polishing wheel for aluminum nitride
Atkey et al. Honing Finishes First in Hole Sizing
JPS6458463A (en) Grinding by casted iron bond tool
SU874314A2 (en) Method of avoiding greasing of machine tool
SU624270A1 (en) Method of machining magnetic head surface
JPH11165254A (en) Super abrasive grain lapping surface plate