SU705934A1 - Способ изготовления интегральных схем - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Siдиэлектрической пленкой, которая не травится в травителях для SiOи SiN, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где будет формироваться эмиттер под островками Si, затем в монокристалле формируют меза-структуры для эмиттера травлением открытых участков базовой области, проводят подлегирование базовых областей с термическим окислением, удаляют диэлектрическую пленку, лежащую на участках поликристаллического кремния и формируют эмиттерный переход в меза-структуре так, чтобы он находился на уровне донной части вытравленных областей базы, а контактные окна вскрывают только к базе и глубокому коллектору.