SU1195862A1 - Способ изготовления интегральных схем - Google Patents

Способ изготовления интегральных схем

Info

Publication number
SU1195862A1
SU1195862A1 SU3740776/25A SU3740776A SU1195862A1 SU 1195862 A1 SU1195862 A1 SU 1195862A1 SU 3740776/25 A SU3740776/25 A SU 3740776/25A SU 3740776 A SU3740776 A SU 3740776A SU 1195862 A1 SU1195862 A1 SU 1195862A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
integrated circuits
manufacturing integrated
manufacturing
circuits
absent
Prior art date
Application number
SU3740776/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.М. Манжа
И.О. Шурчков
Ю.Д. Чистяков
Л.П. Манжа
С.И. Патюков
Original Assignee
Н.М. Манжа
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.М. Манжа filed Critical Н.М. Манжа
Priority to SU3740776/25A priority Critical patent/SU1195862A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1195862A1 publication Critical patent/SU1195862A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование nскрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над областями диэлектрической изоляции с последующим осаждением слоя диэлектрика.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что пленки поликристаллического кремния формируют над диэлектрической изоляцией и активными элементами.
SU3740776/25A 1984-05-11 1984-05-11 Способ изготовления интегральных схем SU1195862A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3740776/25A SU1195862A1 (ru) 1984-05-11 1984-05-11 Способ изготовления интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3740776/25A SU1195862A1 (ru) 1984-05-11 1984-05-11 Способ изготовления интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1195862A1 true SU1195862A1 (ru) 1996-03-27

Family

ID=60518982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3740776/25A SU1195862A1 (ru) 1984-05-11 1984-05-11 Способ изготовления интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1195862A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU184252U1 (ru) * 2018-01-09 2018-10-19 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" Конструкция интегральных резисторов в микросхемах на эпитаксиальных структурах арсенида галлия

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU184252U1 (ru) * 2018-01-09 2018-10-19 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" Конструкция интегральных резисторов в микросхемах на эпитаксиальных структурах арсенида галлия

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3271346D1 (en) Method of making integrated bipolar transistors of very small dimensions
GB2168845B (en) Bipolar transistor integrated circuit and method of manufacturing the same
DE3569437D1 (en) Method for producing an integrated circuit of the mis type
DE3272090D1 (en) Method of manufacturing an integrated planar bipolar transistor
SU1195862A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем
SU952051A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем
SU1192263A1 (ru) Способ изготовления бриллианта фантазийной формы
SU1135378A1 (ru) Способ изготовления биполярных интегральных транзисторов
SU1208765A1 (ru) Способ получения производных феноксифенилмочевины
SU1111634A1 (ru) Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем
SU1193950A1 (ru) Способ изготовления микроканальных пластин
SU705934A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем
SU760837A1 (ru) Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем
SU1226762A1 (ru) Способ изготовления алмазного инструмента
SU1240079A1 (ru) Способ получения тетрабутоксититана
SU1154903A1 (ru) Способ получения 2-имино-3-фенил-6-фенацилиден-2,3,5,6 -тетрагидро-1,3,4-оксадиазин-5-онов
SU1220180A1 (ru) Установка для массообмена
SU1154974A1 (ru) Способ изготовления сегнетокерамической мишени
SU1167881A1 (ru) Фенилгидразид морфолинодиэтилуксусной кислоты, обладающий противотуберкулезным действием
SU1128694A1 (ru) Способ изготовления высокотемпературного тензорезистивного элемента
SU824824A1 (ru) Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией и способ их изготовления
SU1172397A1 (ru) Способ изготовления прецизионных резисторов
SU1217196A1 (ru) Способ изготовления рентгеношаблона
SU1216944A1 (ru) Способ получения 2,6-ди-трет-бутилфенола
SU1081999A1 (ru) Способ получения клея