SU685992A1 - Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробой - Google Patents
Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробойInfo
- Publication number
- SU685992A1 SU685992A1 SU772516519A SU2516519A SU685992A1 SU 685992 A1 SU685992 A1 SU 685992A1 SU 772516519 A SU772516519 A SU 772516519A SU 2516519 A SU2516519 A SU 2516519A SU 685992 A1 SU685992 A1 SU 685992A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- testing
- voltage transistors
- transistor
- duty high
- protecting
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ЗАЩИТЫ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ
НА ВТОРИЧНЫЙ ПРОБОЙ
Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано при контроле, испь тании и измерении электрических параметров и характеристик мощных ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ транзисторов, в частности дл защиты их от разрушени при испытани х на вторичный пробой. Известные способы защиты транзисторов от вторичного пробо основаны на прекращении воздействи электрического режима на испытуемый прибор В момент времени, предществующий началу вторичного пробо . При этом начало вторичного пробо может фиксироватьс путем контрол работы испытуемого прибора по его инфракрасному излучению 1.
Однако данный способ применим лищь дл испытани бескорпусных транзисторов. Кроме того, его осуществление требует использовани сложной аппаратуры контро т .
Известен способ определени начала вторичного пробо по резкому увеличению уровн высокочастотных щумов испытуемого транзистора 2.
Недостатком данного способа вл етс низка помехоустойчивость, определ ема малым уровнем измер емых высокочастотных шумов, что приводит i ueciXo,i i%;ocT;i
использовани сложной ВЫСОК( Г - ПГОЛЬной аппаратуры.
Известен также способ определени ;iaчала вторичного пробо по резкомх .шчению тока коллектора испытХем. с rpai;зистора 3.
Недостатком данного способ мала эффективность за1ц;г:ь го транзистора, определне.;а . ствием ключевых устройст;;. щих его В .м.омент наступлен -; пробо , выражаюп1а с ts оо:5.1ожп1)сти разруп1ени исп.ытуемогс) прибора в момент развити вторичного пробо .
Целью изобретени вл етс увелИ.епис эффективности заишты испьпуемых транзисторов .
Указанна цель достигаетс тем, что по предлагаемому способу контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора ВО Времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электрического режима В момент прохождени мгновенного значени производной тока базы через ноль.
В основе описываемого способа защиты мощных высоковольтных транзисторов от вторичного пробо лежит зависимость коэффициента пр мой передачи транзистора от температуры и плотности тока в структуре кристалла, причем характер этой зависимости различен дл обоих факторов.
При фиксированном токе и напр жении коллектора транзистора под воздействием электрического режима происходит разогрев кристалла и коэффициент пр мой передачи транзистора монотонно увеличиваетс , что сопровождаетс уменьшением тока базы. При определенном электрическом режиме разогрев структуры кристалла транзистора из-за наличи в ней неоднорол.ностей приводит к локализации тока коллектора и изменению плотности тока, протекающего через структуру прибора.
Это, в свою очередь, приводит к значительному уменьшению коэффициента передачи транзистора и, соответственно, к нарушению монотонности изменени тока базы испытуемого транзистора, а именно к из.менению знака нроизводной тока базы по времени. Продолжение воздействи электрического режима приводит к саморазогреву локализованной области структуры и, как результат, к вторичному нробою транзистора. У тех экземпл ров приборов , которые не выдерживают испытаний, наблюдаютс эффекты, привод щие к развитию вторичного пробо . Фиксаци начала
вторичного пробо и своевременное прекращение воздействи электрического режима на испытуемые приборы исключает возможность их разрушени в процессе испытаний и позвол ет разбраковывать транзисторы не только по принципу «годен-негоден, но и по величине пробивного напр жени .
Claims (3)
1.Патент США № 3867697 кл. G 01 R 31/26, 1975.
2.Авторское свидетельство СССР jYe 554512, кл. G 01 R 31/26, 1975.
3.Авторское свидетельство СССР
№ 251094, кл. G 01 R 31/26, 1966(прототип).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772516519A SU685992A1 (ru) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробой |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772516519A SU685992A1 (ru) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробой |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU685992A1 true SU685992A1 (ru) | 1979-09-15 |
Family
ID=20721703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772516519A SU685992A1 (ru) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробой |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU685992A1 (ru) |
-
1977
- 1977-07-26 SU SU772516519A patent/SU685992A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5648725A (en) | Pulse width modulation simulator for testing insulating materials | |
| Baker et al. | Online junction temperature measurement using peak gate current | |
| CN111965404B (zh) | 一种示波器的相位延迟获取装置及获取方法 | |
| Gonzalez et al. | Bias temperature instability and condition monitoring in SiC power MOSFETs | |
| JPS5840703B2 (ja) | 非破壊絶縁試験装置 | |
| Hanif et al. | Detection of gate oxide and channel degradation in SiC power MOSFETs using reflectometry | |
| Weckbrodt et al. | Monitoring of gate leakage current on SiC power MOSFETs: An estimation method for smart gate drivers | |
| Jormanainen et al. | High humidity, high temperature and high voltage reverse bias-a relevant test for industrial applications | |
| DE69018193T2 (de) | Verfahren und Apparatur zur Untersuchung des Zustandes eines Isolationssystems. | |
| Du et al. | Investigation on the degradation indicators of short-circuit tests in 1.2 kV SiC MOSFET power modules | |
| SU685992A1 (ru) | Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытани х на вторичный пробой | |
| Cova et al. | Thermal characterization of IGBT power modules | |
| Feil et al. | Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs—Part I: Experimental | |
| JP3813752B2 (ja) | 半導体素子の加速試験方法及びその装置 | |
| Wang et al. | Gate threshold voltage measurement method for Sic MOSFET with current-source gate driver | |
| JPS61284654A (ja) | 絶縁体薄膜の評価方法 | |
| Berning et al. | Generalized test bed for high-voltage, high-power SiC device characterization | |
| JP2646881B2 (ja) | 絶縁特性試験装置 | |
| Tala-Ighil et al. | Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour | |
| SU1506402A1 (ru) | Способ определени коэффициента усилени высоковольтного транзистора | |
| MacDonald et al. | A Simplified Pulsed Bridge for Use in Low Temperature Resistance Thermometry | |
| Chen et al. | Junction Temperature Estimation for IGBT Modules Applied to EVs Based on High-Frequency Signal Sweeping Technique | |
| SU563640A1 (ru) | Устройство дл контрол высоковольтных сигналов | |
| SU800909A1 (ru) | Устройство дл определени пробивногоНАпР жЕНи диэлЕКТРиКОВ | |
| Schiff et al. | Detection techniques for nondestructive second-breakdown testing |