(Л(L
СWITH
аbut
О) СХ)O) CX)
ел Изобретение относитс к электронной технике, в частности, к планарно технологии полупроводниковых устройств . Дл улучшени шумовых характеристик планарных устройств используют способ геттерировани , заключающийс в образовании в любом удобном месте полупроводниковой структуры сло гет тера, который способствует ее очистк от имеющихс загр знений. Известен геттер дл улучшени уровн шумов кремниевых полупроводни ковых устройств планарного типа путе образовани на обратной стороне подложки сло геттера и термообработки, причем в качестве геттера используют слой фосфорносиликатного стекла. Способ заключаетс в следующем: в конце технологического цикла форми ровани структуры одновременно с про цессом диффузионной загонки фосфора обратной стороне структуры образуетс сплошной слой фосфорносиликатного стекла, который в процессе дальнейщего отжига, проводимого по специаль ной пррграмме (медленное охлаждение образцов вместе с диффузионной печью в течение нескольких часов, очищает структуру от накопленных к этому моменту загр знений. Известен геттер дл уменьшени шумов кремниевых полупроводниковых устройств планарного типа на основе нестихиометрических кремниевых соеди нений. В данном случае дл очистки объема от накопленных загр знений используют легированньш фосфором слой кремни , а дл подавлени образовани поверхностных дефектов используют, нанесенную на обратную сторону подложки пленку нитрида кремни . Существующий геттер дл уменьшени уровн шумов кремниевых полупроводниковых устройств планарного типа обладает р дом существенных недос татков, таких как: 1,Сложность практического осуществлени , котора определ етс , необ ходимостью проведени .тонкого отжига пленки по специальной программе в течение длительного времени; 2.Невоспроизводимость, обусловленна технологическими трудност ми создани одинаковых по составу (геттерирующей способности) и объему плв нок на обратной стороне подложки; 3.Низка эффективность, котора вытекает из факта возможности осуществлени способа только на уже практически сформированных полупроводниKOBbix структурах при проведении финишной диффузии фосфора. Толщина обра зующегос сло (а, следовательно, и его геттерирующа емкость) как правило мала. При этом возникает также очень сложна задача учета вли ни температурно-временньгх параметров процесса отжига на диффузионную деформацию готовых областей структуры. Решение этой задачи возможно только на компромиссньге началах: либо уменьшить температуру отжига и снизить эффективность очистки объема структуры от загр знений, либо проводить отжиг при высокой температуре дл повьштени эффективности очистки, но цри этом ухудшить качество других электрофизических параметров изготавливаемого устройства, 4.Ограниченность применени , поскольку геттер может использоватьс в производстве очень небольшой номенклатуры изделий, которые должны удовлетвор ть следуюш ад услови м: во-первых , не иметь электрического контакта со стороны подложки, поскольку слой геттера вл етс диэлектриком, во-вторых, изготавливатьс только с помощью метода термической диффузии. Целью насто щего изобретени вл етс повьш1ение воспроизводимости и эффективности геттера. Поставленна цель достигаетс тем, что в качестве геттера испольэуют соединени типа SiR,,, где R металлоиды IV, V и VI групп периодической системы, преимущественно углерод или азот, а значение Х измен ют от 0,01 до 0,3. Использование в качестве геттера нестехиометрических соединений кремни указанного состава (или их композиций ) позвол ет исключить физические и технологические ограничени , присущие другим геттерам. Насто5пций геттер не требует какихлибо дополнительных операций кроме операции синтеза на обратной стороне подложки соединений типа SiRj. При этом последующую термообработку геттера можно совместить с требуемым дл изготовлени данного устройства отжигами или процессами окислени . Геттерирование в этом случае будетThe invention relates to electronic engineering, in particular, to planar semiconductor device technology. To improve the noise characteristics of planar devices, a getter method is used, which consists in forming in any convenient place of the semiconductor structure a getter layer, which contributes to its purification from existing contaminants. A getter is known to improve the noise level of silicon planar-type semiconductor devices by forming a getter layer and heat treatment on the back side of the substrate, and a layer of phosphorosilicate glass is used as a getter. The method is as follows: at the end of the technological cycle of formation of the structure, simultaneously with the process of diffusion phosphorus crown, a continuous layer of phosphorosilicate glass is formed on the back side of the structure, which during further annealing is carried out according to a special program (slow cooling of the samples together with the diffusion furnace for several hours, it cleans the structure of dirt accumulated by this time. A getter is known to reduce the noise of silicon semiconductor devices type based on nonstiichiometric silicon compounds. In this case, a silicon doped phosphorus layer is used to clean the volume from accumulated contaminants, and a silicon nitride film deposited on the reverse side of the substrate is used to suppress the formation of surface defects. planar type has a number of significant shortcomings, such as: 1, the difficulty of practical implementation, which is determined by the need for thin annealing of the film according to a special program for a long time; 2. Non-reproducibility due to technological difficulties of creating equal composition (gettering capacity) and volume of floats on the back side of the substrate; 3. Low efficiency, which follows from the fact that the method can be implemented only on already practically formed semiconducting KOBbix structures when carrying out the final diffusion of phosphorus. The thickness of the layer formed (and, consequently, its gettering capacity) is usually small. In this case, the very difficult problem of taking into account the influence of the temperature-time parameters of the annealing process on the diffusion deformation of the finished regions of the structure also arises. Solving this problem is possible only on a compromise basis: either to reduce the annealing temperature and reduce the cleaning efficiency of the structure's volume from contamination, or to perform annealing at a high temperature to increase the cleaning efficiency, but to degrade the quality of other electrophysical parameters of the manufactured device since the getter can be used in the production of a very small range of products that must satisfy the following conditions: first, do not have electrical contact on the substrate side, since the getter layer is a dielectric; secondly, it can only be made using the thermal diffusion method. The purpose of the present invention is to increase the reproducibility and effectiveness of the getter. This goal is achieved by using compounds of the type SiR ,, as the getter, where R metalloids of the IV, V, and VI groups of the periodic system, mainly carbon or nitrogen, and the value of X vary from 0.01 to 0.3. The use of non-stoichiometric silicon compounds of the indicated composition (or their compositions) as a getter makes it possible to eliminate the physical and technological limitations inherent in other getters. An infusion of the getter does not require any additional operations except the synthesis operation on the back side of the substrate of compounds of the type SiRj. In this case, the subsequent heat treatment of the getter can be combined with the annealing or oxidation processes required for the manufacture of this device. Gettering in this case will be