SU658775A1 - Method of selective erasing of signal in bistable storage crt - Google Patents
Method of selective erasing of signal in bistable storage crtInfo
- Publication number
- SU658775A1 SU658775A1 SU772462988A SU2462988A SU658775A1 SU 658775 A1 SU658775 A1 SU 658775A1 SU 772462988 A SU772462988 A SU 772462988A SU 2462988 A SU2462988 A SU 2462988A SU 658775 A1 SU658775 A1 SU 658775A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- signal
- reproducing
- electron beam
- information
- Prior art date
Links
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
II
Изобретение относитс к радиотехнике и может использоватьс в устройствах отображени информации.The invention relates to radio engineering and can be used in information display devices.
Известен способ выбооочного. стирани Сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с ВИДИ1ЛЫМ изображением путем облучени всей поверхности мишени расфокусированным воспроизвод щим пучком электронов 1.The known method of sampling. erasing the Signal in a bistable storage tube with a VISIBLE image by irradiating the entire target surface with a defocused repetitive electron beam 1.
Однако в известном способе низка точность выборочного стирани сигнала.However, in the known method, the accuracy of selective signal erasure is low.
Цель изобретени - повышение точности выборочного стирани сигнала.The purpose of the invention is to improve the accuracy of selective signal erasure.
Дл этого в способе выборочного стирани сигнала в бистабнльной запомииаюш,ей электроннолучевой трубке с видимым изображением путем облучени всей поверхности мишени расфокусированным воспроизвод щим пучком электронов, часть расфокусироваиного воспроизвод щего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мищени до п ти-дес ти кратного увеличени плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мишень.отрицательный импульс с амплитудой, равной раб очему напр жению на коллекторе, длительностью , равной 5-50 мсек, и соотношениемTo do this, in the method of selectively erasing a signal in a bistable memory, to her an electron beam tube with a visible image by irradiating the entire target surface with a defocused electron reproduction beam, a part of the defocusing electron reproduction beam is focused to a five to tenfold increase in beam current density compared to its average density and is fed to a target. a negative pulse with an amplitude equal to the slave voltage across the collector with a duration of 5 -50 msec, and the ratio
между длительност ми .переднего и заднего фронтов отрицательного импульса не менее 1:10.between the duration of the front and rear edges of the negative pulse is not less than 1:10.
На фиг. 1 представлено схематическое изображение устройства, реализующего предложечный способ; на фиг. 2 приведена крива зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии eS от энергии электронного пучка воспроизвод щего прожектора .FIG. 1 shows a schematic representation of a device implementing the prepositional method; in fig. Figure 2 shows the curve for the dependence of the secondary electron emission coefficient eS on the energy of the electron beam of a reproducing projector.
Сущность способа выборочного утирани сигнала в бистабильиой запоминаю1цей электроннолучевой трубке с видимым изображением заключаетс в следующем.The essence of the method of selectively wiping a signal into a bistable memory of a cathode ray tube with a visible image is as follows.
Всю поверхность мишени облучают расфокусированным воспроизвод щим пучком электронов, фокусируют на участке мишени, на котором производитс выборочное стирание , часть расфокусированного воспроизвод щего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до п ти-дес ти кратного увеличени плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мишень или коллектор отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напр жению на коллекторе, длительностью, равной 5-50 мсек, и соотношением междуThe entire surface of the target is irradiated with a defocused repetitive electron beam, focused on the target site, which is selectively erased, and a part of the defocused repetitive electron beam is focused in the selected target site to a five to tenfold increase in the beam current density compared to its average density and a negative pulse is fed to the target or collector with an amplitude equal to the working voltage at the collector, with a duration of 5-50 ms, and the ratio between
длительност ми переднего и заднего фронтов отрйцатель)юго импульса не менее 1:10.the duration of the front and rear fronts of the detector) the south impulse is not less than 1:10.
Устройство, реализующее предложенный способ, содержит бистабильную запоминающую электроннолучевую трубку 1 с отклон юпхей системой 2 и внешнее фокусирующее устройство 3.A device that implements the proposed method contains a bistable memory cathode ray tube 1 with a deviation yuphei system 2 and an external focusing device 3.
Бистабильна запоминающа электроннолучева трубка 1 содержит стеклооболочку 4 мишень 5 с диэлектрической поверхностью б записывающий прожектор 7, воспроизвод щий прожектор 8, экран 9, коллектор 10 и линзу коллимации 11.The bistable storage electron beam tube 1 contains a glass shell 4 a target 5 with a dielectric surface b a recording spotlight 7, a reproducing spotlight 8, a screen 9, a collector 10 and a collimation lens 11.
Кроме того, на фиг. 1 показаны участок 12 мишени 5, на котором происходит выборочное стирание сигнала, расфокусированный воспроизвод щий пучок электронов 13, формируемый воспроизвод щим прожектором 8, и записывающий пучок электронов 14.In addition, in FIG. 1 shows a portion 12 of a target 5 in which a selective erasure of a signal occurs, a defocused reproducing electron beam 13 formed by a reproducing projector 8 and recording an electron beam 14.
Вс диэлектрическа поверхность 6 мищени 5 облучаетс расфокусированным воспроизвод щим пучком электронов 13, и с помощью записывающего пучка электронов 14 создаетс на мишени 5 положительный потенциальный рельеф, соответствующий закону отклонени записывающего пучка электро нов 14 по диэлектрической поверхности б мишени 5. Выборочное стирание информации производитс путем фокусировки части расфокусированного воспроизвод щего пучка электронов 13 с помощью внещнего фокусирующего устройства 3, установленнего перед экраном 9 напротив участка 12 мищени5 , на котором необходимо произвести сти-, рание информации. Затем часть расфокусированного воспроизвод щего пучка электронов 13 фокусируетс до п ти-дес ти кратного увеличени плотности тока в плоскости м.итени 5 по сравнению со средней плотностью воспроизвод щего пучка 13, облучающего всю поверхность мишени 5.The entire dielectric surface 6 of target 5 is irradiated with a defocused repetitive electron beam 13, and using a recording electron beam 14 creates a positive potential relief on target 5, which corresponds to the law of deflection of the recording electron beam 14 along the dielectric surface of the target 5. Selective deletion of information is produced by focusing part of the defocused reproducing electron beam 13 using an external focusing device 3 mounted in front of the screen 9 opposite section 12 of the mission5, where it is necessary to make a lot of information. Then a part of the defocused reproducing electron beam 13 is focused to a five to tenfold increase in the current density in the plane of the shadow 5 compared to the average density of the reproducing beam 13, which irradiates the entire surface of the target 5.
Значительное увеличение плотности воспроизвод щего пучка 13 на участке 12 мишени 5, на котором необходимо стереть информацию , св зано с тем, что врем , необходимое дл стирани записанного положительного рельефа воспроизвод щим потоком электронов при энергии, соответствующей потенциалу, меньшему Uupi (фиг. 2), обратно пропорционально плотности тока воспроизвод щего пучка. Поэтому фокусировка части воспроизвод щего пучка 13, а следовательно, значительное увеличение плотности тока электронов воспроизвод щего прожектора 8 на участке 12 мишени 5, необходимо дл того, чтобы дл стирани информации -на участке 12 мишени 5 потребовалось врем , в несколько раз меньшее, чем дл стирани информации на остальней поверхности мишени 5. Затем на мишень 5 {или коллектор 10) подаетс короткий (5-50 мсек) отрицательный импульс с амплитудой , равной рабочему напр жению коллектора 10 с крутым передним и пологим задним фронтами.A significant increase in the density of the reproducing beam 13 in the area 12 of the target 5, on which information needs to be erased, is due to the fact that the time required to erase the recorded positive relief with a repetitive flow of electrons at an energy corresponding to a potential lower than Uupi (Fig. 2) , inversely proportional to the current density of the reproducing beam. Therefore, the focusing of the part of the reproducing beam 13, and consequently, a significant increase in the current density of the electrons of the reproducing illuminator 8 in the area 12 of the target 5, is necessary so that to erase the information in the section 12 of the target 5 it takes several times less time than for erasing information on the remaining surface of target 5. Then, target 5 {or collector 10) is given a short (5-50 ms) negative impulse with an amplitude equal to the operating voltage of collector 10 with steep anterior and gentler falling edges.
Использование такого импульса обуславливаетс тем, что амплитуда импульса по абсолютной величине должна быть заведомо больше первого критического потенциала с учетом его разброса + AVtipi (фиг. 2) по диэлектрической поверхности 6 мишени 5. Поскольку рабочее напр жение коллектора 10 равно ., то учитыва разброс по диэлектрической поверхности 6 мишени 5, амплитуду импульса стирани целесообразно устанавливать равной рабочемунапр жению коллектора. Задний фронт сти-f рающего импульса должен быть пологим; В противном случае, за счет емкостной св зи мишень-коллектор по окончании стирающего импульса с крутым задним фронтом произойдет перезар д диэлектрической поверхности 6 мищени 5 до потенциала коллектора 10.The use of such a pulse is due to the fact that the absolute amplitude of the pulse must be obviously greater than the first critical potential, taking into account its spread + AVtipi (Fig. 2) over the dielectric surface 6 of the target 5. Since the working voltage of the collector 10 the dielectric surface 6 of the target 5, the amplitude of the erase pulse, it is advisable to set equal to the working voltage of the collector. The rear front of the firing pulse should be gentle; Otherwise, due to the capacitive coupling of the target-collector, at the end of the erasing pulse with a steep falling edge, the dielectric surface 6 of target 5 will recharge to the potential of the collector 10.
Если передний фронт импульса составл ет более 10% от заднего, то трудно установить такую минимальную длительность км пульса, при которой произойдет стирание информации. Этим и обуславливаетс применение импульса с крутым передним фронтом .If the leading edge of the pulse is more than 10% of the back, then it is difficult to establish such a minimum pulse length of km, at which information will be erased. This causes the use of a pulse with a steep leading edge.
Воспроизвод щий поток-электронов нач№ нает стирать информацию при условии, если положительный потенциальный рельеф, приблизительно равный потенциалу коллектора 10 и в. соответствующий записанной информации , будет смещен за счет емкостей св зи мишень 5 - диэлектрическа поверхность б с помощью отрицательного импульса, подаваемого на мишень 5 к потенциалу катода воспроизвод щего прожектора 8. Стирание информации возможно и при условии подачи этого же отрицательного импульса на коллектор 10.The reproducing electron flow begins to erase information, provided that the positive potential relief is approximately equal to the potential of the collector 10 and c. corresponding to the recorded information, the target 5 - dielectric surface b will be displaced due to the communication capacitance by means of a negative impulse applied to the target 5 to the cathode potential of the reproducing floodlight 8. Erasing information is possible and subject to supplying the same negative impulse to the collector 10.
При осуществлении указанной последовательности действий и применении короткого (5-50-мсек) импульса записанный потенциальный рельеф на выбранном участке J2 мищени 5 будет снижен ,а на всей остальной диэлектрической поверхности 6 мишени 5 до 1н 1/пр« (фиг. 2) По окончании действи импульса воспроизвод щий пучок электронов 13. доведет потенциал UH на выбранном участке 12 мишени 5 до нулевого значени , а потенциал диэлектрической поверхности б мишени 5, на которой необходимо сохраиить ранее, записанную информацию, восстановит до потенциала коллектора 10 и(фиг. 2). В резульуате будет произведено выборочное стирание информации.When performing the specified sequence of actions and applying a short (5-50-ms) pulse, the recorded potential relief in the selected section J2 of target 5 will be reduced, and on the rest of the dielectric surface 6 of the target 5 to 1 n 1 / np (Fig. 2). the pulse, the reproducing electron beam 13. will bring the potential UH in the selected section 12 of target 5 to zero, and the potential of the dielectric surface b of target 5, on which it is necessary to preserve previously, the recorded information will restore to the potential and the torus 10 (FIG. 2). The result will be a selective erasure of information.
Таким образом, предложенный способ позвол ет контролировать точность установки воспроизвод щего пучка электронов на заданномучастке мишени и качества последовательного стирани записанной на мишени информации в виде отдельных «цифр, знаков, графиков и одновременнб наблюдать информацию , котора не подлежит выборочному стиранию.Thus, the proposed method allows controlling the accuracy of the installation of a reproducing electron beam at a given target site and the quality of sequential erasing of information recorded on the target as separate numbers, signs, graphs and simultaneously watching information that is not subject to selective erasure.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772462988A SU658775A1 (en) | 1977-03-15 | 1977-03-15 | Method of selective erasing of signal in bistable storage crt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772462988A SU658775A1 (en) | 1977-03-15 | 1977-03-15 | Method of selective erasing of signal in bistable storage crt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU658775A1 true SU658775A1 (en) | 1979-04-25 |
Family
ID=20699631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772462988A SU658775A1 (en) | 1977-03-15 | 1977-03-15 | Method of selective erasing of signal in bistable storage crt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU658775A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987002536A1 (en) * | 1985-10-18 | 1987-04-23 | Hilliard-Lyons Patent Management, Inc. | Cathodochromic crt erasure and tube set up method |
US4765717A (en) * | 1987-05-05 | 1988-08-23 | Tektronix, Inc. | Liquid crystal light valve with electrically switchable secondary electron collector electrode |
-
1977
- 1977-03-15 SU SU772462988A patent/SU658775A1/en active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987002536A1 (en) * | 1985-10-18 | 1987-04-23 | Hilliard-Lyons Patent Management, Inc. | Cathodochromic crt erasure and tube set up method |
US4698684A (en) * | 1985-10-18 | 1987-10-06 | Hilliard-Lyons Patent Management, Inc. | Cathodochromic CRT erasure and tube set up method |
US4765717A (en) * | 1987-05-05 | 1988-08-23 | Tektronix, Inc. | Liquid crystal light valve with electrically switchable secondary electron collector electrode |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2535817A (en) | Electrooptical dark trace storage tube | |
US3710173A (en) | Direct viewing storage tube having mesh halftone target and nonmesh bistable target | |
JPS5389360A (en) | Electronic gun constituent | |
ES8203529A1 (en) | Method of extending the life of a cathode ray tube | |
IT7825901A0 (en) | MAGNETIZATION APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING A CATHODE RAY TUBE WHOSE ELECTRONIC BEAMS ARE STATICALLY CONVERGED AND PRODUCED THEREOF. | |
SU658775A1 (en) | Method of selective erasing of signal in bistable storage crt | |
ES429776A1 (en) | Circuit arrangement suitable for use in a television pick-up tube provided with an anti-comet tail electron gun | |
JP2870768B2 (en) | Image tube | |
US2787724A (en) | Electronic storage tubes | |
US3649866A (en) | Television camera storage tube having continual readout | |
US3772553A (en) | Secondary emission structure | |
JPS5760658A (en) | Cathode ray tube for light source | |
JPS545374A (en) | Electronic gun | |
GB896544A (en) | Improvements in or relating to signal storage tubes | |
US3181125A (en) | Signal readout system for thermoplastic recordings | |
GB1171828A (en) | Storage System. | |
US2807749A (en) | Apparatus for the electrical storage of digital information | |
GB994066A (en) | Improvements in or relating to circuit arrangements employing charge storage tubes | |
SU568982A1 (en) | Method of erasing recorded information in memory electron-beam tube with visible image | |
FR1277445A (en) | Electrical memory device | |
JPS5784554A (en) | Cathode-ray tube device | |
US3480824A (en) | Control devices for direct-viewing memory tubes | |
GB1102395A (en) | Electrical charge image storage apparatus | |
GB1085811A (en) | Method and apparatus for increasing writing rate of storage tube | |
SU464030A1 (en) | Chronographing method of single light signals |