SU641600A1

SU641600A1 - Power-diode electric drive

Info

Publication number: SU641600A1
Application number: SU772451573A
Authority: SU
Inventors: Юрий Иванович Конев; Евгений Владимирович Машуков; Юрий Николаевич Розно; Олег Евгеньевич Бочкарев; Маврикий Герсуевич Сон
Original assignee: Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им.С.Орджоникидзе
Priority date: 1977-02-14
Filing date: 1977-02-14
Publication date: 1979-01-05

Description

II

Изобретение относитс к вентильным электродвигател м и предназначено дл использовани в электрических приводах посто нного тока различного назначени , в частности дл звукозаписывающей аппаратуры .The invention relates to valve motors and is intended for use in direct current electric drives for various purposes, in particular for recording equipment.

Известны вентильные электродвигатели I, 2, используемые в электрических приводах , содержащие с 1нхронную машину, секции корной обмоткн которой подключены через транзисторы однополупериодного коммутатора, управл емого датчиком положени ротора, к источнику питани и цепи защиты транзисторов от перенапр жений.Valve electric motors I, 2, used in electric drives, are known to contain, from a 1-time machine, the core sections of which are connected via transistors of a one-half-period switch controlled by a rotor position sensor, to a power source and a transistor overvoltage protection circuit.

Основной их недостаток - значительные потери мощности в цеп х защиты.Their main drawback is significant power loss in the protection circuit.

Известен также вентильный электродвигатель 3, содержащий синхронную , секции корной обмотки которой подключены через транзисторы однополупериодного коммутатора, управл емого датчиком положени ротора, к источнику питани , динисторы , подключенные параллельно каждой секции корной обмотки и встречно источнику питани .Also known is a valve motor 3 containing a synchronous core section of which is connected via transistors of a one-half-switch that is controlled by a rotor position sensor to a power source, dynistors connected in parallel to each core section winding and opposite to the power source.

В указанном электродвигателе дл защиты транзисторов от перенапр жений, возникающих в секци х корной обмотки при их запирании, примен етс динистор, включенный параллельно секции корной обмотки и встречно источнику питани . При запирании одного из транзисторов коммутатора, в соответствующей ему секции корной обмотки наводитс ЭДС самоиндукции. При достижении величины ЭДС самоиндукции величины напр жени переключени динистора последний включаетс и шунтирует данную секцию корной обмотки. При этом максимвльное напр жение, прикладываемое к коллектору и эмиттеру транзистора, приблизительно равно сумме напр жени источника питани и напр жени переключени дннистора .In this electric motor, in order to protect transistors from overvoltages arising in the core winding sections when they are locked, a dynistor is applied, connected in parallel to the core winding section and opposite to the power source. When one of the switch transistors is locked, a self-induced EMF is induced in the corresponding section of the core winding. When the self-induced emf value reaches the switching voltage of the dynistor, the latter turns on and shunts this section of the core winding. At the same time, the maximum voltage applied to the collector and emitter of the transistor is approximately equal to the sum of the voltage of the power source and the switching voltage of the dnistor.

Напр жение переключени динистора выбирают больше максимально возможной величины ЭДС вращени , наведенной в секции корной обмотки {как правило, близкой к величине напр жени питани ).The switching voltage of the dynistor is chosen to be larger than the maximum possible value of the emf of rotation induced in the core section of the core (usually close to the value of the supply voltage).

Максимальное напр жение, прикладываемое к коллекторно-эмиттерному переходу транзистора в момент переключени , будет приближенно равно удвоенному напр жению питани .The maximum voltage applied to the collector-emitter junction of the transistor at the moment of switching will be approximately equal to twice the supply voltage.