SU640384A1 - Vidikon target - Google Patents
Vidikon targetInfo
- Publication number
- SU640384A1 SU640384A1 SU772516096A SU2516096A SU640384A1 SU 640384 A1 SU640384 A1 SU 640384A1 SU 772516096 A SU772516096 A SU 772516096A SU 2516096 A SU2516096 A SU 2516096A SU 640384 A1 SU640384 A1 SU 640384A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- vidikon
- signal electrode
- region
- signal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
структуры с требуемым шагом, например, методом фотолитографии и химического травлени . Сигнальна пластина с дискретным сигнальным электродом имеет дианазон прозрачности, ограничиваемый краем полосы пропусканий подложки.structures with the required step, for example, by the method of photolithography and chemical etching. A signal plate with a discrete signal electrode has a transparency bandwidth limited by the edge of the substrate bandwidth.
Использование сигнального электрода, выполненного в виде дискретного растра, приводит к значительному уменьшению потерь световой энергии, особенно в вакуумной УФ области спектра, из-за отсутстви дополнительного поглошени материалом сигнального электрода.The use of a signal electrode made in the form of a discrete raster leads to a significant decrease in the loss of light energy, especially in the vacuum UV region of the spectrum, due to the absence of additional absorption by the material of the signal electrode.
Можно считать, что механизм работы такой мишени по существу не отличаетс от механизма работы обычной гетероструктурной мишени видикона, поскольку использование сигнального электрода в виде растра с размером чейки 5-15 мкм слабо искажает электрическое поле.It can be considered that the mechanism of operation of such a target essentially does not differ from the mechanism of operation of a conventional heterostructural target of a vidicon, since the use of a signal electrode in the form of a raster with a cell size of 5-15 μm slightly distorts the electric field.
На чертеже представлен один из возможных вариантов предлагаемой мишени.The drawing shows one of the possible variants of the proposed target.
На прозрачную в УФ области спектра подложку 1 нанесен в виде сетчатого растра сигнальный электрод 2, имеюш.ий обш,ий вывод 3 и фотослой 4. Подложка выполнена из плавленного кварца. Сигнальный электрод выполнен из двуокиси олова в виде сетки с размером чейки 5-15 мкм, шириной прутка 5-15 мкм и получен из сплошной пленки, нанесенной методом катодно-реактивного распылени . Сопротивление такого электрода на рассто нии 14 мм между приложенными электродами составл ет 4-5 кОм. Спектральное пропускание сигнальной пластины на нм составл ет не менее 70%, тогда как дл сплошной сигнальной пластины при прочих равных услови х пропускание составл ет неThe substrate 1, which is transparent in the UV region of the spectrum, is deposited in the form of a grid raster, a signal electrode 2, which has an outer, 3 output, and a photo layer 4. The substrate is made of fused quartz. The signal electrode is made of tin dioxide in the form of a grid with a cell size of 5–15 µm, a rod width of 5–15 µm and obtained from a continuous film applied by means of cathode-reactive sputtering. The resistance of such an electrode at a distance of 14 mm between the applied electrodes is 4-5 kΩ. The spectral transmittance of the signal plate at nm is at least 70%, whereas for a solid signal plate, all other things being equal, the transmittance is not
более 30%. Фотослой представл ет собой многослойную композицию, включающую фоточувствительный слой селенида кадми , промежуточный слой, содержащий соединени кадми , кислорода и хлора, напримерover 30%. The photo layer is a multilayer composition comprising a photosensitive layer of cadmium selenide, an intermediate layer containing cadmium, oxygen and chlorine compounds, for example
оксихлорид кадми , толщиной 10-20 А, и слой высокоомного полупроводника, например , трисульфид мышь ка - сурьмы. Данный фотослой обладает при работе в стандартном релшме разложени высокой интегральной чувствительностью, малой инерционностью и высокой спектральной чувствительностью в УФ области. Видикон с такой мишенью может использоватьс в системах космического, специального или промышленного телевидени , работающих как в стандартном, так и в малокадровом режиме разложени как в видимой, так и в УФ области спектра.cadmium oxychloride, 10–20 A thick, and a high-resistance semiconductor layer, for example, mouse-antimony trisulfide. This photo layer has a high integral sensitivity, low inertia, and high spectral sensitivity in the UV region, when operating in standard relapse decomposition. Vidicon with such a target can be used in systems of space, special or industrial television, operating in both standard and low-frame mode of decomposition both in the visible and in the UV spectral region.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772516096A SU640384A1 (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Vidikon target |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772516096A SU640384A1 (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Vidikon target |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU640384A1 true SU640384A1 (en) | 1978-12-30 |
Family
ID=20721523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772516096A SU640384A1 (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Vidikon target |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU640384A1 (en) |
-
1977
- 1977-08-08 SU SU772516096A patent/SU640384A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU640384A1 (en) | Vidikon target | |
GB2026189A (en) | Electrochromic display device | |
JPH03241777A (en) | Photoconductive ultraviolet sensor | |
US5254849A (en) | Image reading apparatus having light shielding element disposed between light emitting elements | |
US4307319A (en) | Semiconductor layer of oxygen depletion type cerium oxide or lead oxide | |
JPS5780637A (en) | Target for image pickup tube | |
US20020192361A1 (en) | Fabricating technique of a miniature ultraviolet sensor | |
US4855727A (en) | Electrochromic display having a dielectric layer | |
JPS6327871B2 (en) | ||
SU619026A1 (en) | Copy material for electrophotography | |
JPH01134977A (en) | Image sensor | |
JPH02232975A (en) | Photoconductive sensor | |
JPS5826832B2 (en) | Method for manufacturing photoconductive targets | |
SU767682A1 (en) | Solid state optoelectronic display | |
KR0139818B1 (en) | Photo-piode of inage sensor for facsimiie | |
JPS622426B2 (en) | ||
JPH0151016B2 (en) | ||
JPS56109317A (en) | Electrochromic display element | |
SU828163A1 (en) | Image obtaining device | |
SU721865A1 (en) | Vidicon target | |
JPH02271225A (en) | Color sensing element and group of the same | |
SU395925A1 (en) | WTP5FVad a: W ::;: Pit; | |
JPH02263477A (en) | Photo sensor | |
JPH0335558A (en) | Color sensor | |
JPH01133377A (en) | Image sensor |