JPH0335558A - Color sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、カラーセンサに関するものであり、特に受
光部が非晶質シリコン層からなるカラーセンサに関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a color sensor, and particularly to a color sensor in which a light receiving portion is made of an amorphous silicon layer.
［従来の技術］
カラーセンサは、ビデオカメラのオートホワイトバラン
ス等に用いられる。従来のカラーセンサとして、受光部
が結晶シリコン層からなるものがある。しかし、結晶シ
リコンは赤外線も吸収して電気信号に変換するので、受
光部に結晶シリコン層を用いた場合は、カラーセンサに
赤外線カットフィルタを設けなければならない。[Prior Art] Color sensors are used for automatic white balance of video cameras, etc. Some conventional color sensors have a light receiving section made of a crystalline silicon layer. However, since crystalline silicon also absorbs infrared rays and converts them into electrical signals, when a crystalline silicon layer is used in the light receiving section, an infrared cut filter must be provided in the color sensor.
ところで、非晶質シリコンは、赤外線を吸収しない。よ
って非晶質シリコン層を受光部にしたカラーセンサにお
いては、赤外線カットフィルタが不要となる。By the way, amorphous silicon does not absorb infrared rays. Therefore, in a color sensor using an amorphous silicon layer as a light receiving part, an infrared cut filter is not necessary.
第２図は、受光部が非晶質シリコン層からなる従来のカ
ラーセンサの構造を示す図である。透光性基板１はガラ
スからなる。透光性基板１の上には、紫外線カットフィ
ルタ２が設けられている。FIG. 2 is a diagram showing the structure of a conventional color sensor in which a light receiving section is made of an amorphous silicon layer. The transparent substrate 1 is made of glass. A UV cut filter 2 is provided on the transparent substrate 1.
紫外線カットフィルタ２は、ガラスにチタン等のイポー
ンを注入したものである。紫外線力ットフィルタ２の上
には、カラーフィルタ３が設けられている。カラーフィ
ルタ３はエポキシ樹脂にインクを混ぜたものである。カ
ラーフィルタ３の上には透明導電膜４が設けられている
。透明導電膜４は、ＩＴＯ（インジウムティンオキサイ
ド）からなる。The ultraviolet cut filter 2 is made of glass injected with a material such as titanium. A color filter 3 is provided above the ultraviolet cut filter 2. The color filter 3 is made of epoxy resin mixed with ink. A transparent conductive film 4 is provided on the color filter 3. The transparent conductive film 4 is made of ITO (indium tin oxide).
透明導電膜４の上には、受光部５が設けられている。受
光部５は、ｐ型の非晶質シリコン層、ｉ型の非晶質シリ
コン層、ｎ型の非晶質シリコン層を積層したものである
。受光部５の上には、電極６が設けられている。電極６
はニッケルからなる。A light receiving section 5 is provided on the transparent conductive film 4. The light receiving section 5 is a stack of a p-type amorphous silicon layer, an i-type amorphous silicon layer, and an n-type amorphous silicon layer. An electrode 6 is provided on the light receiving section 5 . Electrode 6
is made of nickel.
次に、受光部が非晶質シリコン層からなる従来のカラー
センサの製造方法を説明する。Next, a method of manufacturing a conventional color sensor in which the light receiving portion is made of an amorphous silicon layer will be described.
まず、透光性基板１を準備する。First, a transparent substrate 1 is prepared.
次に、透光性基板１の上に、予め作製しておいた紫外線
カットフィルタ２を貼り付ける。Next, an ultraviolet cut filter 2 prepared in advance is pasted onto the transparent substrate 1.
次に、紫外線カットフィルタ２の上に、カラーフィルタ
３を印刷する。Next, a color filter 3 is printed on the ultraviolet cut filter 2.
次に、カラーフィルタ３の上に透明導電膜４をスパッタ
リングによって形成する。Next, a transparent conductive film 4 is formed on the color filter 3 by sputtering.
次に、透明導電膜４の上に、プラズマＣＶＤ法を用いて
、ｐ型非晶質シリコン層、ｉ型非晶質シリコン層、ｎ型
非晶質シリコン層を順に形成する。Next, a p-type amorphous silicon layer, an i-type amorphous silicon layer, and an n-type amorphous silicon layer are sequentially formed on the transparent conductive film 4 using a plasma CVD method.
これにより、透明導電膜４の上に受光部５が形成される
。Thereby, the light receiving section 5 is formed on the transparent conductive film 4.
次に、受光部５の上に電極６を電子ビーム蒸着で形成す
る。以上の工程により、受光部が非晶質シリコン層から
なる従来のカラーセンサの製造工程が終了する。Next, an electrode 6 is formed on the light receiving section 5 by electron beam evaporation. The above steps complete the manufacturing process of a conventional color sensor whose light receiving portion is made of an amorphous silicon layer.
次に、受光部が非晶質シリコン層からなる従来のカラー
センサの動作を第２図を用いて説明する。Next, the operation of a conventional color sensor whose light receiving portion is made of an amorphous silicon layer will be described with reference to FIG.
矢印Ａで示す方向から入射した光は、まず透光性基板１
を透過する。次に透過した光のうち、赤外線と可視光線
とが紫外線カットフィルタ２を透過する。よって紫外線
は、紫外線カットフィルタ２で吸収される。紫外線カッ
トフィルタ２を透過した光のうち、赤外線と所定の波長
領域の可視光線（たとえば、カラーフィルタ３が青色な
ら、青色の波長領域の可視光線）がカラーフィルタ３を
透過する。したがって、カラーフィルタ３において、所
定の波長領域以外の波長領域の可視光線が吸収される。Light incident from the direction shown by arrow A first passes through the transparent substrate 1.
Transparent. Next, among the transmitted light, infrared rays and visible rays are transmitted through the ultraviolet cut filter 2. Therefore, the ultraviolet rays are absorbed by the ultraviolet cut filter 2. Of the light that passes through the ultraviolet cut filter 2 , infrared rays and visible light in a predetermined wavelength range (for example, if the color filter 3 is blue, visible light in the blue wavelength range) pass through the color filter 3 . Therefore, in the color filter 3, visible light in a wavelength range other than the predetermined wavelength range is absorbed.
次に、カラーフィルタ３を透過した赤外線と所定の波長
領域の可視光線とは、透明導電膜４を透過して、受光部
５に入射する。Next, the infrared rays and visible light in a predetermined wavelength range that have passed through the color filter 3 pass through the transparent conductive film 4 and enter the light receiving section 5 .
受光部５に入射した所定の波長領域の可視光線は、非晶
質シリコン層で電気信号に変換される。Visible light in a predetermined wavelength range that enters the light receiving section 5 is converted into an electrical signal by the amorphous silicon layer.
そしてこの電気信号は、電極６と透明導電膜４とから取
出される。赤外線は、非晶質シリコン層に吸収されない
。よって赤外線が受光部５に入射しても、赤外線によっ
ては電気信号は発生しない。This electrical signal is then extracted from the electrode 6 and the transparent conductive film 4. Infrared radiation is not absorbed by the amorphous silicon layer. Therefore, even if infrared rays are incident on the light receiving section 5, no electrical signal is generated depending on the infrared rays.
［発明が解決しようとする課８１
先程説明したように、受光部が非晶質シリコン層からな
る従来のカラーセンサにおいては、透光性基板１の上に
予め作製しておいた紫外線カットフィルタ２を貼り付け
ていた。したがって、このカラーセンサ作製工程におい
ては、紫外線カットフィルタを作製する工程と紫外線カ
ットフィルタを透光性基板に貼り付ける工程とが不可欠
な工程となっていた。これにより、このカラーセンサの
作製工程が複雑化し、カラーセンサのコスト低下の障害
となっていた。[Problem to be solved by the invention 81 As explained earlier, in the conventional color sensor in which the light receiving part is made of an amorphous silicon layer, the ultraviolet cut filter 2 prepared in advance on the transparent substrate 1 is used. was pasted. Therefore, in this color sensor manufacturing process, the steps of manufacturing an ultraviolet cut filter and attaching the ultraviolet cut filter to a light-transmitting substrate are essential steps. This complicates the manufacturing process of this color sensor, which is an obstacle to reducing the cost of the color sensor.
この発明は、かかる従来の問題点を解決するためになさ
れたものである。この発明の目的は、作製工程を単純化
できる、受光部が非晶質シリコン層からなるカラーセン
サを提供することである。This invention has been made to solve these conventional problems. An object of the present invention is to provide a color sensor whose light receiving portion is made of an amorphous silicon layer, which can simplify the manufacturing process.
［課題を解決するための手段］
この発明は、紫外線カットフィルタとカラーフィルタと
受光部とを備えたカラーセンサに関するものである。[Means for Solving the Problems] The present invention relates to a color sensor including an ultraviolet cut filter, a color filter, and a light receiving section.
紫外線力ットフィタは、入射した光のうち赤外線と可視
光線とを選択的に透過する。The ultraviolet light filter selectively transmits infrared rays and visible rays of the incident light.
カラーフィルタは、紫外線カットフィルタの上に形成さ
れている。紫外線カットフィルタを透過した赤外線と可
視光線のうち、赤外線と所定の波長領域の可視光線とが
カラーフィルタを透過する。The color filter is formed on the ultraviolet cut filter. Of the infrared rays and visible rays that have passed through the ultraviolet cut filter, infrared rays and visible rays in a predetermined wavelength range are transmitted through the color filter.
受光部は、カラーフィルタの上に形成されている。受光
部は非晶質シリコン層からできている。The light receiving section is formed on the color filter. The light receiving section is made of an amorphous silicon layer.
カラーフィルタを透過した赤外線と所定の波長領域の可
視光線のうち、所定の波長領域の可視光線が、非晶質シ
リコン層に吸収される。これにより電気信号が発生する
。Of the infrared rays and visible light in a predetermined wavelength range that have passed through the color filter, visible light in a predetermined wavelength range is absorbed by the amorphous silicon layer. This generates an electrical signal.
この発明は、このようなカラーセンサにおいて紫外線カ
ットフィルタとして、非晶質シリコンカーボンおよび非
晶質シリコン窒素のうち少なくともいずれか一方の材料
を用いたことを特徴としている。The present invention is characterized in that at least one of amorphous silicon carbon and amorphous silicon nitrogen is used as the ultraviolet cut filter in such a color sensor.
［作用］
この発明に従ったカラーセンサにおいては、受光部と紫
外線カットフィルタとが非晶質シリコン系の材料からで
きている。受光部と紫外線カットフィルタとは、ともに
非晶質シリコン系の材料なので、受光部と紫外線カット
フィルタとは同じ方法で作製することができる。このた
め、カラーセンサ作製の際に紫外線カットフィルタを予
め準備しておく必要がなくなる。したがって、カラーセ
ンサ作製工程を単純化できる。[Function] In the color sensor according to the present invention, the light receiving section and the ultraviolet cut filter are made of an amorphous silicon-based material. Since both the light receiving section and the ultraviolet cut filter are made of amorphous silicon-based materials, the light receiving section and the ultraviolet cut filter can be manufactured by the same method. Therefore, there is no need to prepare an ultraviolet cut filter in advance when manufacturing a color sensor. Therefore, the color sensor manufacturing process can be simplified.
［丈施例］
この発明に従ったカラーセンサの一実施例を以下説明す
る。第１図はこの発明に従ったカラーセンサの一実施例
の構造を示す図である。透光性基板１１は、ガラス（青
板）からできている。透光性基板１１の一方の表面の上
には、カラーフィルタ１２が形成されている。カラーフ
ィルタ１２は、赤色のフィルタと緑色のフィルタと青色
のフィルタとが並列的に設けられたものである。カラー
フィルタ１２は、エポキシ樹脂にインクを混ぜたもので
ある。透光性基板１１の他方の表面の上には紫外線カッ
トフィルタ１５が形成されている。紫外線カットフィル
タ１５の材料は、非晶質シリコンカーボンである。非晶
質シリコンにカーボンを混ぜたのは、紫外線カットフィ
ルタの材料が非晶質シリコンのみだと、紫外線のほか、
可視光線も吸収してしまうからである。[Example of Length] An example of the color sensor according to the present invention will be described below. FIG. 1 is a diagram showing the structure of an embodiment of a color sensor according to the present invention. The transparent substrate 11 is made of glass (blue plate). A color filter 12 is formed on one surface of the transparent substrate 11. The color filter 12 includes a red filter, a green filter, and a blue filter arranged in parallel. The color filter 12 is made of epoxy resin mixed with ink. An ultraviolet cut filter 15 is formed on the other surface of the transparent substrate 11. The material of the ultraviolet cut filter 15 is amorphous silicon carbon. The reason why carbon is mixed with amorphous silicon is that if the UV cut filter is made only of amorphous silicon, in addition to UV rays,
This is because it also absorbs visible light.
カラーフィルタ１２の上には、透明導電膜１３が形成さ
れている。透明導電膜１３は、５ｎ０２からできている
。A transparent conductive film 13 is formed on the color filter 12. The transparent conductive film 13 is made of 5n02.
透明導電膜１３の上には、受光部１４が形成されている
。受光部１４は、ｐ型の非晶質シリコン層、ｉ型の非晶
質シリコン層、ｎ型の非晶質シリコン層とを順に積層し
たものである。A light receiving section 14 is formed on the transparent conductive film 13. The light receiving section 14 is formed by laminating a p-type amorphous silicon layer, an i-type amorphous silicon layer, and an n-type amorphous silicon layer in this order.
受光部１４の上には、電極１６が形成されている。電極
１６はニッケルからできている。An electrode 16 is formed on the light receiving section 14 . Electrode 16 is made of nickel.
次に、この発明に従ったカラーセンサの一実施例の製造
方法を以下説明する。Next, a method for manufacturing an embodiment of a color sensor according to the present invention will be described below.
まず、透光性基板１１を準備する。First, a transparent substrate 11 is prepared.
次に、透光性基板１１の一方の表面の上にカラーフィル
タ１２を形成する。カラーフィルタ１２は次のようにし
て形成する。まず透光性基板１１の一方の表面のうち、
３分の１の部分に赤色のフィルタを印刷法で形成する。Next, a color filter 12 is formed on one surface of the transparent substrate 11. The color filter 12 is formed as follows. First, of one surface of the transparent substrate 11,
A red filter is formed in one-third of the area using a printing method.
そして、透光性基板１１の一方の表面のうち、赤色のフ
ィルタが形成されている位置の隣りに位置する他の３分
の１の部分に緑色のフィルタを印刷法で形成する。さら
に、透光性基板１１の一方の表面のうち、緑色のフィル
タが形成されている位置の隣りに位置するさらに他の３
分の１の部分に青色のフィルタを印刷法で形成する。こ
れにより、透光性基板１１の一方の表面上にカラーフィ
ルタ１２が形成される。Then, a green filter is formed by a printing method on the other one-third portion of one surface of the light-transmitting substrate 11 adjacent to the position where the red filter is formed. Further, on one surface of the light-transmitting substrate 11, there are further three layers located adjacent to the position where the green filter is formed.
A blue filter is formed on the 1/4th area using a printing method. As a result, the color filter 12 is formed on one surface of the transparent substrate 11.
次に、カラーフィルタ１２の上に、透明導電膜１３をス
パッタリングによって形成する。Next, a transparent conductive film 13 is formed on the color filter 12 by sputtering.
次に、透光性基板１１の他方の表面に、紫外線カットフ
ィルタ１５である非晶質シリコンカーボン層を、プラズ
マＣＶＤ法を用いて形成する。非晶質シリコンカーボン
層の厚みが１００Ａになるように形成する。なお非晶質
シリコンカーボン層形成条件は第１表に示すとおりであ
る。Next, an amorphous silicon carbon layer serving as an ultraviolet cut filter 15 is formed on the other surface of the transparent substrate 11 using a plasma CVD method. The amorphous silicon carbon layer is formed to have a thickness of 100A. Note that the conditions for forming the amorphous silicon carbon layer are as shown in Table 1.
表−１
（以下余白）
次に、透明導電膜１３の上に受光部１４である非晶質シ
リコン層をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。非晶質
シリコン層は次のようにして形成する。まず、透明導電
膜１３の上に、ｐ型の非晶質シリコン層を形成する。次
にｐ型の非晶質シリコン層の上にｉ型の非晶質シリコン
層を形成する。Table 1 (blank below) Next, an amorphous silicon layer serving as the light receiving portion 14 is formed on the transparent conductive film 13 using a plasma CVD method. The amorphous silicon layer is formed as follows. First, a p-type amorphous silicon layer is formed on the transparent conductive film 13. Next, an i-type amorphous silicon layer is formed on the p-type amorphous silicon layer.
さらにｉ型の非晶質シリコン層の上にｎ型の非晶質シリ
コン層を形成する。以上により透明導電膜１３の上に受
光部１４である非晶質シリコン層が形成される。なお、
非晶質シリコン層は、紫外線カットフィルタ１５を形成
したチャンバと同じチャンバで形成されている。非晶質
シリコン層形成条件は１２ページに示す表２に示すとお
りである。Furthermore, an n-type amorphous silicon layer is formed on the i-type amorphous silicon layer. Through the above steps, an amorphous silicon layer serving as the light receiving section 14 is formed on the transparent conductive film 13. In addition,
The amorphous silicon layer is formed in the same chamber in which the ultraviolet cut filter 15 is formed. The conditions for forming the amorphous silicon layer are as shown in Table 2 on page 12.
（以下余白）
表−２
次に、受光部１４の上に、電極１６であるニッケルを電
子ビーム蒸着で形成する。電極１６の厚みが５０００Ａ
になるように形成する。以上の工程によりこの発明に従
ったカラーセンサの一実施例の製造工程が完了する。(The following is a blank space) Table 2 Next, nickel, which is the electrode 16, is formed on the light receiving section 14 by electron beam evaporation. The thickness of the electrode 16 is 5000A
Form it so that it becomes. The above steps complete the manufacturing process of an embodiment of the color sensor according to the present invention.
この発明に従ったカラーセンサの一実施例の動作は、従
来の受光部が非晶質シリコン層からなるカラーセンサと
同じなので、動作の説明は省略する。The operation of one embodiment of the color sensor according to the present invention is the same as that of a conventional color sensor in which the light receiving section is made of an amorphous silicon layer, so a description of the operation will be omitted.
第３図は、従来の受光部が非晶質シリコン層からなるカ
ラーセンサに用いられる紫外線カットフィルタの分光透
過率と波長との関係を示すグラフである。第４図は、こ
の発明に従ったカラーセンサの一実施例に用いられる紫
外線カットフィルタの分光透過率と波長との関係を示す
グラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the spectral transmittance and wavelength of an ultraviolet cut filter used in a conventional color sensor in which the light receiving section is made of an amorphous silicon layer. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the spectral transmittance and wavelength of an ultraviolet cut filter used in an embodiment of the color sensor according to the present invention.
どちらの紫外線カットフィルタも、４００ｎｍ以下の波
長の光をほぼカットすることがわかる。よって、紫外線
カットフィルタの材料に非晶質シリコンカーボンを用い
ても、紫外線カットフィルタの紫外線をカットする面で
の性能は劣化しない。It can be seen that both ultraviolet cut filters almost completely cut out light with a wavelength of 400 nm or less. Therefore, even if amorphous silicon carbon is used as the material of the ultraviolet cut filter, the performance of the ultraviolet cut filter in terms of cutting ultraviolet rays does not deteriorate.
この実施例の特有の効果を以下説明する。この実施例に
おいては、紫外線カットフィルタ１５を形成したチャン
バ内で、ガスだけを変えて引き続き受光部１４を形成し
ている。したがって、紫外線カットフィルタ１５と受光
部１４とは、同一チャンバ内で連続的に形成されるので
、カラーフィルタの作製工程をさらに単純化できる。つ
まり、第１図を参照して、透光性基板１１とカラーフィ
ルタ１２との間に紫外線カットフィルタ１５を形成する
と、紫外線カットフィルタ１５と受光部１４との間には
、カラーフィルタ１２と透明導電膜１３がある。このた
め、紫外線カットフィルタ１５と受光部１４とは同一チ
ャンバ内で連続的に形成できない。The unique effects of this embodiment will be explained below. In this embodiment, the light receiving section 14 is subsequently formed in the chamber in which the ultraviolet cut filter 15 is formed by changing only the gas. Therefore, since the ultraviolet cut filter 15 and the light receiving section 14 are formed continuously in the same chamber, the process of manufacturing the color filter can be further simplified. That is, referring to FIG. 1, when the ultraviolet cut filter 15 is formed between the transparent substrate 11 and the color filter 12, the color filter 12 and the transparent There is a conductive film 13. Therefore, the ultraviolet cut filter 15 and the light receiving section 14 cannot be formed continuously in the same chamber.
また、紫外線カットフィルタ１５である非晶質シリコン
カーボン層を薄くしたり、非晶質シリコンカーボン層中
のカーボンの量を多くすると、紫外線カットフィルタ１
５の紫外線吸収量が減り、紫外線の一部が受光部に到達
する。これにより、紫外線の一部が受光部に吸収され電
気信号に変換される。よって、このようにするとカラー
センサの青色の感度が短波長側にシフトする。この実施
例においては、非晶質シリコンカーボン層を薄くしたり
、非晶質シリコンカーボン層中のカーボンの量を多くす
ることができる。したがって、この実施例においてはカ
ラーセンサの青色の感度を短波長側にシフトさせること
ができる。ちなみに、非晶質シリコンカーボン層中のカ
ーボン量は、ＣＨ４ガス流量の増加やＲＦパワーの増加
によって、増加させることができる。In addition, if the amorphous silicon carbon layer that is the ultraviolet cut filter 15 is made thinner or the amount of carbon in the amorphous silicon carbon layer is increased, the ultraviolet cut filter 1
The amount of ultraviolet rays absorbed by No. 5 decreases, and a portion of the ultraviolet rays reaches the light receiving section. As a result, a portion of the ultraviolet light is absorbed by the light receiving section and converted into an electrical signal. Therefore, when this is done, the blue sensitivity of the color sensor is shifted to the shorter wavelength side. In this embodiment, the amorphous silicon carbon layer can be made thinner and the amount of carbon in the amorphous silicon carbon layer can be increased. Therefore, in this embodiment, the blue sensitivity of the color sensor can be shifted to the shorter wavelength side. Incidentally, the amount of carbon in the amorphous silicon carbon layer can be increased by increasing the CH4 gas flow rate or increasing the RF power.
なお、この実施例においては、紫外線カットフィルタ１
５の材料として、非晶質シリコンカーボンを用いている
。しかしながら、この発明においては、これに限定され
るわけではなく、紫外線カットフィルタ１５の材料とし
て、非晶質シリコン窒素を用いても構わない。Note that in this embodiment, the ultraviolet cut filter 1
As the material of No. 5, amorphous silicon carbon is used. However, the present invention is not limited to this, and amorphous silicon nitrogen may be used as the material for the ultraviolet cut filter 15.
また、この実施例においては、カラーフィルタ１２を透
光性基板１１の一方の表面に、紫外線カットフィルタを
透光性基板１１の他方の表面に形成している。しかしな
がらこの発明においては、これに限定されるわけではな
く、紫外線カットフィルタ１５を透光性基板１１とカラ
ーフィルタ１２との間に形成してもよい。Further, in this embodiment, the color filter 12 is formed on one surface of the transparent substrate 11, and the ultraviolet cut filter is formed on the other surface of the transparent substrate 11. However, the present invention is not limited to this, and the ultraviolet cut filter 15 may be formed between the transparent substrate 11 and the color filter 12.
［効果］
この発明に従ったカラーセンサにおいては、受光部と紫
外線カットフィルタとが非晶質シリコン系の材料からで
きている。受光部と紫外線カットフィルタとは、ともに
非晶質シリコン系の材料なので、受光部と紫外線カット
フィルタとは同じ方法で作製することができる。このた
め、カラーセンサ作製の際に、紫外線カットフィルタを
予め準備しておく必要がなくなる。したがって、カラー
センサ作製工程を単純化できる。この結果、カラーセン
サの製造コストの低下を図ることができる。[Effects] In the color sensor according to the present invention, the light receiving section and the ultraviolet cut filter are made of an amorphous silicon-based material. Since both the light receiving section and the ultraviolet cut filter are made of amorphous silicon-based materials, the light receiving section and the ultraviolet cut filter can be manufactured by the same method. Therefore, there is no need to prepare an ultraviolet cut filter in advance when manufacturing a color sensor. Therefore, the color sensor manufacturing process can be simplified. As a result, the manufacturing cost of the color sensor can be reduced.
第１図は、この発明に従ったカラーセンサの一実施例の
構造を示す図である。
第２図は、従来の受光部が非晶質シリコンからなるカラ
ーセンサの構造を示す図である。
第３図は、従来の受光部が非晶質シリコンからなるカラ
ーセンサに用いられる紫外線カットフィルタの分光透過
率と波長との関係を示すグラフを表わす図である。
第４図は、この発明に従ったカラーセンサの一実施例に
用いられる紫外線カットフィルタの分光透過率と波長と
の関係を示すグラフを表わす図である。
図において、１２はカラーフィルタ、１４は受光部、１
５は紫外線カットフィルタを示す。
第
図
第２図
−ＡFIG. 1 is a diagram showing the structure of an embodiment of a color sensor according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the structure of a conventional color sensor whose light receiving portion is made of amorphous silicon. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the spectral transmittance and wavelength of an ultraviolet cut filter used in a conventional color sensor whose light receiving portion is made of amorphous silicon. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the spectral transmittance and wavelength of the ultraviolet cut filter used in one embodiment of the color sensor according to the present invention. In the figure, 12 is a color filter, 14 is a light receiving section, 1
5 indicates an ultraviolet cut filter. Figure Figure 2-A
Claims (1)
る、紫外線カットフィルタと、前記紫外線カットフィル
タ上に形成され、前記透過した赤外線と可視光線のうち
、赤外線と所定の波長領域の可視光線とを選択的に透過
する、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成
され、前記透過した所定の波長領域の可視光線を電気信
号に変換する、非晶質シリコン層からなる受光部と、を
備えたカラーセンサにおいて、 前記紫外線カットフィルタとして、非晶質シリコンカー
ボンおよび非晶質シリコン窒素のうち、少なくともいず
れか一方の材料を用いたことを特徴とする、カラーセン
サ。[Scope of Claims] An ultraviolet cut filter that selectively transmits infrared rays and visible light among the incident light; a color filter that selectively transmits visible light in a wavelength range of A color sensor comprising: a light-receiving section; wherein at least one of amorphous silicon carbon and amorphous silicon nitrogen is used as the ultraviolet cut filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170809A JPH0335558A (en) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Color sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170809A JPH0335558A (en) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Color sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335558A true JPH0335558A (en) | 1991-02-15 |
Family
ID=15911742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170809A Pending JPH0335558A (en) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Color sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335558A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118066A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| JP2011075887A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Brother Industries Ltd | Developer container and image forming apparatus |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1170809A patent/JPH0335558A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118066A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| US8085256B2 (en) | 2005-04-28 | 2011-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| JP2011075887A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Brother Industries Ltd | Developer container and image forming apparatus |
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