SU632086A1 - Switching apparatus - Google Patents

Switching apparatus

Info

Publication number
SU632086A1
SU632086A1 SU772480337A SU2480337A SU632086A1 SU 632086 A1 SU632086 A1 SU 632086A1 SU 772480337 A SU772480337 A SU 772480337A SU 2480337 A SU2480337 A SU 2480337A SU 632086 A1 SU632086 A1 SU 632086A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
base
emitter
transistors
collector
Prior art date
Application number
SU772480337A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Серафимовмч Васильев
Михаил Борисович Дулин
Тагир Измайлович Алимов
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5973
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5973 filed Critical Предприятие П/Я М-5973
Priority to SU772480337A priority Critical patent/SU632086A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU632086A1 publication Critical patent/SU632086A1/en

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Изобретение относитс  к автоматике и может быть использовано в транзисторных преобразовател х дл  управлени  двигател ми посто нного тока, в преобразовател х и регул торах напр жени  и других импульс ных усилител х мощности с выходом н несколько дес тков и сотен ампер. Известны устройства коммутации, содержащие выходной транзистор, бло управлени  и трансформатор в цепи обратной св зи .ij Недостатком этих устройств  вл етс  низка  помехоустойчивость, обусловленна  наличием силовых реак тивных элементов. Кроме того, известны устройства коммутации, содержащие силовой, вых . ной и предвыходной транзисторы, вкл ченные по схеме составного транзист ра с дополнительным источником напр жени  между их коллекторами, ключ дл  запирани  этих транзисторов, тр усилительных каскада, цепь обратной св зи с коллектора выходного транзистора на вход устройства 2.. Недостатком этих устройств  вл етс  низка  помехоустойчивость из-за автоколебаний, возникающих при различных по величине токах нагрузки. С целью повышени  помехоустойчивости в устройство коммутации, содержащее входной транзистор, база которого через первый резистор соединена с входной шиной, два транзистора , коллекторы которых соединен ны с выходом ключа и базой предвыходного транзистора, включенного с выходным транзистором по схеме составного транзистора, и источник нап р жени , подключенный между коллекторами предвыходного и выходного транзисторов, введены, третий и чет- вертый транзисторы, резисторный делитель , конденсаторы, диоды и резисторы , причем база третьего транзистора через первый диод подключена к базе входного транзистора и входу ключа, а через второй диод.к коллектору выходного транзистора, эмиттер соединен со средней точкой делител , а коллектор - с эмиттером входного транзистора и через первый конденсатор - с коллектором четвертого транзистора; эмиттер этого транзистора через соединенные пара-лельно вторые резистор и конденсатор подключен к положительной шинеThe invention relates to automation and can be used in transistor converters for controlling DC motors, in converters and voltage regulators, and other power amplifiers with an output of several tens or hundreds of amperes. Switching devices are known that contain an output transistor, a control unit, and a transformer in the feedback circuit. Ii The disadvantage of these devices is their low noise immunity due to the presence of power reactive elements. In addition, the known switching devices containing power, o. transistor and pre-output transistors included in the composite transistor circuit with an additional voltage source between their collectors, a key for locking these transistors, amplifier circuit, feedback circuit from the collector of the output transistor to the device 2 input. The disadvantage of these devices is low noise immunity due to self-oscillations occurring at different load currents. In order to increase noise immunity in a switching device containing an input transistor, the base of which is connected to the input bus through the first resistor, two transistors, whose collectors are connected to the output of the key and the base of the pre-output transistor connected to the composite transistor, and the source n connected between the collectors of the output and output transistors, the third and fourth transistors, a resistor divider, capacitors, diodes and resistors are introduced, the base its transistor via a first diode connected to the base of the input transistor and the input key, and through a second diod.k collector output transistor, whose emitter is connected to a midpoint of the divider, and the collector - emitter of the input transistor and the capacitor through the first - fourth transistor collector; the emitter of this transistor through a parallel connected second resistor and a capacitor connected to the positive bus

источника смещени , а база соединена с базой второго транзистора и эмиттером первого транзистора, база которого подключена к коллектору входного транзистора. Кроме, того переход база - эмиттер предвыходного транзистора зашунтирован третьим диолом .source bias, and the base is connected to the base of the second transistor and the emitter of the first transistor, the base of which is connected to the collector of the input transistor. In addition, the base-to-emitter junction of the pre-output transistor is shunted by the third diol.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема устройсва .The drawing shows a circuit diagram of the device.

Эмиттер входного транзистора 1 соединен с коллектором транзистора 2, а базы этих транзисторов соединены через диод 3, Управл ющий импульсный сигнал проходит через резистор 4 на базу транзистора 1. Базы ранзисторов 1 и 2 соединены с плюсовой шиной источника напр жени  смещени  через резисторы 5 и б , а коллектор транзистора 1 - через резистор 7. Базы транзисторов 8 и 9 соединены с эмиттером транзистора 10 и соответственно через резисторы 11,12,13 - с плюсовой шиной источника напр жени  смещени .The emitter of the input transistor 1 is connected to the collector of transistor 2, and the bases of these transistors are connected through diode 3. The control pulse signal passes through resistor 4 to the base of transistor 1. The bases of the transistors 1 and 2 are connected to the positive bus of the bias voltage source through resistors 5 and 6 and the collector of transistor 1 through a resistor 7. The bases of transistors 8 and 9 are connected to the emitter of transistor 10 and, respectively, through resistors 11,12,13 to the positive bus of the bias voltage source.

База транзистора 10 соединена с коллектором транзистора 1. Коллекто транзистора 8 через резистор 14 соединен с минусовой шиной источника напр жени  смещени  и через конденсатор 15 - с эмиттером транзистора 1 и коллектором транзистора 2.The base of the transistor 10 is connected to the collector of the transistor 1. The collector of the transistor 8 is connected via a resistor 14 to the negative bus of the bias voltage source and through a capacitor 15 to the emitter of transistor 1 and the collector of transistor 2.

Резистор 11 в эмиттерной цепи транзистора 8 зашунтирован конденсатором 16. Соединенные вместе коллекторы транзисторов 9 и 10 подключены к базе предвыходного транзистора 17, эмиттер которого соединен с базой выходного транзистора 18. Между коллекторами транзисторов 17, 18 включен дополнительный источник напр жени  19, Эмиттерный переход транзистора 17 зашунтирован диодомThe resistor 11 in the emitter circuit of transistor 8 is bridged by a capacitor 16. Together, the collectors of transistors 9 and 10 are connected to the base of the pre-output transistor 17, the emitter of which is connected to the base of output transistor 18. An additional voltage source 19 is connected to the collectors of transistor 17, Emitter junction of transistor 17 is diode-shunted

20,а база этого транзистора соедин етс  с минусовой шиной источника напр жени  смещени  через ключ20, and the base of this transistor is connected to the negative bus of the bias voltage source through a switch

21,на вход которого поступает сигнал со входа после резистора 4. Базо-эмиттерный переход выходного транзистора 18 зашунтирован делителем на резисторах 22, 23, средн   точка которого соединена с эмиттером транзистора 2 .21, the input of which receives a signal from the input after resistor 4. The base-emitter junction of the output transistor 18 is shunted by a divider on resistors 22, 23, the midpoint of which is connected to the emitter of transistor 2.

Коллектор транзистора 18 через диод 24 подключен к базе транзистора 2.The collector of the transistor 18 through the diode 24 is connected to the base of the transistor 2.

Работает устройство следующим обрзом .До прихода управл ющего импульса транзистор 2 насыщен базовым током, протекающим по резистору 5. Остальные транзисторы закрыты. Ключ 21 замкнут , и на эмиттерных переходах тразисторов 17 и 18 присутствует запирающий потенциал.The device operates as follows. Before the arrival of the control pulse, transistor 2 is saturated with the base current flowing through the resistor 5. The remaining transistors are closed. The key 21 is closed, and a locking potential is present at the emitter transitions of the transistors 17 and 18.

С приходом на устройство отпирающего импульса ключ 21 размыкает , открываютс  транзисторы 1, 8, 9With the arrival of the trigger pulse on the device, the key 21 opens, the transistors 1, 8, 9 open.

10, 17 и 18. Потенциал коллектора транзистора 18 уменьшаетс , разделительный диод 24, открывшись, подзакрывает транзистор до тех пор, пока в устройстве не установитс  ди- намическое равновесие. Транзистор 18 оказываетс  при этом в насыщении. При изменении тока нагрузки через транзистор 18 соответствующим образом подоткрываетс  или подзакрываетс  и транзистор 2, и таким же образом увеличиваетс  или уменьшаетс  ток в транзисторах 1, 8, 9, 10 и предвыходном транзисторе 17. Отсутствие автоколебаний обеспечиваетс  при этом во всем диапазоне изменени  тока нагрузки.10, 17, and 18. The collector potential of transistor 18 decreases, separating diode 24, upon opening, closes the transistor until a dynamic balance is established in the device. The transistor 18 is thus saturated. When the load current through the transistor 18 changes, the transistor 2 also opens and closes in an appropriate way, and the current in transistors 1, 8, 9, 10 and the pre-output transistor 17 also increases or decreases in the same way.

Claims (2)

1. Моин B.C., Лаптев Н.Н. Стабилизированные транзисторные преобразователи , М., Энерги , 1972,1. Moin B.C., Laptev N.N. Stabilized transistor converters, M., Energie, 1972, с. 362.with. 362. 2. Электронна  техника в автоматике , вып. 4, под ред. Ю.И. Конева , Советское радио , 1973, 65 с. 19, рис.1.2. Electronic Engineering in Automation, vol. 4, ed. Yu.I. Konev, Soviet Radio, 1973, 65 p. 19, Fig. 1. « +“+
SU772480337A 1977-05-03 1977-05-03 Switching apparatus SU632086A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772480337A SU632086A1 (en) 1977-05-03 1977-05-03 Switching apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772480337A SU632086A1 (en) 1977-05-03 1977-05-03 Switching apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU632086A1 true SU632086A1 (en) 1978-11-05

Family

ID=20706683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772480337A SU632086A1 (en) 1977-05-03 1977-05-03 Switching apparatus

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU632086A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1101875A (en) Amplifier
KR920020847A (en) Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit
GB1078881A (en) Improvements in or relating to electric wave generating circuit arrangements
US3612912A (en) Schmitt trigger circuit with self-regulated arm voltage
SU632086A1 (en) Switching apparatus
GB984347A (en) Improvements in or relating to clampable integrating circuit arrangements
SU1580525A1 (en) Push-pull transformer power amplifier
SU417884A1 (en)
SU1483570A2 (en) Dc voltage transistor converter
SU613482A1 (en) Transistorized power amplifier
SU919074A1 (en) Dc-to-pulse frequency converter
SU576660A1 (en) Switchboard
SU586540A1 (en) Push-pull amplifier
SU1388975A1 (en) Frequency converter
SU661723A1 (en) Pulse generator
GB940980A (en) Improvements in or relating to circuit arrangements embodying transistors
SU1665473A1 (en) Device for control over transistor key
SU853755A2 (en) Dc-to-dc voltage converter
SU613480A1 (en) Power amplifier
SU520690A1 (en) Amplifier
SU785950A1 (en) Push-pull power amplifier
SU1742986A1 (en) Controlled transistor key
SU543134A1 (en) Amplifier
SU978346A1 (en) Two-position change-over switch
SU838946A1 (en) Device for phase control of thyristors