SU591210A2 - Устройство дл отжига кристаллов - Google Patents

Устройство дл отжига кристаллов

Info

Publication number
SU591210A2
SU591210A2 SU762407793A SU2407793A SU591210A2 SU 591210 A2 SU591210 A2 SU 591210A2 SU 762407793 A SU762407793 A SU 762407793A SU 2407793 A SU2407793 A SU 2407793A SU 591210 A2 SU591210 A2 SU 591210A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
container
crystal
annealing
ruby
crystals
Prior art date
Application number
SU762407793A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Семенович Коневский
Евгений Владимирович Кривоносов
Леонид Аркадьевич Литвинов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6496
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6496 filed Critical Предприятие П/Я Р-6496
Priority to SU762407793A priority Critical patent/SU591210A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU591210A2 publication Critical patent/SU591210A2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТ)КИГА КРИСТАЛЛОВ
1
Изобретение относитс  к устройствам дл  отжига высокотемпературных кристаллов, гла&ным образом рубинов и изделий из нил, н М1 жет быть использовано в химическсй npoMbuib ленности в производстве лазерного рубина,
По основному авт. св. № 463467 нэвест но устройство дл  отжига кристаллов или л& делий из них при предплавильных текшерат pax (более ).
Устройство включает два контейнера, установленные в полости нагревател  коаксвапьно один к /фугому, реперный кристалл, служащий датчиком температуры, и стержень, с системой автоматического регулировани  температуры отжига, перемещающийс  . при оппавпении реперногокристаппа. Стержень жестко скреплен с внутренним контейнером, дно которого опираетс  иа реперный крисtaлл .
К недостаткам взвестного устрЫ ства сле дует отнести до 1 вес.% (0,16-0,26 мг/элемеит) отжигаемых кристаллов и напыление материала контейнера (обычно молибдена ) на поверхность кристалла. Напьтение происходит в результате неизбежного испар&нв  материалов оснастки при вСлсокой температуре .
Так как кристалл испар етс  неравномерн вследствие анизотропии кристалличебкои рещетке , потер  1 вес.% приводит к по влению звшипсообразноств рубинового элемента, что, в свою очередь, ухудшает герметичность уплотнени  его в излучателе лазера.Напыление посторрнш1Х мат эриалов на поверхность, кр1Ь сталла нежелательно, так как вызывает в обходимость в дополнительной механической обработке, котора  всегда увеличивает глу бину дефектного приповерхностного сло .
Целью изобретени   вл етс  улучщение качества поверхности кристаллов путем ИО ключе нн  термохимического взаимодействи  рубина с материалом контейнера.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что контейнер устройства внутри футерован оболочкой из окиси алюмини , причем данна  часть оболочки выполнена из монокриста; ла, а боковые стенки - из спеченной окисв алюмини  пористостью не менее 60%.
В процессе отжига оболочка из окиси алюмини  с достаточно развитой поверхностью
совдаот высокую упругость паров окиси алк миии  в зоне отжига, преп тству  тем самым термическому испарению отжигаемых кристаллов (или элементов из них) и термохимическому взаимодействию с материалом ко тейнера (молибденом).
При пористости менее 60% потери при отжиге увеличиваютс . При нулевой пориотости , услови м которой соответствует футеровка из монокристалла сапфира, напыли ние исключаетс , но происходит испарение кристалла.
Улучшение качества обеспечивает пориотость 6О-70%. Дальнейшее повышение пс иотости не вли ет на испарение отжимаемых изделий и материала контейнера.
На чертеже показано предлагаемое уст ройство . Устройство состоит из контейнера и системы получени  сигнала о достижении пред плавильной температуры.
Контейнер 1 установлен внутри контейнеру 2 на реперном кристалле 3. Реперный кристалл расположен вертикально в лодочке 4i На крышке 5 внутреннего контейнера 1 жестко закреплен вер тикапьный стержень 6, Стержень 6 выведен из блока контейнеров. Шторка 7, шарнирно закрепленна  на кронште не 8, контактирует со стержнем 6. Контейнер 1 внутри футерован оболочкой. Он сОотоит из днища 9, выполненного из монокрио тагшической корундовой пластины, и боковых стенок 10, выполненных из спеченной пориотой окиси алюмини  Дл  предотвращени  повреждени  рубиновых элементов ппоскость днища, обращенна  внутрь контейнера 1, полирована. На эту плоскость устанавливают рубиновые элементы 11 и подвер гают отжигу.
В процессе отжига при достижении предплавильной температуры реперный кристалл
3, нагруженный контейнером 1, оплавл етс } контейнер 1 опускаетс , освобожда  шторку 7, после чего изпучеиие стержн  6 фиксируетс  фотс езистором, и режим подъема температуры смен етс  режимом изотермической выдержки.
Футеровка внутреннего контейнера 1 детал ми из окиси алюмини  с достаточно ра&витой поврехностью создает высокую упругость паров окиси алюмини  в зоне отжига, преп тству  тем самым термическому исп реншо рубиновых элементов и термохимичео кому взаимодействию рубина с материалом контейнера.
При отжиге в контейнере, футерс«анном спеченной окисью алюмини , потери снижают с  от 0.08-0,12 мг/элемент при до 10% и до 0,003-0,005;. мг/алемент при nqpacTociti 6О%. Дальнейшее увеличение пористости не вли ет на испарение отжигаемых изделий. На поверхности отожженных криогаппов или рубиновых эпементов отсутствует налет молибдена (материала контейнера) и Следы термохимического взаимодействи .. Элементы не требуют дополнительной механической обработки 6ОК.ОВС& поверхности.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  отжига кристаллов по авт св. № 463467, отличающеес  тем, что, с целью улучшени  качества поверхности кристаллов путем исключени  те| мохнмическ о взаимодействи  рубина с материалом контейнера контейнер в ием вь попвен в виде стакана с внутренней футеро к (й, при этом дно контейнера футеровано обо лочкой из монокристаллов окиси алюмини , а боковые стенки - из спеченвоК окиси алк мини  пористостью 60-70%,
SU762407793A 1976-09-20 1976-09-20 Устройство дл отжига кристаллов SU591210A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762407793A SU591210A2 (ru) 1976-09-20 1976-09-20 Устройство дл отжига кристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762407793A SU591210A2 (ru) 1976-09-20 1976-09-20 Устройство дл отжига кристаллов

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU463467 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU591210A2 true SU591210A2 (ru) 1978-02-05

Family

ID=20678202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762407793A SU591210A2 (ru) 1976-09-20 1976-09-20 Устройство дл отжига кристаллов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU591210A2 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3898051A (en) Crystal growing
EP0068021A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR FORMING AND GROWING A SINGLE CRYSTAL OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION.
KR20190002594A (ko) 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법
US5207992A (en) Silicon single crystal pulling-up apparatus
SU591210A2 (ru) Устройство дл отжига кристаллов
JP2923720B2 (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JPS63315589A (ja) 単結晶製造装置
JP2002080215A (ja) 多結晶半導体インゴットの製造方法
JP2509477B2 (ja) 結晶成長方法及び結晶成長装置
US5997640A (en) Device and method for liquefying and crystallizing substances
KR940004641B1 (ko) 단결정 제조장치
JPH11189487A (ja) 酸化物単結晶製造装置
KR960009701B1 (ko) 단결정 육성방법
JPH0315550Y2 (ru)
US4695347A (en) Process for the formation of single crystals from the gas phase
US6132508A (en) Device and method for liquefying and crystallizing substances
JP3695263B2 (ja) 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置
AU2021414416B2 (en) Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal
JPH0477708B2 (ru)
JPH0920596A (ja) 四ほう酸リチウム単結晶の製造装置
JPS623407Y2 (ru)
JPH06172083A (ja) 分子線エピタキシャル成長方法およびそれに用いるるつぼ
JP3551270B2 (ja) 単結晶の製造方法
KR940022678A (ko) 실리콘 단결정의 산소결합을 감소시키는 방법 및 그 장치
Stockbarger Improved crystallization of lithium fluoride of optical quality