SU591210A2 - Устройство дл отжига кристаллов - Google Patents
Устройство дл отжига кристалловInfo
- Publication number
- SU591210A2 SU591210A2 SU762407793A SU2407793A SU591210A2 SU 591210 A2 SU591210 A2 SU 591210A2 SU 762407793 A SU762407793 A SU 762407793A SU 2407793 A SU2407793 A SU 2407793A SU 591210 A2 SU591210 A2 SU 591210A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- container
- crystal
- annealing
- ruby
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТ)КИГА КРИСТАЛЛОВ
1
Изобретение относитс к устройствам дл отжига высокотемпературных кристаллов, гла&ным образом рубинов и изделий из нил, н М1 жет быть использовано в химическсй npoMbuib ленности в производстве лазерного рубина,
По основному авт. св. № 463467 нэвест но устройство дл отжига кристаллов или л& делий из них при предплавильных текшерат pax (более ).
Устройство включает два контейнера, установленные в полости нагревател коаксвапьно один к /фугому, реперный кристалл, служащий датчиком температуры, и стержень, с системой автоматического регулировани температуры отжига, перемещающийс . при оппавпении реперногокристаппа. Стержень жестко скреплен с внутренним контейнером, дно которого опираетс иа реперный крисtaлл .
К недостаткам взвестного устрЫ ства сле дует отнести до 1 вес.% (0,16-0,26 мг/элемеит) отжигаемых кристаллов и напыление материала контейнера (обычно молибдена ) на поверхность кристалла. Напьтение происходит в результате неизбежного испар&нв материалов оснастки при вСлсокой температуре .
Так как кристалл испар етс неравномерн вследствие анизотропии кристалличебкои рещетке , потер 1 вес.% приводит к по влению звшипсообразноств рубинового элемента, что, в свою очередь, ухудшает герметичность уплотнени его в излучателе лазера.Напыление посторрнш1Х мат эриалов на поверхность, кр1Ь сталла нежелательно, так как вызывает в обходимость в дополнительной механической обработке, котора всегда увеличивает глу бину дефектного приповерхностного сло .
Целью изобретени вл етс улучщение качества поверхности кристаллов путем ИО ключе нн термохимического взаимодействи рубина с материалом контейнера.
Поставленна цель достигаетс тем, что контейнер устройства внутри футерован оболочкой из окиси алюмини , причем данна часть оболочки выполнена из монокриста; ла, а боковые стенки - из спеченной окисв алюмини пористостью не менее 60%.
В процессе отжига оболочка из окиси алюмини с достаточно развитой поверхностью
совдаот высокую упругость паров окиси алк миии в зоне отжига, преп тству тем самым термическому испарению отжигаемых кристаллов (или элементов из них) и термохимическому взаимодействию с материалом ко тейнера (молибденом).
При пористости менее 60% потери при отжиге увеличиваютс . При нулевой пориотости , услови м которой соответствует футеровка из монокристалла сапфира, напыли ние исключаетс , но происходит испарение кристалла.
Улучшение качества обеспечивает пориотость 6О-70%. Дальнейшее повышение пс иотости не вли ет на испарение отжимаемых изделий и материала контейнера.
На чертеже показано предлагаемое уст ройство . Устройство состоит из контейнера и системы получени сигнала о достижении пред плавильной температуры.
Контейнер 1 установлен внутри контейнеру 2 на реперном кристалле 3. Реперный кристалл расположен вертикально в лодочке 4i На крышке 5 внутреннего контейнера 1 жестко закреплен вер тикапьный стержень 6, Стержень 6 выведен из блока контейнеров. Шторка 7, шарнирно закрепленна на кронште не 8, контактирует со стержнем 6. Контейнер 1 внутри футерован оболочкой. Он сОотоит из днища 9, выполненного из монокрио тагшической корундовой пластины, и боковых стенок 10, выполненных из спеченной пориотой окиси алюмини Дл предотвращени повреждени рубиновых элементов ппоскость днища, обращенна внутрь контейнера 1, полирована. На эту плоскость устанавливают рубиновые элементы 11 и подвер гают отжигу.
В процессе отжига при достижении предплавильной температуры реперный кристалл
3, нагруженный контейнером 1, оплавл етс } контейнер 1 опускаетс , освобожда шторку 7, после чего изпучеиие стержн 6 фиксируетс фотс езистором, и режим подъема температуры смен етс режимом изотермической выдержки.
Футеровка внутреннего контейнера 1 детал ми из окиси алюмини с достаточно ра&витой поврехностью создает высокую упругость паров окиси алюмини в зоне отжига, преп тству тем самым термическому исп реншо рубиновых элементов и термохимичео кому взаимодействию рубина с материалом контейнера.
При отжиге в контейнере, футерс«анном спеченной окисью алюмини , потери снижают с от 0.08-0,12 мг/элемент при до 10% и до 0,003-0,005;. мг/алемент при nqpacTociti 6О%. Дальнейшее увеличение пористости не вли ет на испарение отжигаемых изделий. На поверхности отожженных криогаппов или рубиновых эпементов отсутствует налет молибдена (материала контейнера) и Следы термохимического взаимодействи .. Элементы не требуют дополнительной механической обработки 6ОК.ОВС& поверхности.
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство дл отжига кристаллов по авт св. № 463467, отличающеес тем, что, с целью улучшени качества поверхности кристаллов путем исключени те| мохнмическ о взаимодействи рубина с материалом контейнера контейнер в ием вь попвен в виде стакана с внутренней футеро к (й, при этом дно контейнера футеровано обо лочкой из монокристаллов окиси алюмини , а боковые стенки - из спеченвоК окиси алк мини пористостью 60-70%,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762407793A SU591210A2 (ru) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Устройство дл отжига кристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762407793A SU591210A2 (ru) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Устройство дл отжига кристаллов |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU463467 Addition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU591210A2 true SU591210A2 (ru) | 1978-02-05 |
Family
ID=20678202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762407793A SU591210A2 (ru) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | Устройство дл отжига кристаллов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU591210A2 (ru) |
-
1976
- 1976-09-20 SU SU762407793A patent/SU591210A2/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3898051A (en) | Crystal growing | |
EP0068021A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR FORMING AND GROWING A SINGLE CRYSTAL OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION. | |
KR20190002594A (ko) | 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 | |
US5207992A (en) | Silicon single crystal pulling-up apparatus | |
SU591210A2 (ru) | Устройство дл отжига кристаллов | |
JP2923720B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
JPS63315589A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2002080215A (ja) | 多結晶半導体インゴットの製造方法 | |
JP2509477B2 (ja) | 結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
US5997640A (en) | Device and method for liquefying and crystallizing substances | |
KR940004641B1 (ko) | 단결정 제조장치 | |
JPH11189487A (ja) | 酸化物単結晶製造装置 | |
KR960009701B1 (ko) | 단결정 육성방법 | |
JPH0315550Y2 (ru) | ||
US4695347A (en) | Process for the formation of single crystals from the gas phase | |
US6132508A (en) | Device and method for liquefying and crystallizing substances | |
JP3695263B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造装置 | |
AU2021414416B2 (en) | Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal | |
JPH0477708B2 (ru) | ||
JPH0920596A (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造装置 | |
JPS623407Y2 (ru) | ||
JPH06172083A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法およびそれに用いるるつぼ | |
JP3551270B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
KR940022678A (ko) | 실리콘 단결정의 산소결합을 감소시키는 방법 및 그 장치 | |
Stockbarger | Improved crystallization of lithium fluoride of optical quality |