SU588834A1 - Magnetic storage memory - Google Patents
Magnetic storage memoryInfo
- Publication number
- SU588834A1 SU588834A1 SU762388813A SU2388813A SU588834A1 SU 588834 A1 SU588834 A1 SU 588834A1 SU 762388813 A SU762388813 A SU 762388813A SU 2388813 A SU2388813 A SU 2388813A SU 588834 A1 SU588834 A1 SU 588834A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cores
- base
- magnetic storage
- address
- storage memory
- Prior art date
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
Изобретение относитс к запоминающим устройствам.This invention relates to memory devices.
Известен накопитель дл магнитного запоминающего устройства (МЗУ), содержащий основание, с двух сторон которого расположены ферритовые сердечники, адресные, разр дные шины, а также обмотки считывани . Кажда адресна шина пропущена через столбцы ферритовых сердечников с двух сторон основани в направлении оси Y. Кажда разр дна щина пропущена через два столбца сердечников на- одной стороне основани в направлении оси X. Шина считывани проходит параллельно разр дным щинам 1.A known drive for a magnetic storage device (MSS), comprising a base, on both sides of which are located ferrite cores, address and discharge buses, as well as read windings. Each address bus passes through the columns of ferrite cores on both sides of the base in the direction of the Y axis. Each bit is passed through two columns of cores on one side of the base in the direction of the X axis. The readout bus runs parallel to the discharge bits 1.
Наиболее близким к изобретению техническим рещением вл етс накопитель дл МЗУ, содержащий основание, с двух сторон которого расположены столбцы ферритовых сердечников, разр дные шины, кажда из которых прощивает сердечники в направлении оси X с двух сторон основани , и адресные щины, кажда из которых прощивает два столбца - в направлении: ос Y на одной стороне основани 2. Обмотка считывани проходит параллельно разр дным щинам.Closest to the invention, the technical solution is an MZU drive containing a base, on both sides of which columns of ferrite cores are located, discharge tires, each of which forgives cores in the X-direction on both sides of the base, and address slits, each of which forgives two columns in the direction of: Y axis on one side of base 2. The read winding runs parallel to the discharge wiring.
Известные накопители дл МЗУ с расположением сердечников на двух сторонах основани характеризуютс низкой надежностью из-за больщой. величины отношени считанного сигнала к помехе от полувыбранных сердечников. Это св зано с наличием петлеобразных щин выборки на одной стороне основани , охваченных одной обмоткой считывани .Known drives for MZU with cores located on two sides of the base are characterized by low reliability due to their large size. the magnitude of the ratio of the read signal to interference from the half-selected cores. This is due to the presence of loop-shaped sampling women on one side of the base, covered by one read winding.
Цель изобрете:ни - повышение надежности .The purpose of the invention: no - improving reliability.
Это достигаетс тем, что сердечники каждого столбца, установленные на одной стороне основани , и соответствующие им сердечники столбца, установленные на другой стороне основани , прошиты адресной шиной .This is achieved by the fact that the cores of each column, mounted on one side of the base, and the corresponding cores of the column, mounted on the other side of the base, are stitched with an address bus.
Таким образом, разр дные и адресные шины проход т через соответствуюшие столбцы сердечников с двух сторон основани накопител .Thus, the bit and address buses pass through the respective core columns on both sides of the storage ring.
На чертеже представлена схема описываемого накопител .The drawing shows the scheme described drive.
Накопитель содержит основание 1, с двухсторон которого расположены ферритовые сердечники 2. Разр дные шины 3 пропущены в направлении оси X через соответствующие строки сердечников, расположенных с двух сторон основани . Адресные шины 4 пропущены в направлении оси Y через соответствующие столбцы сердечников , расположенных с двух сторон основани . Число разр дных щин в одном разр де равно N, а число адресных щин равно Ж.The drive contains a base 1, with double-sided ferrite cores 2 located. The discharge tires 3 are passed in the X-axis direction through the corresponding rows of cores located on both sides of the base. The address tires 4 are passed in the Y-axis direction through the respective columns of the cores located on both sides of the base. The number of bits in one bit is N, and the number of address bits is G.
После подачи полутока по одной из адресных шин и полутока по, разр дным шинам в каждой секции обмотки считывани индуцируетс помеха с (N-1) полувыбранных сердечников от адресного полутока и с (-1) полувыбранных сердечников от разр дного полутока. Суммарна помеха полувозбуждени . в каждой секции обмотки считывани индуцируетс с (N + - 2) полувозбужденных сердечников, в то врем как в известном накопителе 1 с (N + + М.- 2) сердечников, а в накопителе 2 - с (2N + Л1 - 2) сердечников.After supplying half current to one of the address lines and half current through, the bit buses in each section of the read winding induce interference with (N-1) half-selected cores from the address half-current and with (-1) half-selected cores from the half-current. The total interference is semi-excitation. in each section of the readout winding is induced with (N + - 2) semi-excited cores, while in the known drive 1 s (N + + M.- 2) cores, and in drive 2 it is with (2N + L1 - 2) cores .
При одинаковой прощивке и однотипных ферритовых сердечниках в описываемом накопителе количество полувозбужденных сердечников , охваченных секцией обмотки считывани , меньше и выще отнощение считанного сигнала к цомехе полувозбуждени , т. е. выше надежности МЗУ.With the same patchwork and ferrite cores of the same type in the described drive, the number of semi-excited cores covered by the read winding section is lower and the ratio of the read signal to the semi-excitation room is higher, i.e., the reliability of the MZU is higher.
Испытани и опытна эксплуатаци показали высокую надежность МЗУ, содержащего предлагаемый накопитель.Testing and testing showed high reliability of the MZU containing the proposed drive.
Claims (2)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762388813A SU588834A1 (en) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | Magnetic storage memory |
IN1425/CAL/77A IN148292B (en) | 1976-07-28 | 1977-09-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762388813A SU588834A1 (en) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | Magnetic storage memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU588834A1 true SU588834A1 (en) | 1979-02-05 |
Family
ID=20671423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762388813A SU588834A1 (en) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | Magnetic storage memory |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
IN (1) | IN148292B (en) |
SU (1) | SU588834A1 (en) |
-
1976
- 1976-07-28 SU SU762388813A patent/SU588834A1/en active
-
1977
- 1977-09-21 IN IN1425/CAL/77A patent/IN148292B/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IN148292B (en) | 1981-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0118878A3 (en) | Semiconductor memory device | |
GB1316290A (en) | Data stores | |
KR880010421A (en) | Dynamic Random Access Memory with Open Bitline Structure | |
SU588834A1 (en) | Magnetic storage memory | |
JPS55149084A (en) | Clock apparatus | |
JPS54111237A (en) | Main memory | |
JPH04357519A (en) | Memory device | |
JPS5714957A (en) | Memory device | |
JP3241110B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JPS578981A (en) | Magnetic bubble memory device | |
KR960016686A (en) | 1 chip memory device | |
SU733020A1 (en) | Memory device | |
SU445075A1 (en) | Storage device | |
SU955198A1 (en) | Memory device | |
Bounin et al. | A digitized spark chamber for automatic data retrieval | |
JPS5525870A (en) | Access method of magnetic bubble unit | |
SU799001A1 (en) | Storage | |
SU481938A1 (en) | Memory device | |
SU1072098A1 (en) | Memory for capacitive read-only memory | |
SU619964A1 (en) | Magnetic storage | |
JPS6112582B2 (en) | ||
SU480112A1 (en) | Memory device | |
JPS52107737A (en) | Semiconductor memory circuit | |
JPH01169645A (en) | Memory | |
JPS6446170A (en) | Drawing device |