SU588834A1 - Magnetic storage memory - Google Patents

Magnetic storage memory

Info

Publication number
SU588834A1
SU588834A1 SU762388813A SU2388813A SU588834A1 SU 588834 A1 SU588834 A1 SU 588834A1 SU 762388813 A SU762388813 A SU 762388813A SU 2388813 A SU2388813 A SU 2388813A SU 588834 A1 SU588834 A1 SU 588834A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cores
base
magnetic storage
address
storage memory
Prior art date
Application number
SU762388813A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Ю.Г. Андреев
И.М. Андреева
А.И. Васин
В.С. Грабаров
Н.М. Шаруненко
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5769
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5769 filed Critical Предприятие П/Я М-5769
Priority to SU762388813A priority Critical patent/SU588834A1/en
Priority to IN1425/CAL/77A priority patent/IN148292B/en
Application granted granted Critical
Publication of SU588834A1 publication Critical patent/SU588834A1/en

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам.This invention relates to memory devices.

Известен накопитель дл  магнитного запоминающего устройства (МЗУ), содержащий основание, с двух сторон которого расположены ферритовые сердечники, адресные, разр дные шины, а также обмотки считывани . Кажда  адресна  шина пропущена через столбцы ферритовых сердечников с двух сторон основани  в направлении оси Y. Кажда  разр дна  щина пропущена через два столбца сердечников на- одной стороне основани  в направлении оси X. Шина считывани  проходит параллельно разр дным щинам 1.A known drive for a magnetic storage device (MSS), comprising a base, on both sides of which are located ferrite cores, address and discharge buses, as well as read windings. Each address bus passes through the columns of ferrite cores on both sides of the base in the direction of the Y axis. Each bit is passed through two columns of cores on one side of the base in the direction of the X axis. The readout bus runs parallel to the discharge bits 1.

Наиболее близким к изобретению техническим рещением  вл етс  накопитель дл  МЗУ, содержащий основание, с двух сторон которого расположены столбцы ферритовых сердечников, разр дные шины, кажда  из которых прощивает сердечники в направлении оси X с двух сторон основани , и адресные щины, кажда  из которых прощивает два столбца - в направлении: ос Y на одной стороне основани  2. Обмотка считывани  проходит параллельно разр дным щинам.Closest to the invention, the technical solution is an MZU drive containing a base, on both sides of which columns of ferrite cores are located, discharge tires, each of which forgives cores in the X-direction on both sides of the base, and address slits, each of which forgives two columns in the direction of: Y axis on one side of base 2. The read winding runs parallel to the discharge wiring.

Известные накопители дл  МЗУ с расположением сердечников на двух сторонах основани  характеризуютс  низкой надежностью из-за больщой. величины отношени  считанного сигнала к помехе от полувыбранных сердечников. Это св зано с наличием петлеобразных щин выборки на одной стороне основани , охваченных одной обмоткой считывани .Known drives for MZU with cores located on two sides of the base are characterized by low reliability due to their large size. the magnitude of the ratio of the read signal to interference from the half-selected cores. This is due to the presence of loop-shaped sampling women on one side of the base, covered by one read winding.

Цель изобрете:ни  - повышение надежности .The purpose of the invention: no - improving reliability.

Это достигаетс  тем, что сердечники каждого столбца, установленные на одной стороне основани , и соответствующие им сердечники столбца, установленные на другой стороне основани , прошиты адресной шиной .This is achieved by the fact that the cores of each column, mounted on one side of the base, and the corresponding cores of the column, mounted on the other side of the base, are stitched with an address bus.

Таким образом, разр дные и адресные шины проход т через соответствуюшие столбцы сердечников с двух сторон основани  накопител .Thus, the bit and address buses pass through the respective core columns on both sides of the storage ring.

На чертеже представлена схема описываемого накопител .The drawing shows the scheme described drive.

Накопитель содержит основание 1, с двухсторон которого расположены ферритовые сердечники 2. Разр дные шины 3 пропущены в направлении оси X через соответствующие строки сердечников, расположенных с двух сторон основани . Адресные шины 4 пропущены в направлении оси Y через соответствующие столбцы сердечников , расположенных с двух сторон основани . Число разр дных щин в одном разр де равно N, а число адресных щин равно Ж.The drive contains a base 1, with double-sided ferrite cores 2 located. The discharge tires 3 are passed in the X-axis direction through the corresponding rows of cores located on both sides of the base. The address tires 4 are passed in the Y-axis direction through the respective columns of the cores located on both sides of the base. The number of bits in one bit is N, and the number of address bits is G.

После подачи полутока по одной из адресных шин и полутока по, разр дным шинам в каждой секции обмотки считывани  индуцируетс  помеха с (N-1) полувыбранных сердечников от адресного полутока и с (-1) полувыбранных сердечников от разр дного полутока. Суммарна  помеха полувозбуждени  . в каждой секции обмотки считывани  индуцируетс  с (N + - 2) полувозбужденных сердечников, в то врем  как в известном накопителе 1 с (N + + М.- 2) сердечников, а в накопителе 2 - с (2N + Л1 - 2) сердечников.After supplying half current to one of the address lines and half current through, the bit buses in each section of the read winding induce interference with (N-1) half-selected cores from the address half-current and with (-1) half-selected cores from the half-current. The total interference is semi-excitation. in each section of the readout winding is induced with (N + - 2) semi-excited cores, while in the known drive 1 s (N + + M.- 2) cores, and in drive 2 it is with (2N + L1 - 2) cores .

При одинаковой прощивке и однотипных ферритовых сердечниках в описываемом накопителе количество полувозбужденных сердечников , охваченных секцией обмотки считывани , меньше и выще отнощение считанного сигнала к цомехе полувозбуждени , т. е. выше надежности МЗУ.With the same patchwork and ferrite cores of the same type in the described drive, the number of semi-excited cores covered by the read winding section is lower and the ratio of the read signal to the semi-excitation room is higher, i.e., the reliability of the MZU is higher.

Испытани  и опытна  эксплуатаци  показали высокую надежность МЗУ, содержащего предлагаемый накопитель.Testing and testing showed high reliability of the MZU containing the proposed drive.

Claims (2)

1.Павлов В. И. и др. Конструкци  основной оперативной пам ти дл  ЭВМ ЕС- 1030 и ЕС-1050. «Вопросы радиоэлектроники , вып. 5, сер. ЭВТ, 1974.1. Pavlov, V.I., et al. Main memory design for EC-1030 and EC-1050 computers. "Questions of radio electronics, vol. 5, ser. EVT, 1974. 2.Бостаджан Ю. Г. и др. Основные характеристики и особенности построени  оперативной пам ти модели 1020 ЕС ЭВМ, «Вопросы радиоэлектроники, вып. 5, сер. ЭВТ, 1974.2. Bostajan Yu. G. and others. Main characteristics and features of the construction of the operational memory of the model 1020 EC computer, Issues of radio electronics, vol. 5, ser. EVT, 1974. T.tj T.tj
SU762388813A 1976-07-28 1976-07-28 Magnetic storage memory SU588834A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762388813A SU588834A1 (en) 1976-07-28 1976-07-28 Magnetic storage memory
IN1425/CAL/77A IN148292B (en) 1976-07-28 1977-09-21

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762388813A SU588834A1 (en) 1976-07-28 1976-07-28 Magnetic storage memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU588834A1 true SU588834A1 (en) 1979-02-05

Family

ID=20671423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762388813A SU588834A1 (en) 1976-07-28 1976-07-28 Magnetic storage memory

Country Status (2)

Country Link
IN (1) IN148292B (en)
SU (1) SU588834A1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
IN148292B (en) 1981-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0118878A3 (en) Semiconductor memory device
GB1316290A (en) Data stores
KR880010421A (en) Dynamic Random Access Memory with Open Bitline Structure
SU588834A1 (en) Magnetic storage memory
JPS55149084A (en) Clock apparatus
JPS54111237A (en) Main memory
JPH04357519A (en) Memory device
JPS5714957A (en) Memory device
JP3241110B2 (en) Semiconductor storage device
JPS578981A (en) Magnetic bubble memory device
KR960016686A (en) 1 chip memory device
SU733020A1 (en) Memory device
SU445075A1 (en) Storage device
SU955198A1 (en) Memory device
Bounin et al. A digitized spark chamber for automatic data retrieval
JPS5525870A (en) Access method of magnetic bubble unit
SU799001A1 (en) Storage
SU481938A1 (en) Memory device
SU1072098A1 (en) Memory for capacitive read-only memory
SU619964A1 (en) Magnetic storage
JPS6112582B2 (en)
SU480112A1 (en) Memory device
JPS52107737A (en) Semiconductor memory circuit
JPH01169645A (en) Memory
JPS6446170A (en) Drawing device