SU481938A1 - Memory device - Google Patents
Memory deviceInfo
- Publication number
- SU481938A1 SU481938A1 SU1958964A SU1958964A SU481938A1 SU 481938 A1 SU481938 A1 SU 481938A1 SU 1958964 A SU1958964 A SU 1958964A SU 1958964 A SU1958964 A SU 1958964A SU 481938 A1 SU481938 A1 SU 481938A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- address
- polling
- bus
- holes
- interrogation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
1one
Изобретение оiноситс к вычислительной технике, в частности, к запоминающим устройствам.The invention relates to computing, in particular, to storage devices.
Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее накопитель на числовых ферритовых линейках с отверсти ми записи и опроса, прошитыми соответственно щинами считывани , разр дного TOjva запрета и опро-са , причем кажда шина опроса прошита че- рез отверсти опроса в пр мом направлении ;по каждому адресу в отдельности, формирователи адресных и разр дных токов и уси.пители считывани , подключенные к соот- ; ветствуюшим обмоткам, и селектирующие диоды.A memory device (RAM) is known, which contains a drive on numerical ferrite lines with recording and interrogation holes stitched according to readout, prohibit and interrogation bits, and each interrogation bus is stitched through the interrogation aperture in the forward direction; each address separately, address and discharge current drivers, and read-out power terminals connected to respectively; windings, and selective diodes.
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей устройства.The purpose of the invention is to expand the functionality of the device.
Дл осуществлени устройство содержит формирователи младшего разр да адреса, формирователи первого и второго операндов, нодключенные соответственно к началам шин первого и второго операндов; нажкал шииа ; опроса прошита дополиител1 но через отверстл записи в обратном направлении по каждому адресу в отдельности; начала шин J For implementation, the device contains junior address drivers, the first and second operand drivers, which are connected respectively to the beginning of the first and second operand buses; tapped shia; polling is stitched by additional polisher1 but through recording holes in the opposite direction at each address separately; tire start j
опроса через селектирующие диоды, соеди1нены . с соответствующими формировател ми младшего разр да адреса, а концы шин опроса подключены к формирователю старшего разр да адреса; шины первого и второго операндов прошиты, сиответственно через отверсти записи и отверсти опроса всех ЧИСЛОВЫ.Х феррйтовых линеек по каждому адресу в отделглности, причем концы этих шин через селектирующие диоды соединены . С соответствующими формировател ми млад- шего разр да адреса.polling through selection diodes, connected. with the corresponding shaper of the younger bit of the address, and the ends of the interrogation buses are connected to the shaper of the older bit of the address; The tires of the first and second operands are stitched, respectively, through the recording holes and the polling holes of all NUMBERS.X ferrite lines at each address in the section, and the ends of these buses are connected through the selection diodes. With the corresponding shaper of the younger address bit.
I На чертеже изображено запоминающее j устройство емкостью три ft -разр дных слова.I The drawing shows a memory j device with a capacity of three ft-bit words.
Формирователи 1 младшего разр да ад- реса через селектирующие диоды 2 соединены с началами шин 3 опроса. Шины 4 опроса иропушены через отверсти 5 онроса и встречно через отверсти 6 записи вухотверстных числовых ферритопых линеек 7, при этом концы uiHH 8 опроса объед; нены в группу и присоединен. к формироваелю 9 старшего разр да а/уресгч. Шины 1C) первого операнда прошиты Ч1;;рес) оч Bopci-iiM i , В качестве примера рассмотрил/ вьшол нение ЗУ операции конъюнкции, при этом сигнал на шине примем за Д., а его отсутствие за О. а. Пусть в микротакте t , i 0, При данных усло ( запр.) ВИЯХ участок ферромагнитного материала вокруг отверсти записи будет перемагничен по направлению против часовой стрелки. В следующий микротакт t- + 1 I 1и ,в результате опр. запр. которых участок вокруг отверсти опроса также будет перемагничен по направлению против часовой стрелки р сигнала э.д.с. 1.на шине считывани не будет т. е. ,-Лб .. При t; когда залр. нитные потоки oi импульса тока любого операнда и от разр дного тока запрета взаимоскомпенсируютс и в следующем микротакте t; сигнала э.д.с. на шине ( И2. 0). считывани , не будет в. При 1 магнитные потоки от разр дно;о тока запрета и одного операнда взаимокомиенсируютс , а импульс тока другого операн да (допустим первого) создаст магнитны поток, который перемагнитит участок вок руг отверсти записи по направлению час вой стрелки. В следующий микротакт t.; 1.4-1 7 1 магнитный перемагнитит участок вокруг отверсти опроса по направлению против часовой стрелки. В результате этого по витс си И, -I- М на шине считывании э.д.с. па шипе win 1х.иэс11 1л п ИМ образом будет выполнена опор ци Х-У. Предмет изобретени Запоминающее устройство, содер.н а1иее накопитель на числовых ферритовых ли11ейках с отверсти ми записи и опроса, прошитыми соответственно ,шинами считывании, разр дного тока запрета и опроса, причем кажда шина .огфоса проши-.га через оаверстин опроса в пр мом направлении по каждому адресу в отдельности, формирователи адресных и разр дных токов и усилители считывани , подключенные к соответствующим обмоткам, и селектирующие диоды, отличающеес тем, что, с целью расширени функциональных возможнс т стей, оно содер 1шт формирова гели младшего разр да адреса, формирователь старшего разр да адреса и формирователи первого и второго операндов, под1и1ючеиные соответственно к началам шин первого и второго операндов; кажда шина опроса npoiuuTa дополнительно через отверсти записи в обратном направлении по каждому адресу и отдельности, начала шин опроса через селектирующие диоды соединены с соответ- j ствующим.и формировател ми млади./е1Ю разр да адреса, а концы шин опроса подключены к формирователю старшего разргща адреса; шщ1Ь1 первого и второго операндов прошиты соответственно через отвё}х::ти записи и отверсти опроса всех числовых ферритовых линеек по каждому адресу в отдельности, причем концы этих шин через селектирующие диоды соединены с соответствутощими формиро1 тел ми мдадшего раз-, р да адреса. иThe shapers of the lower order bit 1 are connected via selection diodes 2 to the beginnings of the bus 3 of the survey. Tires 4 polling iropushi through the holes 5 onrosa and opposite through the holes 6 records of the perforated ferritic ruler 7, with the ends of the uiHH 8 polling united; are not grouped and attached. By the formation of 9 older bits and / uresgch. Tires 1C) of the first operand are stitched ;1 ;; res) Pts Bopci-iiM i, As an example, I considered / implemented the memory of a conjunction operation, with the signal on the bus taken as D., and its absence as O. a. Let, in the microtack t, i 0, Under these conditions (concurrent), the area of ferromagnetic material around the recording hole will be reversal counterclockwise. In the next micro-tact t- + 1 I 1i, as a result of the def. reservations which area around the survey hole will also be reversal counterclockwise p signal emf 1. there will be no readout on the read bus, i.e., -Lb. At t; when awesome The current flows oi of the current pulse of any operand and of the prohibiting discharge current are mutually compensated for in the next micro-cycle t; signal emf on the bus (I2. 0). readout will not c. At 1, the magnetic fluxes from the bit; about the inhibit current and one operand interconnect, and the current pulse of the other operand (say, the first) creates a magnetic flux that remagnetizes the portion of the core of the recording hole in the direction of the hour hand. In the next micro tact; 1.4-1 7 1 magnetic peremagnit the area around the survey hole in a counterclockwise direction. As a result of this, on Wits si I, -I- M on the bus reading emf. on the spike win 1x.Ies11 1l p In this way, the supports of XY will be executed. The subject matter of the invention is a memory device containing a data storage device on numerical ferrite plates with recording and interrogation holes, stitched respectively, with read tires, a ban current and interrogation current, each bus of the heading through the interrogation in the forward direction for each address separately, address and discharge current drivers and read amplifiers connected to the respective windings, and selection diodes, characterized in that, in order to expand the functional possibilities, it contains t formirova gels least significant bit address generator MSB address and conditioners of the first and second operands respectively to the beginnings pod1i1yucheinye tires of the first and second operands; Each polling bus npoiuuTa additionally through the recording holes in the opposite direction at each address and separately, the polling bus starts through the selection diodes are connected to the corresponding j and e-mail address bits, and the ends of the polling buses are connected to the former shaper addresses; The first and second operands of the first and second operands are stitched, respectively, through отв x записи records and the polling holes of all numerical ferrite bars at each address separately, and the ends of these buses are connected to the appropriate form of the second or second address through the selection diodes. and
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1958964A SU481938A1 (en) | 1973-09-14 | 1973-09-14 | Memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1958964A SU481938A1 (en) | 1973-09-14 | 1973-09-14 | Memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU481938A1 true SU481938A1 (en) | 1975-08-25 |
Family
ID=20564408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1958964A SU481938A1 (en) | 1973-09-14 | 1973-09-14 | Memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU481938A1 (en) |
-
1973
- 1973-09-14 SU SU1958964A patent/SU481938A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU481938A1 (en) | Memory device | |
KR850004856A (en) | Programmable Semiconductor Memory Device | |
SU407390A1 (en) | ||
US3126532A (en) | Interrogate | |
SU799001A1 (en) | Storage | |
SU378946A1 (en) | IN ^^ SOGG ^ ZIAYAlL'iHRbh. ;;:;.: '; i r> &, bt'ib'Jii'i' -, ^ '•? .1lA | |
SU393771A1 (en) | LONG-TERM RECORDING DEVICE OF TRANSFORMER TYPE WITH RECORDING NUMBERS IN THE CALCULATION SYSTEM WITH THE BASIS OF P, MANY TWO | |
SU460579A1 (en) | Permanent storage device | |
SU480114A1 (en) | Permanent transformer type memory | |
SU381096A1 (en) | DEVICE FOR RECORDING INFORMATION | |
SU527743A1 (en) | Memory matrix | |
KR960016686A (en) | 1 chip memory device | |
SU454586A1 (en) | Long-term active-zero memory | |
SU446108A1 (en) | Memory device | |
SU628535A2 (en) | Magnetic storage | |
SU560256A1 (en) | Memory device | |
SU377868A1 (en) | DEVICE FOR INFORMATION SAMPLE FROM Permanent TRANSFORMER STORAGE | |
SU773728A1 (en) | Matrix storage | |
SU140267A1 (en) | A method for constructing a ferrite, a linear type storage device and a device for implementing the method | |
SU517935A1 (en) | Memory device | |
SU507897A1 (en) | Memory device | |
SU743032A1 (en) | Magnetic storage | |
SU489154A1 (en) | Memory device | |
SU733020A1 (en) | Memory device | |
SU491153A1 (en) | Memory device |