Claims (2)
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР сло на обеих подложках. Однако из-з различи удельных весов компонентов расплава и с возникновением в св зи с этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - расплаве, помещенном в силовое поле, толщина сло , образующегос на верхней подложке , больше, чем на нижней. Различие в значени х тогадйн на верхней и Нижней подложках, как показывает эксперимент, возрастает с увеличением рассто ни между подложками и повьшением скорости снижени температуры . С циклом растворени становитс большей насыщенность раствора - расплава компонентом нижней подложки вследствие подрастворени нижней подложки. Таким образом, при насто щем способе подпитку необходимым компонентом осуществл ют в ограниченном объеме раствора - расплава и очень хорошо регулируют длительностью циклов растворение - раствор и велищ нa Q температуры при этом. Это позвол ет выращивать варизонные стру туры с высокой степенью точности вое производимости лтрофил ее распределе ни по толщине структуры. На фиг, I представлена ::хема установки дл получени варизонных струк тур; на фиг.2 - программа изменени температуры дл олученич варизонных слоев в системе GaP-JnP. Установка содержит реактор 1, кон тейнер 2 с раствором - расплавом 3, кассету 4 с подложками 5, б и графитовыми прокладками 7, шток 8 дл пер движени кассеты, уплотнение 9, электропечь 10, Подложки фосфида галли и фосфида инди диаметром 25 мм, отполированны химико-меканическим методом с исполь зованием гипохлората натри , размещают в кассете 4, Размер промежутка определ ют графитовыми кольцами, он составл ет 1,5-2,5 мм. При температуре 850°С кассету с подложками опус йают в раствор - расплав 3, содержа щий галлий, ИНДИЙ, фосфор, выдерживают 48-60 с в расплаве и извлекаю из него, йри этом раствор - расплав заполн ет промежутки 11 между подложками . После этого провод т принудительное колебание температуры в печи по программе, приведенной на фиг.2. Врем цикла изменени температуры-tj 40 мин. При этом tg 2-4 мин, врем растворени tj, примерно равно времени кристаллизации . За один цикл нарастает слой толщиной 2-3 мкм. После повторени циклов растворение рост 15-20 раз вблизи поверхности наблюдалс состав, близкий к inP. Предлагаемый способ позвол е получать варизонные структуры с профилем распределени ширины запретценной зоны, регулируеьвм в широких пределах с высокой степенью воспроизводимости. Он может бепгь использован дл создани , варизон ых слоев на многочисленных материалах например на основе твердых растворов типа -в -А -В д -В , дефектных полупроводников , четверных, систем и да. Формула изобретени СпЬсоб получени варизонных структур на основе полупроводниковых соединений путем их выращивани из ограниченного объема раствора - расплава между двум подложками,о т л ичающийс тем, что, с целью повышени воспроиэводимостн профил распределени мол рного состава и расширени пределов его регулировани , процесс выращивани осуществл ют при колебани х температура на от значени , соответствующего началу кристаллизации, с периодом 10-60 мин, на подложках, выполненных из различных материалов системы твердых растворов и установленных горизонтально , причем снизу располагают подложку из материала с повышенной растворимостью. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Андреев В.М. и др. Жидкостна эпитаксй в технологии полупроводниковых приборов, М.,Сов.радио , 1975, с.169-172. (54) METHOD FOR OBTAINING VARIZONAL STRUCTURES layer on both substrates. However, due to the difference in the specific gravities of the components of the melt and, in connection with this, the convective diffusion of the components in the solution — the melt placed in the force field — the layer formed on the upper substrate is larger than the lower one. The difference in the togadine values on the upper and lower substrates, as the experiment shows, increases with increasing distance between the substrates and increasing the rate of decrease in temperature. With the dissolution cycle, the saturation of the melt solution becomes greater as a component of the lower substrate due to the dissolution of the lower substrate. Thus, with the present method, the necessary component is fed in a limited volume of the melt solution and the dissolution – solution is very well regulated by the duration of the cycles and the Q temperature at the same time. This allows one to grow graded-gap structures with a high degree of accuracy in the distribution of the production of ltrophil and its thickness across the structure. Fig. I is represented by: a heme plant for obtaining graded gap structures; Fig. 2 shows the temperature change program for the oluchenich graded-gap layers in the GaP-JnP system. The installation contains a reactor 1, a melt solution container 2, a cassette 4 with substrates 5, b and graphite gaskets 7, a rod 8 for moving the cassette, a seal 9, an electric furnace 10, gallium phosphide substrate and indium phosphide with a diameter of 25 mm, polished using the chemical-mecanic method using sodium hypochlorate, placed in the cassette 4, the size of the gap is determined by graphite rings, it is 1.5-2.5 mm. At a temperature of 850 ° C, the cassette with substrates is placed in a solution — melt 3 containing gallium, INDIA, phosphorus, held for 48–60 s in the melt and removed from it, and this solution — the melt fills the gaps 11 between the substrates. After this, the temperature in the furnace is forced to oscillate according to the program shown in Fig. 2. The cycle time for temperature change is tj 40 min. At the same time, tg 2-4 minutes, the time of dissolution tj, is approximately equal to the time of crystallization. In one cycle, a layer of 2-3 microns thick grows. After repeating the dissolution growth 15–20 times near the surface, a composition close to inP was observed. The proposed method allows to obtain graded-gap structures with a profile of the distribution of the width of the forbidden value zone, which is regulated over a wide range with a high degree of reproducibility. It can be used to create variable-gap layers on numerous materials, for example, based on solid solutions of type-A-B-B-B, defective semiconductors, quadruple, systems and yes. Invention The use of the method of obtaining graded-gap structures based on semiconductor compounds by growing them from a limited volume of solution — a melt between two substrates, is only due to the fact that, in order to increase the reproducibility of the molar composition distribution profile and to expand the limits of its regulation, when the temperature fluctuates from a value corresponding to the onset of crystallization, with a period of 10-60 minutes, on substrates made of various materials of the solid solution system trench and installed horizontally, and a bottom substrate of a material with increased solubility. Sources of information taken into account in the examination 1. Andreev V.M. and others. Liquid epitaxis in semiconductor technology, M., Sov.radio, 1975, pp.169-172.
2.Donahne J.A., Minden Н.Т., Gust I. Growth, 1970, 7, 2, с.221.2. Donahne J.A., Minden N.T., Gust I. Growth, 1970, 7, 2, p. 211.
ОABOUT
о о о о о о о о оoh oh oh oh oh oh
ii
оabout
е оe o
И AND