SU572906A2

SU572906A2 - Timing pulse shaper

Info

Publication number: SU572906A2
Application number: SU7201793425A
Authority: SU
Inventors: Александр Гордеевич Филиппов; Виктор Васильевич Прушинский; Валерий Александрович Большаков; Сергей Андреевич Пронин; Анатолий Павлович Удовик; Анатолий Степанович Савлук; Вольдемар Георгиевич Федоров
Original assignee: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт; Предприятие П/Я Р-6644
Priority date: 1972-06-07
Filing date: 1972-06-07
Publication date: 1977-09-15

Description

(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТАКТОВЫХ ИМПУЛЬСОВ(54) FORMER OF CLOCK PULSES

При наличии на входе 42 низкого уровн входного напр жени транзисторы 1-4 закрыты , а транзисторы 32, 33 и 39 открыты и насыщены. На выходе 43 устанавливаетс высокий уровень напр жени , при этом ток в базу транзистора 39 .проходит через резисторы 34-36 от вспомогательного источника питани шины 38. Транзистор 40 находитс в области инверсного насыщени . При поступлении на вход 42 положительного входного импульса вследствие различного порога срабатывани входных диодно-резисторных переключательных цепей 5-8 вначале включаютс транзисторы 1 и 2, а затем - последовательно транзисторы 3 и 4. When a low voltage input is present at input 42, transistors 1-4 are closed, and transistors 32, 33, and 39 are open and saturated. A high voltage level is established at the output 43, while the current to the base of the transistor 39 passes through the resistors 34-36 from the auxiliary power supply of the bus 38. The transistor 40 is in the inverse saturation region. When a positive input pulse arrives at the input 42 due to the different response thresholds of the input diode-resistor switching circuits 5-8, transistors 1 and 2 first turn on, and then transistors 3 and 4 in series.

Коллекторным током транзисторов 1-3 закрываютс последовательно транзисторы 32, 33 и 39, а за счет коллекторного тока транзистора 4 формируетс срез на входе 42. Во врем действи на .входе 42 высокого уровн напр жени на выходе 43 поддерживаетс низкий уровень напр жени . С приходом отрицательного фронта входного импульса последовательно закрываютс транзисторы 4 и 3, а затем 1 и 2, при этом ток из коллектора транзистора 1 переключаетс в базу транзистора 32, вызыва его насыщение.The collector current of transistors 1-3 is closed in series by transistors 32, 33 and 39, and due to the collector current of transistor 4 a cut is formed at the input 42. During operation of the high voltage level input 42, a low voltage level is maintained at the output 43. With the arrival of the negative front of the input pulse, transistors 4 and 3 are sequentially closed, and then 1 and 2, and the current from the collector of transistor 1 switches to the base of transistor 32, causing its saturation.

Ток эмиттера транзистора 32 течет в базу транзистора 33, который при формировании фронта импульса работает как повторитель. Это обусловлено тем, что потенциал коллектора транзистора 33 фиксируетс во врем формировани фронта имиульса эмиттером насыщенного транзистора 40. В свою очередь, ток эмиттера транзистора 33 течет в базу выходного транзистора-повторител 39, который формирует положительный фронт на выходе 43.The emitter current of the transistor 32 flows into the base of the transistor 33, which, when forming the pulse front, acts as a repeater. This is due to the fact that the collector potential of the transistor 33 is fixed during the formation of the immersion front by the emitter of the saturated transistor 40. In turn, the emitter current of the transistor 33 flows into the base of the output transistor repeater 39, which forms a positive front at the output 43.

По окончании формировани фронта выходного импульса транзистор 40 переходит в инверсную активную область, а транзистор 33 - в область насыщени , при этом необходимый ток базы выходного транзистора 39 определ етс резистором 36, включенным в коллектор насыщенного транзистора 33.After the formation of the front of the output pulse, the transistor 40 goes to the inverse active region and the transistor 33 goes to the saturation region, while the required base current of the output transistor 39 is determined by the resistor 36 included in the collector of the saturated transistor 33.

Таким образом, включение транзистора 40 дает возможность значительно увеличить ток в базу транзистора 39 во врем формировани фронта выходного импульса, а следовательно , сократить его длительность при работе формировател на больщую емкостную и активную нагрузку. Кроме того, повышаетс КПД схемы за счет уменьшени тока базы транзистора 39 на стадии формировани плоской вершины выходного импульса.Thus, turning on the transistor 40 makes it possible to significantly increase the current to the base of the transistor 39 during the formation of the front of the output pulse, and therefore, to shorten its duration when the shaper is operated for a large capacitive and resistive load. In addition, the efficiency of the circuit is increased by reducing the base current of the transistor 39 at the stage of forming the flat top of the output pulse.

Последовательное включение и выключение транзисторов 1-3 и выходного инвертирующего транзистора 4 предотвращает возможность одновременного открытого состо ни транзисторов 4 и 39, что также увелич.ивает КПД формировател .Sequential switching on and off of transistors 1-3 and output inverting transistor 4 prevents the possibility of simultaneous open state of transistors 4 and 39, which also increases the efficiency of the driver.

Claims

1. USSR author's certificate number 420124, cl. N OZK 5 / 01.21.04.72.

I - X-f XX I

W