SU421126A1

SU421126A1 - SEMICONDUCTOR SWITCH

Info

Publication number: SU421126A1
Application number: SU1854935A
Authority: SU
Original assignee: А. И. Ефремов , Г. В. Сазонов
Priority date: 1972-12-11
Filing date: 1972-12-11
Publication date: 1974-03-25

Description

1one

Изобретение относитс IK радиоэлектронике :И может лайти лрименвние как формирующее устройство в измерител х средней частоты импульсов , статистиче-ски раюпределвршых во ;времен,и.The invention relates to IK electronics: And it can be used as a shaping device for measuring the average frequency of pulses that are statistically determined during; times, and.

Известные полупроводниковые переключатели , содержащие управл ющий тр.иггер и выходной каскад, характеризуютс сравнительно (Невысоким |быстродейств ием.Known semiconductor switches containing a controllable trigger and an output stage are characterized relatively (low speed).

Цель изобретени - повыше,н,ие быстродействи .The purpose of the invention is higher, n, and faster.

Это достигаетс тем, что управл ющий триггер выполнен на двух туннелыных диодах, параллельно каждому из которых подключены два Последовательно соединенных резистора и од)на из обмотОК зало.минающего трансформатора , а на вход триггера таключен .входной трансформатор, .причем выходной каскад содержит два транзистора различных типов проводимости, коллекторы которых соеди,Нены вместе, эмиттеры подсоединены к .соответствующим ,ш,ина.м нитани , а базы нодключены к местам соединени последовательно включенных резисторов управл ющего триггера.This is achieved by the fact that the control trigger is made on two tunnel diodes, parallel to each of which two series-connected resistors and one are connected to the winding of the terminating transformer, and the input transformer is on, and the output stage has two transistors different types of conductivity, the collectors of which are connected, Nene together, the emitters are connected to the corresponding, w, in. nitrani, and the bases are connected to the junction points of the series-connected resistors of the control trigger Hera.

На чертеже нредставлена схема предлагаемого устройства.The drawing is a diagram of the proposed device.

Полупроводниковый переключатель содержит упр.авл юЩ|Ий триггер, одно плечо которого состоит из туннельного диода 1, резисторов 2, 3 и одной из Обмоток запомшгающегоA semiconductor switch contains a control. Control | Iy trigger, one arm of which consists of a tunnel diode 1, resistors 2, 3 and one of the windings

трансфор.матора 4, а другое нлечо - из туннельного диода 5, резисторов 6, 7 и другой обмонюи запоминающего трансформатора 4. Соединенные последовательно резистор 8,transformer 4, and the other nlecho - from the tunnel diode 5, resistors 6, 7 and another memory and transformer 4. Connected in series resistor 8,

стабилитрон 9 и вторична обмотка входного трансформатора 10 св зывают нлечи триггера по посто :нному току. Конденсатор 11 шунтирует резистор 8. Выходной каскад содержит транзисторы 12the zener diode 9 and the secondary winding of the input transformer 10 are connected to the terminals of the trigger with a constant current. The capacitor 11 shunts the resistor 8. The output stage contains transistors 12

и 13 раз)юго типа проводимости, эмиттеры которых нодсоеди.нвны к шинам коммутируемого источника напр жени , а соединенные вместе коллекторы образуют выход 14 переключател . Базы транзисторов 12 и 13 включены в место соединени резисторов 2, 3 и 6, 7 соответственно; обмотки запоминающего трансформатора своими однонменными концами подключены к шинам пита1ни . Входом устройства вл етс первична обмотка трансформатора 10. Если диод 1 находитс в состо нии «1 (мала проводимость, диффузионна ветвь), а диод 2 - в состо нии «О (больша проводимость, тyннevтьнa ветвь), то транзистор 12 будет открыт, а тра зйстор 13 - закрыт, и выход будет подключен к отр,ицательной шине питани . При противоположном состо 1Н:ии тун1нель.ных диодов выход будет подключен к положительной шине питани . В зависимости от коммутируемого напр жени стабилитрон 9 и реand 13 times) of the south conductivity type, the emitters of which are connected to the buses of the switched voltage source, and the collectors connected together form the output 14 of the switches. The bases of transistors 12 and 13 are included at the junction of resistors 2, 3 and 6, 7, respectively; the windings of the memory transformer with their single ends are connected to the power buses. The input of the device is the primary winding of the transformer 10. If diode 1 is in the state "1 (low conductivity, diffusion branch), and diode 2 is in the state" O (greater conductivity, tynivtny branch), then transistor 12 will be open, and Tra Zistor 13 is closed and the output will be connected to the reflector power bus. In the opposite state of 1H: and tunnell diodes, the output will be connected to the positive power rail. Depending on the switching voltage, Zener diode 9 and