(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА омические контакты. При этом базовые об пасти содержат область противоположного типа проводимости. Между эмиттером горизонтального и ба ЗОЙ вертикального транзисторов могут быть расположены несколько р дов упом нутых дополнительных областей на ми1шмальном рассто нии друг от друга. На чертеже схематически показана предлагаема интегральна схема в плане ив сечени х. Интегральна схема выполнена в области « - типа проводимости, служащей подложкой 1, В подложке 1 расположены диффузион ные области 2 - 7 jv-rmia проводимости, в области 7 имеетс диффуа1ОШ1а область 8 типа проводимости. В подложке 1 также расположены области 0-12, имеющие тип проводимости, причем облает 9-12 частично примыкают ко всем диффузие оош област м 2-7 р-типа проводимости. Все диф фузионные области, за искпючейием области Т имеют омические контакты, условно показанные на чертеже пунктиром и штриховкой . Упом нутые контакты к област м 3-6 служат входами интегральной , ко№такт к области 8 - выходом, а контакты к област м 2 и 12 - соответственно дл подключени плкюовой и земл чой шин источника питани схемы. Области 9 к 10 используютс дл подавлени паразитного транзисторного взаимодействи между облас т ми 3 и 5 и област ми 4 и 6 соо-геетственно . Высоколегированные области 11 и 1 уипа прбёо мости выпо/ш бт аналргичные функпив по отношению к област м 2 и 7, и кроме того, обеспечивают б&льшке коэф фип енты 9М1ггтера инжекции. Интегральна схема работает следую1Щ1М образом. При подаче напр жени питани область 2 инжектирует носители зар да в подложке 1, KOTopi e в результате дрейфа и диффузии попадают в области 3-6. Если все входы наход тс под потенниалом,. близким к потенниаду земли, то коллектированные об ласт ми 3-6 носители зар да образуют ток, замыкающийс ни Землю, при этом на омическом контакте области 8 имеет место высокий потенциал. Бслн один из вход1с«, например область 3, находитс под высоким потешшалом, то неосновные носитетт зар дов , коллектированные этой областью, создают избыточный зарад, вследствие чего i р-Я- переход, ограничивающий данную область , смешаетс в направлении. При этом область 3 начинает инжектировать подвижные зар ды в подложку 1, т.е. имеет место так называема переинжекпиА Пере-, инжектированные носители коллектируютс областью 8. В результате в области 8 созидаетс избыточнь1Й зар д, смещающий pv-tj переход , ограничивающий область 8 в пр мом направлении, что обусловливает уменьшение потенциала на омическом контакте К области 8 до величины примерно равной потенциалу Земли. Итак, предложенна интегральна схема выполн ет логическую функцию ИЛИ-НЕ дл . логических переменных: О - низкий потенциал , 1 - высокий потенциал. МинИмальнь1е рассто ни между област ми 2 и 3-6, а также между област ми 7 и 3-6 требуютс дл того, чтобы свести к минимуму рекомбинаиионные потери неосновных носителей зарада в подложке 1. Интегральна схема может быть изгото&лен а по обычной планарно-эпитаксиальной те нологии . Предложенна интегральна схема представл ет собой функционально-зако.. ченный типовой логический элемент с большой нагрузочной способностью и может быть эффективно использована при построетш больших интегральных схем. ф. о р м у л а изобретени Интегральна схема инжекиионного типа, содержаща горизонтальные и вертикалыые Т1эанзисторы дополн ющего типа проводимости с электродами, отличающа сй тем. Что, с целью урасширени функциональных возмсвкностей, между эм и:гтером горизонтального и базой вертикального транзисторов расположена по крайней мере одна дополнительна инжектирующа область, снабженна омическим контактом. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: . 1. Патент США № 3643235, кл. 340-173, 1972. 2- Патент США № 3736477, кл. 317-235,1 1973.