(54) ИНТЕРРАЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ нительные коллекторы, подключенные соответственно к базам первого, второго и шестогои-р-н - транзисторов. На чертеже дана электрическа схема Ячейки. Ячейка работает следующим обрат зоМ. Ток питани в транзисторы 1 и 2 образующие триггер, задаетс от внешнего источника с помощью первого двухколлектсоного р-и-р- транзистора эммитер Которого подключен к шине питани В. Транзисторыi1 и 2 полностью изолированы от, разр дных шин Y, jYg и триггер хранит информацию. В режиме хранени ток в шине выборки X равен О, поэтому транзисторы 3-6 закрыты. В режиме выборки во второй р-и-р транзистор по X шине задаетс большой ток, благодар чему возрастает ток питани в цепи баз всех н-р-п- тра зисторов всех чеек одного слова, в то врем как в других словах транзисторы 3-6 по-прежнему выключеныj, а в транзисторы 1 и 2 поступает тот же малый ток, что и в режиме хранени . В режиме записи на обоих шинах Y,Y2 устанавливаетс либо сигнал логического „о (напр жение, близкое к 0), либо сигнал логической Ч{ток к шине равен 0). Этот сигнал записываетс в триггер и по вл етс на коллекторё первого п-р-н- транзистора.В режиме считывани на шине Yg устанав ливаетс уровень логическогс о , а шина YJ подключаетс к В1срду усилител считывани . Сигнал на шине Y определ етс состо нием триггера. Если первый транзистор включен, то на шине Yi по вл етс сигнал логического 6 (нйпр жейиё. .близкое .к 0) если первый rt-pti-r транзистор выклю чен, то сигнал: :На шине соответствует логической в шине равен 0). Напр жение пр мого смещени диодов Шоттки 7, 8 должно быть ниже нап р жени отпирани K-p-rt- транзисторов Диоды Шоттки выполн ют роль электриг ческой разв зки чеек разных слов друг от друга, входы которых объединены разр дными шинами. Благодар этому при выборке большой ток питани , необходимый дл получени высокого быстродействи , можно задать только в чейки одной выбранной стро ки. Мощность потребл ема всеми остальными чейками накопител , tacTaeT с пренебрежимо малой. В накопителе, построенном на чейках прототипа 3 , се чейки в режиме выборки потреб ют одинаковую мощность. Следовательо , применение предлагаемой чейки ам ти позвол ет при сохранении того е быстрЬдействй снизить мощность, потребл емую накопителем в режиме выборки в N раз, где N число слов накопител . Благодар зтому достигаетс полезный эффект. Фйрмула изобретени Интегральна чейка пам ти, содержаща двам-р-и-транзистора с перекрестными сй з ми, третий и четвертый п-р-И транзисторы,коллекторы которых соединены соответственно с коллектором первого и первым коллектором второго м-р-п -транзистора, второй коллектор которого соединен с базой п того n-p-tt - транзистора, а коллектор п того - с перв.ой разр дной шиной YJ , шестой и-р-п - транзистор , коллектор которого соединен с базой третьего м-р-и - транзистора, базы первого и второго, ti-p-ti- транзисторов соединены соответственно с первым и вторым коллектором первого р-н-р - транзистора, эмиттер которого подключен к Шине питани ,:базы третьего , четвеЕ того и п того tt-p-n - транзисторов .- сбответствен.нр к первому, второму и третьему коллекторам второго р-п-р - транзистора, эмиттер которого подключен к шине выборки , эмиттеры всех rt-p- и базыр-и-р- транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, отличающа с тем, что, с целью снижени потребл емой мощности чейки, она соДержит диоды Шоттки, аноды которых подключены к базам шестого и четвертого п-р-п - транзисторов соответственно , катоды - к первой и второй разр дным шинамYjWYjсоответственно, а второй р-п-р - транзистор содержит четвертый, п тый и шестой дополнительные коллекторы, подключенные соответственно к базам первого, второго и шестого п-р-п - транзисторов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Журнал VEEeclhornce , 1972, 46, I 4, р.83. 2.Журнал 3EEEJ of ( stoteCircuils 1973, V - 8, 5, р.332. 3.Патент Франции № 2138905, М., Кл Н 01С ,.19/00 от 22.05.71.
«-Э