SU546046A1 - Полупроводниковый стабилитрон - Google Patents

Полупроводниковый стабилитрон

Info

Publication number
SU546046A1
SU546046A1 SU1222368A SU1222368A SU546046A1 SU 546046 A1 SU546046 A1 SU 546046A1 SU 1222368 A SU1222368 A SU 1222368A SU 1222368 A SU1222368 A SU 1222368A SU 546046 A1 SU546046 A1 SU 546046A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
zener diode
conductivity
semiconductor
doped layer
type
Prior art date
Application number
SU1222368A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Семенович Сонин
Виталий Пантелеймонович Морозов
Original Assignee
Институт Автоматики И Телемеханики (Технической Кибернетики)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Автоматики И Телемеханики (Технической Кибернетики) filed Critical Институт Автоматики И Телемеханики (Технической Кибернетики)
Priority to SU1222368A priority Critical patent/SU546046A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU546046A1 publication Critical patent/SU546046A1/ru

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СТАБИЛИТРОН
рехода, образованного сильнолегированной дырочной областью 2 и областью 1 с электронйой (проводимостью. Зависимость сопротивлени  слаъолегировапнопо дырочного сло  3 от тока, а также величина мажсимального тока, протекающего по слою, онредел ютс  геометрией сло  и концентрацией примеси в
Н6М.
Дл  изготовлени  стабилитрона могут быть использованы различные технологические методы , в Частности, дл  создани  сильнолегировааной области - .вплавление, диффузи , эПИтаксиальное выращивание, дл  создаии  слаболвгированного сло  - диффузи , эпитаксиальное выращиван,ие.
Стабилитрон мож-ет содержать область / с дырочной .проводимостью, а область 2 и слой 3 - с электродной шроводимостью.
В этом случае пол рность входного напр жени  должна быть прютивополож ной рассмотренному выше случаю.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    .Полупроводниковый стабилитрон в виде пластины (полупрододЕнка с омическим контактом , в которой содержитс  снабженна 
    омическим конта1кто1М сильнолепированна  область противоположного .проводимости, отличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности требуемого уровн  выходного на-прлженил, он содержит снабженный
    ОМ1ИЧССК1ИМ ..контактом и элбктричеаки соединеный с сильнолегирозанной областью дополнительный сла|болегированный слой, тип проводимости которого совпадает с типом проводимости сильнолегированното сло .
SU1222368A 1968-02-29 1968-02-29 Полупроводниковый стабилитрон SU546046A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1222368A SU546046A1 (ru) 1968-02-29 1968-02-29 Полупроводниковый стабилитрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1222368A SU546046A1 (ru) 1968-02-29 1968-02-29 Полупроводниковый стабилитрон

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU546046A1 true SU546046A1 (ru) 1977-02-05

Family

ID=48228085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1222368A SU546046A1 (ru) 1968-02-29 1968-02-29 Полупроводниковый стабилитрон

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU546046A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB879977A (en) Improvements in semi-conductor devices
KR870005474A (ko) 래치·엎을 방지한 Bi-CMOS반도체 장치
GB1065150A (en) Semiconductor switch
GB1032599A (en) Junction transistor structure
FR1130425A (fr) Perfectionnements aux transistrons à jonction
GB1268095A (en) Integrated circuit
GB971261A (en) Improvements in semiconductor devices
ES364658A1 (es) Un dispositivo semiconductor.
SU546046A1 (ru) Полупроводниковый стабилитрон
GB948440A (en) Improvements in semi-conductor devices
GB849477A (en) Improvements in or relating to semiconductor control devices
JPS57208177A (en) Semiconductor negative resistance element
GB988264A (en) Semi-conductor device with self-protection against overvoltage
US3351826A (en) Five-region, three electrode, symmetrical semiconductor device, with resistive means connecting certain regions
SU139015A1 (ru) Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор
US3423652A (en) Unijunction transistor with improved efficiency and heat transfer characteristics
SU377750A1 (ru) ййкООЮ:ВНАЯшг1*'10'-1и;;;"5Г1||^
SU573853A1 (ru) Блокинг-генератор
KR860007749A (ko) Sbd를 가진 고내압 바이포라 트랜지스터
GB1052435A (ru)
JPS5660058A (en) Semiconductor device
KR890003041A (ko) 보조 게이트를 갖는 보호 싸이리스터
SU119271A1 (ru) Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой
SU1658373A1 (ru) Устройство с регулируемым отрицательным сопротивлением
GB862008A (en) Improvements in or relating to transistors