SU516317A1

SU516317A1 - Способ синтеза тройных полупроводниковых соединений

Info

Publication number: SU516317A1
Application number: SU752095056A
Authority: SU
Inventors: Г.А. Качурин; Н.Б. Придачин; С.И. Романов; Л.С. Смирнов
Original assignee: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date: 1975-01-13
Filing date: 1975-01-13
Publication date: 1980-06-15

Description

Изобретение относитс к технологии получени полупроводниковых материалов в виде тонких пленок, в частности синтеза слоев на основе соединений в и А .

Известен способ синтеза тройных полупроводниковых соедннений в виде тонких слоев с использованием ионнолучевой технологии.

В известном способе тонка пленка или приповерхностна область объемного кристалла, содержаща атомы бинарного полупроводника, насьлщаетс путем внедрени ионов атомами третьего компонента. Например, исходные кристаллы CaAs облучаютс ионами ДЕ с энергией 30 кэВ. После отжига электрофизические или оптические измерени позвол ют идентифицировать синтезированное соединение, состо щее из атомов подложки и внедренных ионов. Используетс режим отжига при 900°С в течение 10 мин под зеодитньам слоем S i On толщиной 2000 К., в приповерхностной области образуетс тройное соединение атомов подложки и внеренных атомов.

Недостатками известного способа л ютс высокие температуры последую (дего отжига (до ) , очень мала толщина сло тройного соединени (100-1000 А) , плоха универсальность способа.

Цель изобретени - снижение температуры и увеличение толщины синтезируемого слон.

Дл этого в бинарный полупроводник внедр ют ноны одного из компонентов , вход щих 3 бинарное соединение , при дозе, определ емой соотношением компонентов синтезируемого тройного соединени , и затем полупроводник отжигают в контакте с веществом третьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхность бинарного соединени .

Существо способа заключаетс в следующем.

Предварнтельирлм облучением нонами одного из компонентов А бинарного соединени Aj( В,добиваютс отклонени приповерхностной области кристалла от стехиометрического равновеси .

При отжиге такого образца происходит генераци большого количества вакансий другого элемента V|, . Если во врем отжига присутствует третье веQ щество С, раствор ющеес по типу сме.

щени в п здрешетке в, то оно встраиваетс в ранетку, замеща недостающие атомы В.

Пример . Монокристаллы полуизолирующего 6aAs, ориентированные в плоскости (НО), полированные и предварительно протравленные, облучают ионами As при дозе и энергии 100 кэв. Температура облучени - комнатна . Иа облученную поверхность вакуумным нагшшением нанос т тонкий слой Jп толщиной 0,5 мкм. Затем кристаллы подвергались( отжигу при температуре б в течение 10 с. Избыток непрореагировавшего 3 п снималс в подогретой HjiSOi).

Изучение спектров фотопроводимости синтезированных слоев, а также данные злектронографического анализа подтвердили наличие соединени 3njjGa As. Значение х дл синтезированного соединени равно 0,4.

Контрольные опыты, выполненные с

необлученной ионами поверхностью GsAs, не показали присутстви .тройного соединени .

Claims

Формула изобретени Способ синтеза тройных полупроводниковых соединений путем внедрени ионов в исходный материал бинарного полупроводника с последуклцим отжигом, отличающийс тем, что, с целью получени слоев микронной толщины и снижени температуры синтеза , в бинарный полупроводник внедр ют ионы одного из компонентов, вход щих в бинарное соединение, при дозе , определ емой соотношением компонентов синтезируемого тройного соединени , и затем полупроводник отжигают в контакте с веществом третьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхность бинарного соединени .