10-12 соотвотственао. Переходы база- эмиттег: тра1: лстэ15эв 2 и 3 игунтлровапьг последоьптельнэ coeainieHHbiMn диодами 6, 8 и 7, . ТГУкл соединени диодов 6, 8 и 7, 9 MGjje конденсаторы 5 к 4 соединены с коллектэрами тр-гзкзксторав 3 и 2 соответственно. Стабилитроны 14 и 15 соедине1гы последовательно-встречно базами тран зисторов А ультивиб 11тор рабо1ает следующим об разом. В первом квазщстойчивом состо нии транзистор 3 открыт, а транзистор 2 - за крь(т, во втором состо нии - наоборот. Пе реход из одного состо ни в другое происходит лавинообразно благодар наличию по ложительной обратной св зи через саторы 4 и 5, При переходе в первое ква зиустойчивое сэсто ние транзистор 3 откр ваетс , напр ,-ч-ение на его коллекторе пада ет, а наи.г.) на базе транзистора 2 благодар зар ду, накопленному конденсато ром 5, станоилтс отрицательщ -;. - апр ж Е1ие Fia коллекторе транзистора 2 повышает с , конденсатор 4 зар жаетс через peisn- стор 10 и 9. Когда напр жение на базе транзистора 2 достигнет уровн niro бо стабилитронов 14 и 15, стабилитроны начнут пропускать ток, умены; ающий ток б;-;зы транзистора 3, что гцэиводит к повышению напр жени на г о коллекч оре. Уста на,.л1П.аетс динамическэе р-:1внэвесие, при K:/ro(jOM отрицательно папр кен.ие на базе тра1 зистора 2 определ етс разностые напр жений на конденсагорзе о и коллекторе трар1зистора 3. Это н- и;1ЯЖО1-гие не преБ1 г мгаст уровн срабатыг иш стабилитрона 1 5 плюс нр мое падение напр жени на стабилитроне 14. По мере разр да конденсгатора 5 ток базы транзистора 3 возрастает, напр жение на его коллекторе уменьшает-с , а напр жение на базе транзистора 2 остаетс посто н Ш1м. При дальнеЙ1 Г(.1 разр де конденсатора 5 стабилитрон 15 выключаетс . и отри1 атель1Г5О ь-апр жение на базе тран.-зистора 2 ум(,нь;паетс по экспоненциальному закону и достигает некоторого положительного значен 1 напр жени насышени . Транзистор 2 открываетс , а транзистор 3 закрываетс отрицательным потенциалом на базе, обуславливаемым зар дом, нак:}Плен й.1М в конденсаторе 4. Мультивибратор переходит во второе устойчивое состо ние . Таким образом, предлагаемый мульти-вибратор дает возможность генерировани импульсов с ампл11тудой, практически равной допустимому напр жению примен емых транзисторов при по.лном исключении фобо эмиттерных переходов транзисторов обратным напр жением. Кроме того, муль- тивибр 1тор обладает повышенной стабиль- ностью периода колебаний при изменении те.мпературы и питаюшего напр жени . Форм у л а изобретени Мультивибратор, содержащий источник питани , два транзистора одного типа проводимости , два конденсатора, четыре диода и резисторы, причем эмитте-р каждого транзистора соединен с общей шиной, коллектор и база соединен с шиной источника питани через резисторы, переход база-эмиттер каждого транзистора плунтирован в пр мом н.апр1авпении двум последовательно вклю- ченным1г диодами, точка соединени которых соединена с коллектором другого транзистора через конденсатор, о т л и ч а ю )ц лис тем, что, с цельро уменьшени нестабильности частоты, он со-держит два стаб Л11трона, включенных последовательно и встречно друг другу -кэжду .базами транзисторов , HcTOHHj-n H информации, прин тые во внн ;ание при экспертизе; 1, ЛЕТ. св. СССР № 366553. М, Кл 03 КЗ/281.
7777
7777