SU1190472A1 - Мультивибратор - Google Patents

Abstract

МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состоит из двух транзисторов одного типа проводимости , первый из которых коллектором соединен с первой шицой источника питани , а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питани  и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой шиной источника питани  через второй резистор , втора  обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питани , а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийс  тем, что, с целью повышени  скважности, нагрузочной способности , стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрош,ени  за счет стабилизации выходного напр жени , в него введены источник опорного напр жени  и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа п-р-п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы - с базами соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч, д а базы дополнительных транзисторов соеди-® иены между собой и подключены к второй (Л шине источника питани  через источник опорного напр жени . О о 4 Ю ,

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано, например , в измерительных преобразовател х активного сопротивлени , примен ющихс  в аналого-цифровых преобразовател х вычислительных машин. . Цель изобретени  - повышение скважности нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов мультивибратора и упрощение за счет стабилизации выходного напр жени . На чертеже изображена принципиальна  схема предлагаемого мультивибратора. Мультивибратор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, например, типа р-п-р, две врем задающих коллекторнобазовых RC-св зи, перва  - на резисторе 3 и конденсаторе 4, втора  - на резисторе 5 и конденсаторе б встроенные эмтттерные повторители на транзисторах, например типа р-п-р 7 и 8, с выходами 9 и 10 которых соединены конденсаторы 6 и 4 Соответственно, источник 11 опорного напр жени , дополнительные транзисторы 12 и 13, эмиттеры которых св заны с коллекторами транзисторов 1 и 2 соответственно, коллекторы - с базами транзисторов 2 и 1 противоположных плеч мультивибратора, а базы - с выходом источника 11 опорного напр жени , резисторы 14 и 15, включенные в коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 соответственно. Мультивибратор работает следующим образом . В момент включени  источника питани  транзистор 1 или 2 мультивибратора из-за неизбежной асимметрии схемь открываетс , а другой транзистор 2 или 1 закрываетс . Рассмотрим работу схемы с момента времени, когда открываетс  транзистор 1, а транзистор 2 закрываетс . Конденсатор 4 быстро зар жаетс  через малое выходное сопротивление эмиттерного . повторител  на транзисторе 8, стрем сь зар дитьс  до напр жени  питани . При этом насыщенное состо ние транзистора 1 обеспечиваетс  током резистора 3 и током зар да конденсатора 4. При достижении напр жени  на коллекторе ключевого транзистора 2, приблизительно равного выходному напр жению источника опорного напр жени  Uon. смещаетс  в пр мом направлении эмиттерный переход, дополнительного транзистора 13, и он переходит из режима отсечки в активный режим, тем самым ограничива  напр жение на коллекторе транзистора 2. Ток зар да конденсатора 4 становитс  равным нулю. Насыщенное состо ние транзистора 1 поддерживаетс  в основном током коллектора транзистора 13, значительно превышающим ток врем задающего резистора 3. Процесс восстановлени  напр жени  на конденсаторе 4 прекращаетс . В течение этих процессов дополнительный транзистор 12 закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напр жением источника опорного напр жени , транзистор 2 тоже закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напр жением конденсатора 6. При достижении на базе транзистора 2 напр жени  открывани , приоткрываетс  транзистор 2, в схеме возникает регенеративный процесс, заканчивающийс  открЬванием транзистора 2 и запиранием транзисторов 1 и 13. Транзистор 12 в течение этих процессов остаетс  закрытым. Начинаетс  процесс зар да конденсатора 6 до момента открыти  транзистора 12, причем в силу того, что схема симметрична , процессы проход т аналогичным образом . Ограничение напр жени  зар да врем задающих конденсаторов дополнительными транзисторами 12 и 13 способствует увеличению скважности и нагрузочной способности мультивибратора, а также цовыщает . стабильность генерируемых импульсов, причем максимальна  стабильность выходных импульсов достигаетс  при использовании основных и дополнительных транзисторов, изготовленных на основе одного и того же полупроводникового материала.

Claims (1)

1. МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состоит из двух транзисторов одного типа проводимости, первый из которых коллектором соединен с первой шиной источника питания, а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой шиной источника питания через второй резистор, вторая обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питания, а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийся тем, что. с целью повышения скважности, нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрощения за счет стабилизации выходного напряжения, в него введены источник опорного напряжения и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа η—р—п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы — с базами соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч. _в а базы дополнительных транзисторов соеди-® йены между собой и подключены к второй л шине источника питания через источник V опорного напряжения. Λ >

   I