Широко используемый способ изготовлени устройств иа жидких кристаллах включает следующие осжмные операции: изготовление пластин кювет устройства и нанесение на них электродов (причем хот бы на одну из пластнн электроды нанос т из врозрачного матернала). сборку кювет, заполнеНне кювет устройства жидким кристаллом и нх герметнзацню. Кроме того, известен способ изготовлени устройств иа жидких кристаллах, по которому перед операцией сборки кювет производ т обработку поверхностей пластнн кювет с наиесеииыми иа них электродами поверхиостио-активиыми веществами. Обработка поверхностей пластин производитс дл увеличени крутизиы вольт-коитрастиой характеристики устройств , получени оптически однородного, прозрачного жидкого кристалла,.создани покрыти иа электродах, предохран ющих их от коррозии. Обработку осуществл тт способом осаждени поверхностно-активных веществ из объема водных или органических растворов. При такой обработке на поверхности пластин осаждаютс мономолекул рные слои поверхностно-активных веществ , которые служат покрытием и ориентирующей матрицей дл жидкого кристалла. Однако при таких способах изготовлени устройств на жидких кристаллах невозможно получение совершенной структуры покрыти на электродах. Это выражаетс в неоднородности толщины осажденных слоев, нарущении структуры осажденных слоев под вли нием -микронеоднородностей поверхности пластин кювет и, как следствие, небольща крутизна вольт-контрастной характеристики , слабые противокоррозионные свойства получаемого покрыти и слаба защита жидкого кристалла от электрохимического разрущени на э; ектродах. Предлагаемый способ отличаетс -от известных тем, что операцию обработки внутренних поверхностей пластин кювет поверхностно-активными веществами производ т путем проведени пластин через границу раздела фаз жидкость-газ, на которой предварительно формируют нерастворимый в жидкости мономолекул рный слой органического или элементоорганического поверхностно-активного вещества, а в жидкую фазу добавл ют вещества, улучшающие адгезию мономолекул рного сло к поверхности пластин кювет. После очистки пластины закрепл ют в кассете так, чтобы внутренние поверхности пластин кювет с нанесенными на них электродами , были открыты, и погружают в ванну с водой. Затем на очищенную водную поверхность нанос т раствор модифицирующего поверхностно-активного вещества в летучем несмещивающемс с водой органическом растворителе. Количество наносимого поверхностно-активного вещества выбирают таким, чтобы на поверхности ванны образовалс разреженный мономолекул рный слой. Поверхность, занимаема мономолекул рным слоем, ограничена по параметру: с трех сторон кра ми ванны, а с четвертой стороны подвижным барьером, скольз щим по кра м ванны так, что вода легко проходит под барьером при его движении. Дл молекул поверхностно-активного вещества , наход щихс на поверхности, барьер вл етс непроницаемым. Далее, контролиру поверхностное нат жение воды, уменьшают с помощью барьера площадь, занимаемую мономолекул рным слоем. При увеличении поверхностной концентрации молекул поверхностно-активного вещества возникает взаимодействие между молекулами мономолекул рного сло , и они ориентируютс нормально к поверхности раздела фаз. В таком упор доченном слое гидрофильные группы молекул обращены к видной фазе, а гидрофобные концы молекул - к газовой фазе, например к воздуху. По своей структуре такие мономолекул рные слои близки к двухме,рному жидкому кристаллу смектического типа. В присутствии плотного монимолекул рного с«1о поверхностно-активного вещества поверхностное нат жение воды может уменьщатьс на величину дин/см. После того, как сформирован плотный мономолекул рный слой, кассету с пластинами медленно выт гивают из жидкости в газовую фазу через границу раздела фаз. Плоскость пластин обычно располагают перпендикул рно к границе раздела фаз. При этом мономолекул рный слой осаждаетс на пластины так, что гидрофильные группы обращены к пластинам, а гидрофобные группы молекул - наружу. Во врем выт гивани кассеты угол смачивани поверхности пластин острый и пластины выход т из воды сухими. Скорость движени пластин может быть заключена в интервале 0,001 - 1 см/с. Мономолекул рные слои, осажденные описанным выше способом, могут сглаживать микронеоднородности на твердых подложках и обладают электроизолирующими свойствами. Дл увеличени прочности мономолекул рного сло и улучшени адгезии к пластинам в водную фазу добавл ют,соли многовалентных металлов, например . Процесс осаждени мономолекул рных слоев можно производить многократно на одну и ту же подложку, причем эффект сглаживани микронеоднородностей усиливаетс . Такие мономолекул рные слои обладают хорощей адгезией к подложке и сильным ориентирующим воздействием на прилегающие к нему молекулы жидкого кристалла . Хот на практике наиболее приемлемым вл етс сочетание вода-воздух, в качестве жидкой фазы могут быть использованы любые пол рные растворители, на которых имеют возможность существовать стабильные мономолекул рные слои поверхностно-активных вещ.еств, а в качестве газообразной фазы - любой газ или смесь газов, неразрушающих мономолекул рный слой. Формула изобретени 1. Способ изготовлени индикаторных устройств на жидких кристаллах, включающий изготовление пластин кювет и нанесение на них прозрачных электродов, обработку внутренних поверхностей пластин кювет поверхностно-активными веществами, нанесение защитного покрыти на электроды, сборку кювет , наполнение кювет жидким кристаллом и их герметизацию, отличающийс тем, что, с целью улучшени защитного покрыти на электродах, степени однородности ориентации жидкого кристалла и увеличени во.тьтконтрастной характеристики, обработку внутренних поверхностей пластин кювет поверхностно-активными веществами производ т путем проведени пластин через границу раздела фаз жидкость-газ, на которой предварительно формируют нерастворимый в жидкости мономолекул рный слой органического или элементоорганического поверхностно-активного вещества, а в жидкую фазу добавл ют вещества, улучщающие адгезию мономолекул рного сло к поверхности пластин-кювет.