Claims (2)
чтобы перенести изображение эмульсионной маски на фоторезист. Последвий про вл ют в 2%-ном растворе тринатрийфосфата в течение 20 с при комнатной температуре. Участки фоторезиста, подверженные облучению, при про влении удал ютс . Фоторезист нромывают водой и сушат ступенчато - сначала при 90°С в течение 15 мин, затем при 110°С в течение мин. Подложку с изображением фотошаблона из фоторезиста помеш.ают в катодную установку на водоохлаждаемый высокочастотный электрод . Из-под колпака установки удал ют воздух и напускают инертный газ, например аргон , до давлени 1-10 мм рт. ст. Затем подают напр жение на электроды катод - анод и зажигают разр д. При по влении разр да в систему напускают водород до давлени 6- 8-10- мм рт. ст. При этом интенсивность газового разр да уменьшаетс . Это уменьшение компенсируетс путем увеличени напр жени на электродах катод-анод. Соотношение между парциальными давлени ми водорода и аргона при данном напр жении на электродах газового разр да зависит от конструкции установки . С момента подачи высокочастотного пол т желые ионы аргона, провод бомбардировку подложки, возбуждают, поверхностный слой, который вступает во взаимодействие с водородом . Водород проникает в незащиш;енные фоторезистом слои стекла и восстанавливает в нем ионы меди. Поверхностный слой, не защищенный фоторезистом, окрашиваетс в красный цвет и становитс непрозрачным дл ультрафиолетового излучени и прозрачным дл длин волн видимого диапазона. Толщину окрашенного сло определ ют глубиной проникновени ионов меди при обработке стекла в расплаве. После того, как все ионы меди восстановились водородом, процесс обработки поверхности плазмой заканчиваетс . Фотошаблон вынимают из установки, а защищенный слой фоторезиста удал ют путем растворени его в ацетоне. Готовый фотошаблон промывают в потоке дистиллированной воды и высушивают сжатым воздухом. Четкость границы изображени , а также разрешающа способность определ ютс краем защитного сло фоторезиста и нормальным направлением воздействи ионов, составл ющих плазму газового разр да в высокочастотном поле, а также отсутствием геометрического рельефа на поверхности стекла. Повышенна износоустойчивость достигаетс тем, что маскирующий окрашенный слой находитс ниже поверхности стекла и имеет значительную толщину, доход щую до 1 мкм. По описанному способу фотошаблоны получают негативными относительно фотошаблона оригинала, т. е. прозрачным участкам фотошаблона оригинала соответствуют непрозрачные участки цветного фотошаблона. Формула изобретени 1. Способ изготовлени цветных фотошаблонов , включающий формирование на стекл нной подложке рисунка из фоторезиста, проведение диффузии в подложку ионов металла с переменной валентностью и окрашивание восстановлением ионов металла с переменной валентностью , отличающийс тем, что, с целью увеличени выхода годных фотошаблонов и повышени производительности труда, вначале провод т диффузию в подложку ионов металла с переменной валентностью из расплава его соли, затем из фоторезиста, устойчивого к действию восстановител , формируют рисунок фотошаблона, после чего производ т окрашивание восстановлением. to transfer the image of the emulsion mask to the photoresist. Sequences are developed in a 2% trisodium phosphate solution for 20 seconds at room temperature. The exposed areas of the photoresist are removed when developed. The photoresist is washed with water and dried stepwise - first at 90 ° C for 15 minutes, then at 110 ° C for minutes. The substrate with the image of a photomask of photoresist is placed in the cathode installation on a water-cooled high-frequency electrode. Air is removed from under the cap of the apparatus and an inert gas, such as argon, is injected to a pressure of 1-10 mm Hg. Art. A voltage is then applied to the cathode-anode electrodes and the discharge is ignited. When a discharge occurs, hydrogen is injected into the system to a pressure of 6-8-10 mm Hg. Art. In this case, the intensity of the gas discharge decreases. This decrease is compensated by increasing the voltage on the cathode-anode electrodes. The ratio between the partial pressures of hydrogen and argon at a given voltage at the gas discharge electrodes depends on the design of the installation. From the moment the high-frequency field is supplied, heavy argon ions, wire bombardment of the substrate, excite the surface layer, which interacts with hydrogen. Hydrogen penetrates the layers of glass that are unprotected by the photoresist and restores copper ions in it. The surface layer, not protected by the photoresist, turns red and becomes opaque to ultraviolet radiation and transparent to visible wavelengths. The thickness of the colored layer is determined by the penetration depth of copper ions during the processing of glass in the melt. After all copper ions have been reduced by hydrogen, the plasma surface treatment process ends. The photomask is removed from the installation and the protected photoresist layer is removed by dissolving it in acetone. The finished photomask is washed in a stream of distilled water and dried with compressed air. The sharpness of the image boundary, as well as the resolution, are determined by the edge of the protective layer of the photoresist and the normal direction of the ions that make up the gas discharge plasma in the high-frequency field, as well as by the absence of a geometric relief on the glass surface. Increased wear resistance is achieved by the fact that the masked colored layer is below the surface of the glass and has a considerable thickness reaching up to 1 micron. According to the described method, the photomasks get negative with respect to the original photomask, i.e. the transparent areas of the original photomask correspond to the opaque areas of the color photomask. Claim 1. A method of making color photomasks, including forming a photoresist pattern on a glass substrate, diffusing a variable valence metal ion into a substrate, and dyeing it with a variable valence metal ion, characterized in that in order to increase the yield of photomasks and increase labor productivity, first diffused into a substrate of metal ions with variable valence from a melt of its salt, then from a photoresist that is resistant to reducing NOVITEL form a mask pattern, after which coloration is produced by reduction of m.
2. Способ по п. 1, отличаюшийс тем, что окрашивание восстановлением производ т в области высокочастотного разр да в смеси водорода и инертного газа.2. A method according to claim 1, characterized in that the dyeing by reduction is carried out in the region of high-frequency discharge in a mixture of hydrogen and inert gas.