SU458041A1 - Фоторезистор ультрафиолетового излучени - Google Patents
Фоторезистор ультрафиолетового излучениInfo
- Publication number
- SU458041A1 SU458041A1 SU1920596A SU1920596A SU458041A1 SU 458041 A1 SU458041 A1 SU 458041A1 SU 1920596 A SU1920596 A SU 1920596A SU 1920596 A SU1920596 A SU 1920596A SU 458041 A1 SU458041 A1 SU 458041A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- photoresistor
- electrical contacts
- ultraviolet
- ultraviolet photoresistor
- cadmium
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам лучистой энергии, предназначенным дл работы в оптоэлектронных измерительных цеп х, схемах автоматической регистрации и контрол излучени , в частности к фоторезисторам.
Известные фоторезисторы, содержащие светочувствительный элемент на основе соединений кадми и нанесенные на него электрические контакты, охватывают узкую область спектра. Поэтому в интервале длин волн 0,3-0,4 мкм необходимо использовать несколько фоторезисторов, изготовленных из смеси материалов системы ZnS-CdS. Однако последние обладают относительно малой чувствительностью и изготавливаютс по сложной технологии.
Цель изобретени - получение высокой чувствительности спектра 0,255-0,46 мкм.
Дл этого светочувствительный элемент выполден из нелегироваиного тиогаллата кадми CdGa2S4, а электрические контакты нанесены на него с рассто нием между ними 0,5- 800 мкм.
Электрические контакты могут быть произвольной конфигурации. Омичные электроды и токоведущпе контакты выполнены из обычных металлов. Фоторезистор смонтирован в герметичном корпусе аналогично фототриоду ФГГ с кварцевым окном. Форма и размеры фоточувствительного элемента и корпуса могут видоизмен тьс .
Основные параметры фоторезистора (Т - 300° К); темновое сопротивление 0,1 - 1,2-10 ом, рабоча спектральна область
о
2550-4600 А, длина волны максимальной чуво
ствительности Ямакс 3520 А, относительна фоточувствительность при плотности светового потока 2,3-10-3 вт/см 10.
R
Предмет изобретени
Фоторезистор ультрафиолетового излучени , содержащий светочувствительный элемент на основе соединений кадми и нанесенные на него электрические контакты, отличающийс тем, что, с целью получени высокой чувствительности в области спектра 0,255-0,46 мкм, в качестве указанного соединени вз т нелегированный тиогаллат кадми CdGa2S4, а электрические контакты нанесены с рассто нием между ними 0,5-800 мкм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1920596A SU458041A1 (ru) | 1973-05-14 | 1973-05-14 | Фоторезистор ультрафиолетового излучени |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1920596A SU458041A1 (ru) | 1973-05-14 | 1973-05-14 | Фоторезистор ультрафиолетового излучени |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU458041A1 true SU458041A1 (ru) | 1975-01-25 |
Family
ID=20553204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1920596A SU458041A1 (ru) | 1973-05-14 | 1973-05-14 | Фоторезистор ультрафиолетового излучени |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU458041A1 (ru) |
-
1973
- 1973-05-14 SU SU1920596A patent/SU458041A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Goodman | Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide | |
| US4318115A (en) | Dual junction photoelectric semiconductor device | |
| JPH0770753B2 (ja) | 柴外線の光電検出器及びその製造方法 | |
| US20040061152A1 (en) | Semiconductor photosensor device | |
| JPS6057714B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| RU56069U1 (ru) | Кремниевый pin-фотодиод большой площади | |
| DE3784991D1 (de) | Schaltkreis fuer ein photoempfindliches pixel mit einem belichteten blockierglied. | |
| US3596151A (en) | Constant sensitivity photoconductor detector with a tin oxide-semiconductor rectifying junction | |
| SU458041A1 (ru) | Фоторезистор ультрафиолетового излучени | |
| US4034396A (en) | Light sensor having good sensitivity to visible light | |
| JPS6116580A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| US3825807A (en) | High gain barrier layer solid state devices | |
| JPS6382326A (ja) | 紫外線センサ用素子 | |
| US5168321A (en) | Doped-germanium sensor for use in a system to control the alignment of a CO2 laser beam | |
| RU1060035C (ru) | Устройство дл регистрации ионизирующих излучений | |
| JPS5477088A (en) | Semiconductor photo detector | |
| US3813541A (en) | Mos photodiode | |
| US4228354A (en) | Method for detecting radiation | |
| SU652629A1 (ru) | Полупроводниковый фотоэлектрический прибор | |
| JP2860027B2 (ja) | 紫外線検知装置の製造方法 | |
| JP2512427B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS5516408A (en) | Detector for multiple light communication | |
| US3597614A (en) | Cadmium phosphide photoconductive infrared detector | |
| JPS53126885A (en) | Semiconductor photo detector | |
| SU1086999A1 (ru) | Способ определени ширины запрещенной зоны и положени локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (его варианты) |