SU456342A1 - Преобразователь электроэнергии - Google Patents

Преобразователь электроэнергии

Info

Publication number
SU456342A1
SU456342A1 SU1862829A SU1862829A SU456342A1 SU 456342 A1 SU456342 A1 SU 456342A1 SU 1862829 A SU1862829 A SU 1862829A SU 1862829 A SU1862829 A SU 1862829A SU 456342 A1 SU456342 A1 SU 456342A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thyristor
thyristors
recovery time
power converter
reverse
Prior art date
Application number
SU1862829A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Алексеевич Евсеев
Анатолий Николаевич Думаневич
Александр Сергеевич Осипов
Игорь Петрович Таратута
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6517
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6517 filed Critical Предприятие П/Я Р-6517
Priority to SU1862829A priority Critical patent/SU456342A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU456342A1 publication Critical patent/SU456342A1/ru

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к схемам преобразователей электроэнергии, в частности к схеме активного элемента выпр мител  и инвертора на основе тиристоров.
В существующих преобразовател х электрической энергии (регулируемых выпр мител х и инверторах) в качестве основного активного элемента используютс  тиристоры, врем  восстановлени  запирающей способности которых определ ет частотные свойства преобразовател .
В регулируемых выпр мител х в том случае , когда обратные перенапр жени  больше пр мых, используетс  последовательное соединение тиристоров и диодов.
В этом случае врем  восстановлени  запирающих свойств зависит от напр жени  переключени , т. е. большей рабочей температуры или повыщенного напр жени  переключени , обратного анодного нанр жени . Врем  восстановлени  запирающих свойств диода должно превышать врем  восстановлени  тиристора . Таким образом, частотные свойства тиристора в этом случае не доиспользуютс .
Предлагаемое решение позвол ет повысить частотные свойства нреобразователей без существенного изменени  электрофизических параметров тиристорных элементов и значительного усложнени  схемы. Причем частотные свойства тиристоров используютс  полиостью.
Это достигаетс  тем, что в качестве активного элемента нреобразовател  иснользованы последовательно соединенные диоды и тиристоры с обратной характеристикой аиалогичиой пр мой характеристике полупроводникового диода. При этом врем  восстановлени  запирающей способности диодов выбираетс  меньшим времени восстановлени  тиристоров. Па фиг. 1 и 2 показаны основные элементы
преобразовател , выполненные с использованием тиристора с выводами от двух базовых областей; на фиг. 3 изображен элемент, использующий тиристор с обратной проводимостью .
При использовании тиристора с выводами от обеих базовых областей вывод от базовой области р-типа электрически св зан с катодом, а вывод от п-базы - с анодом тиристора. Благодар  такой конструкции тиристорного элемента создаютс  дополнительные пути рассасываин  избыточного зар да от базовых областей . Благодар  этлму в несколько раз Змеиьшаетс  врем  восстаповлени  запирающей способности тиристора. При этом длительность процесса выключени  мало зависит от того, разомкнута анодна  цепь или иет.
Вентиль BI характеризуетс  тем, что врем  восстановлени  его занирающей способности меньше времени восстановлени  запирающей
способности тиристора. Это ириводит к тому.
что вентиль быстрее восстанавливает свою запирающую способность и преп тствует протеканию тока выключени  между электродами Б и БЗ. Этот ток приводит к созданию дополнительного избыточного зар да в базовых област х тиристора. Поскольку даже высокочастотные вентили имеют хот  н короткий выброс обратного тока, нривод щий к по влению дополнительного избыточного зар да в базовых област х, устранить его вли ние на процесс выключени  можно включением между базовыми выводами диода, анод которого св зан с выводом п-базы, а катод - с выводом р-базы. При этом падение напр жени  на диоде должно быть меньше падени  напр жени  между электродами Б и Б2 тиристора при протекании одинакового тока, т. е. вентиль шунтирует центральный р-п переход от протекани  через него тока выключени .
Устройство суш,ественно упрощаетс  при использовании тиристора с обратной проводимостью (фиг. 3), который имеет свойства, близкие свойствам комбинации тиристор с закороченными эмиттерными переходами - вентиль В2.
Помимо указанных отличий рассмотренное включение тиристора обеспечивает вследствие двойного шунтировани  эмиттерных переходов повышенную стойкость к эффекту dU/dt и термостабильность.
Здесь рассматривалась активна  цепь однофазного преобразовател , однако все сказанное справедливо и дл  многофазных преобразователей с несколькими активными цеп ми.
Предмет изобретени 
Преобразователь электроэнергии, содержащий последовательно соединенные тиристоры с высокой обратной проводимостью и- диоды, соединенные таким образом, что катод диода соединен с анодом тиристора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  частоты преобразовани  электроэнергии, он выполнен на диодах, у которых врем  восстановлени  запирающей способности меньще, чем у тиристоров .
SU1862829A 1972-12-27 1972-12-27 Преобразователь электроэнергии SU456342A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1862829A SU456342A1 (ru) 1972-12-27 1972-12-27 Преобразователь электроэнергии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1862829A SU456342A1 (ru) 1972-12-27 1972-12-27 Преобразователь электроэнергии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU456342A1 true SU456342A1 (ru) 1975-01-05

Family

ID=20536716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1862829A SU456342A1 (ru) 1972-12-27 1972-12-27 Преобразователь электроэнергии

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU456342A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4169761B2 (ja) 変換器回路、少なくとも1つのスイッチング・デバイスを有する回路および回路モジュール
Bernet et al. Comparison of high-power IGBT's and hard-driven GTO's for high-power inverters
EP3107198B1 (en) Power converter submodule with a short-circuit device and power converter having same
US3097335A (en) Electric current inverter
BR102014008470A2 (pt) aparelho inversor multinível de estágio de pré-carga de força e dinâmica de frenagem
US3257604A (en) Inverter
JP5835679B1 (ja) 電力変換回路とその適用電力変換装置
Gentry et al. Bidirectional triode PNPN switches
JP3771135B2 (ja) 半導体開閉器
Vemulapati et al. The concept of Bi-mode Gate Commutated Thyristor-A new type of reverse conducting IGCT
Alvarez et al. Characterization of 4.5 kV/2.4 kA press pack IGBT including comparison with IGCT
SU456342A1 (ru) Преобразователь электроэнергии
Fursin et al. 7.5 kV 4H-SiC GTO's for power conversion
JP6268038B2 (ja) 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
US3836994A (en) Thyristor overvoltage protective element
Vemulapati et al. An experimental demonstration of a 4.5 kV “Bi-mode Gate Commutated Thyristor”(BGCT)
US3551781A (en) Transient voltage suppression circuit
Hayashi et al. Active gate controlled SiC transfer switch for fault tolerant operation of ISOP multicellular dc-dc converter
Nistor et al. An IGCT chip set for 7.2 kV (RMS) VSI application
US3746948A (en) Semiconductor structure incorporating tunnel diodes located in the path of the main current flow
Mertens et al. Switching losses in a GTO inverter for induction heating
Carroll et al. Application specific igcts
Tschirley et al. Design and characteristics of low on-state voltage and fast switching 10 kV IGCTs
JP2023136611A (ja) 半導体装置
Sharma Power electronics