SU450246A1 - Способ изготовлени тонкопленочных конденсаторов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к технологии изготовлени  тонкопленочных элементов микроэлектроники .

Известен способ изготовлени  тонкопленочных конденсаторов путем нанесени  термическим испарением в вакууме двух металлических электродов.

Недостатком известного способа  вл етс  высока  веро тность катастрофических отказов конденсаторов вследствие короткого замыкани  между верхней и нижней обкладками. Короткие замыкани  возникают из-за того, что испаренные атомы металла обладают большой кинетической энергией и высокой подвижностью в адсорбированном состо нии, благодар  чему они легко проникают в диэлектрический слой по дефектным местам и микропорам, при этом величина удельной емкости конденсаторов ограничена.

С целью предотвращени  короткого замыкани  между электродами в процессе их нанесени  и повышени  удельной емкости тонкопленочных конденсаторов по предлагаемому способу перед нанесением верхнего электрода на диэлектрик осаждают промежуточный слой толщиной 0,05-0,1 мкм, состо щий из аэроЗОЛЬНЫХ частиц металла размером 20-60 А.

Аэрозольные частицы образуютс  при термическом испарении металла в разр женной

атмосфере инертного газа (Аг, Не). Эти частицы имеют низкую кинетическую энергию, малую подвижность и относительно больщие размеры, что устран ет локальные разогревани  диэлектрического сло  и проникновение металла по дефектам и микропорам. В качестве диэлектрика используют моноокись кремни . Измерение емкости осуществл ют мостовым методом на частоте 1 кГц.

Пример. На тщательно очищенное покровное стекло через маски методом термического испарени  осаждают алюминиевый электрод и слой SiO в вакууме 1 10 мм

о

рт. ст. Скорость осаждени  SiO - 10 А сек-.

Толщины диэлектрика измен ютс  от 5000 А

о

ДО 300 А. Диэлектрическа  посто нна  сло - 5.5, а его тангенс угла потерь - 0.015. Поверх диэлектрика осаждают промежуточный слой толщиной 0.05 - 0.1 мкм из мелких частиц А1, полученных термическим испарением металла в атмосфере Аг при давлении 10- мм рт. ст., а затем сверху осаждают алюминиевый электрод в вакууме 1.10 мм рт. ст.

Уменьшение толщины диэлектрического

оо

сло  с 5000 А до 300 А у конденсаторов, изготовленных предложенным методом, не приводит к по влению коротких замыканий, а также позвол ет повысить их удельную емкость. 3 Предмет изобретени  Снособ изготовлени  тонконленочных конденсаторов , включающий нанесение термическим испарением в вакууме двух металличе-5 ских электродов, отличающийс  тем, что, с целью предотвращени  короткого замы4 кани  между электродами в процессе их нанесени  и повышени  удельной емкости, перед нанесением верхнего электрода на диэлектрик осаждают термическим испарением в разреженной атмосфере инертного газа слой аэрозольных частиц металла электрода,