SU446920A1 - Датчик холла - Google Patents

Датчик холла

Info

Publication number
SU446920A1
SU446920A1 SU1843611A SU1843611A SU446920A1 SU 446920 A1 SU446920 A1 SU 446920A1 SU 1843611 A SU1843611 A SU 1843611A SU 1843611 A SU1843611 A SU 1843611A SU 446920 A1 SU446920 A1 SU 446920A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hall
sensor
semiconductor
resistive
current electrodes
Prior art date
Application number
SU1843611A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Юрьевич Беспаленко
Вячеслав Иванович Боянков
Виктор Алексеевич Бугаков
Геннадий Григорьевич Зеленский
Николай Васильевич Котосонов
Римма Алексеевна Романова
Александр Васильевич Скутнев
Яков Лейбович Хлявич
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5446
Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5446, Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола filed Critical Предприятие П/Я Х-5446
Priority to SU1843611A priority Critical patent/SU446920A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU446920A1 publication Critical patent/SU446920A1/ru

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области производства полупроводниковых приборов и может быть применено дл  детектировани  и преобразовани  СВЧ-сигналов, измерени  компонеВТ блектромагнитного пол , анализа спектра частот и,т.д.
Известен четырехэлектродный датчик Холла, которы.й имеет р д полупроводниковых слоев с чередующимс  типом проводимости, изолированных друг от друга. На верхней и нижней плоскост х каждого из полупроводниковых слоев расположена пара омических холовских контактов. Торцовые стороны полупроводниковых слоев покрыты диэлектриком и на эти поверхности блок-структуры нанесены напылением металличе ские слои; таким образом, в этой части структуры полупроводниковые слои, диэлектрик и. металл образуют р д конденсаторов, способствующих закорачиванию переменной составл ющей а.д.с. Холла, а также э.д.с.,
обусловленной неэквипотенвдальностью элементов датчика. Холловские контакты соединены последовательно металлическими перемычками. Емкостные токовые электроды выполнены едиными дл  блока параллельно соединенных полупроводниковых слоев, . Датчик предназначен дл  измерени  , мощностей в диапазоне высоких час-0 тот.
Датчик имеет следующие недостатки: искажение электромагнитного пол  холловскими выводами, дл  уменьшени  которого датчики в волноводах или коаксиальных лини х . приходитс  располагать так, чтобы линии электрического пол  были перпендикул рны выводам сигнала Холла; измерение полей в свободном
0 пространстве и системах с высшими типами колебаний затруднено из-за неконтролируемого вли ни  выводов; возникновение магнитных наводок на петлю, образуемую холловскими вы5 водами и полупроводниковым матери ;;
алом, дл  Компенсации которых примен ют дополнительные выводы или компенсирующие витки, однако на высоких частотах и особенно СВЧ эти средства малоэ фективны; несовместиьюсть с детекторными и смесительными СВЧ-головками вследствие более сложного герметизирущего корпуса , обусловленного четырьм  выводами датчика.
Дл  уменьшени  искажени  электромагнитного пол  холловскими выводами и снижени  магнитных наводок на них в предлагаемом датчике емкостнйе токовые электроды соединены попарно с ХОЛЛОВСКИМИконтактами посредством резистивных полос, изолированных другот друга .Резистивные полосы могут быть выполнены/из металла, нанесенного на поверхность диэлектрического сло . РбЗИстивные полосы- могут быть в ыполнены в виде высоколегированных каналов в полупроводниковой пластине и шлеть тип проводимости , противоположный типу прово-: димости исходного полупроводника.
На фиг.1 показан предлагаемый датчик холла, вид сбоку с частичным разрезом в месте расположени  холловского контакта; на фиг.2 то же, вид сверху.
На полупроводниковую пластину I нанесен слой диэлектрика 2, например , окисла кремни ; на диэлектрическом слое 2 расположены токовые электроды 3, соединенные с помощью резистивных полос 4 с холловскими контактами 5, которые выполнены вплавлением металла через отверстие ь в диэлектрическом слое 2,
Резистивные полосы 4 (фиг.2) ни в одной точке не соприкасаютс  друг с другом и шлеют Г-образную конфигурацию в плане с изгибом в месте пересечени  осей в плоскости датчика. Полосы 4 могут быть -выполнены либо металлическими, либо путем высокого легировани  полупроводника I примесью противоположного типа проводимости. В этом случае контакт токовых электродов 3 с резистивными полосами 4 должен быть осуществлен через отверсти  в диэлектрическом слое 2.
На фигЛ показано, что токовые электроды 3 датчика имеют емкостной характер, поскольку они расположены на слое диэлектрика 2, покрывающем полупроводник I.
В готовом виде прибор имеет только два вывода, присоеданенных
к емкостнщ токовым ;бле1стродам. Эти .выводы служат одновременно дл  подачи высокочастотного тока питани  и выведени  сигнала Холла, Тем самым существенно упрощаетс  конструкци  датчика Холла и достигаетс  возможность применени  его дл  детектировани  и смещени  СВЧ-сигна лов в СВЧ-детекторах и сместител х.
Шесте с тем предлагаемый датчик позвол ет измер ть значительные мощности в диапазоне СВЧ в отличие от известных датчиков Холла. Дл  выведени  сигнала Холла
из линии питани  током примен етс  частотна  селекци .
Магнитные наводки в предлагаемом датчике сведены до минимума тем, что толщина диэлектрического
сло  2, определ юща  площадь петли холловского сигнала, составл ет 1-2 мкм при линейных размерах полупроводниковой пластины в несколько миллиметров.
Толщина металлических резистивных полос 4, полученных вакуумным напылением, составл ет не более I мкгл, а толщина тех же полос,
выполненных в виде высоколегированных каналов в теле полупроводника, не превышает 20-30 мкм. В том и в другом случае удельное сопротивление резистивных полос примерно равно удельному сопротивлению полупроводника , поэтому в электромагнитном поле датчик ведет себ  как однородна  полупроводникова  пластина .
В электрические цепи датчик
включаетс  аналогично детектирующим и преобразовательным диодам, в магнитные цепи - как и четырехэлектродные приборы.
В качестве примера можно рассмотреть работу датчика в детекторном режиме в волноводном измерителе мощности падающей волны дл  колебаний Нт на частоте 4500 мгц. Датчик поглодает минимальную
мощность и отдает максимум холловского сигнала, если плоскость датчика перпендикул рна поперечному сечению волновода, а ось, проход ща  через токовые электроды датчика , перпендикул рна широкой стенке волновода. Проволочные выводы, припа нные к емкострым электродам, пропускают через отверсти  в широких стенках волновода и укрепл ют в емкостных втулках с винтовыми разъемами дл  подключени  измерител  холловского сигнала.
К смонтированному таким образом в волноводе датчику в рабочем режиме прикладывают высокочастотное электрическое поле, численно равное разности потенциалов около отверстий в широких стенках волновода . Вектор высокочастотного электрического пол  совпадает по фазе магнитным полем падающей волны и ортогонален ему. Отраженна  волна волноводе этим сво ством не обладает , поэтому датчик реагирует только на падающую волну.
Под действием электрического пол  емкостные электроды и полупроводниковый слой течет высокочастотный ток, замыкающийс  на широких стенках волновода.
При взаимодействии тока в полупроводнике с высокочастотным магнитным полем на холловских контактах возншшет э.д.с. Холла, низко .частотна  составл юща  которой выводитс  посредством резистивных полос на проволочные выводы к измерителю компонентов холловского сигнала .
Г смесительном режиме датчик работает следующим образом. Датчик включаетс  в волновод или резонатор аналогично детекторному включению , но вместо емкостных втулок устанавливают коаксиальные разъемы дл  соединени  с усилителем промежуточной частоты. Гетеродинные колебани  попадают в волновод обычным ос5разом, при этом на датчик гоздействует суперпозици  электрических и магнитных полей двух частот , котора  сама по себе не порождает комбинационных частот. Датчик работает как перемножающий элемент, поэтому э.д.с. холла содержит суммарную и разностную частоты, последн   из которых выводитс  через резистивные полосы и проволочные выводы к усилителю промежуточной частоты.
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИУ

Claims (3)

1.Датчик Холла, состо щий из покрытой диэлектрическим слоем полупроводниковой пластины с дгум  емкостными токовыми электродами и
5 двум  омическими холловскими контактами , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  искажени  электромагнитного пол  холловскими выводами и снижени  магнитных
0 наводок на них, емкостные токовые электроды соединены попарно с холловскими контактами посредством рез стивных полос, изолированных друг ОТ дюуга.
5
2.Датчик по п.I, отличающийс  тем, что резистиБные полосы выполнены дз металла, нанесенного на поверхность диэлектрического сло ,
0
3.Датчик по п.I, о т л и ч аю щ и и с   тем, что резистивные полосы выполнены в виде Еысоколегированных каналов в полупроводниковой пластине и имеют тип проводи° мости, противоположный типу проводимости исходного полупроводника.
у J /
/
АЖЖ И ЯЖМЖ
.
562 I / /
SU1843611A 1972-11-04 1972-11-04 Датчик холла SU446920A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1843611A SU446920A1 (ru) 1972-11-04 1972-11-04 Датчик холла

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1843611A SU446920A1 (ru) 1972-11-04 1972-11-04 Датчик холла

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU446920A1 true SU446920A1 (ru) 1974-10-15

Family

ID=20531324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1843611A SU446920A1 (ru) 1972-11-04 1972-11-04 Датчик холла

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU446920A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3805150A (en) Environment immune high precision capacitive gauging system
US3706919A (en) Capacitive gauge
KR100353133B1 (ko) 정전용량형 센서, 정전용량형 센서부품 및 물체탑재체와그 장치
US4034289A (en) RF power monitor utilizing bi-directional coupler
TW202215908A (zh) Rf電壓及電流(v-i)感測器與測量方法
US6518743B1 (en) Wide-band RF signal power detecting element and power detecting device using the same
US3444460A (en) Electrodeless radio frequency conductivity probe and circuits therefor
US3219920A (en) Transducer employing a guard ring between input and output means to reduce stray capacitances
US3829770A (en) Directional coupler for transmission lines
US2602828A (en) Radio-frequency power measuring system
SU446920A1 (ru) Датчик холла
US3551706A (en) Hall effect device configurations for extended frequency range
US6759839B2 (en) Wide-band RF signal power detecting element and power detecting device using the same
US3109988A (en) Electromagnetic radiation monitor utilizing means responsive to all types of polarization
JPH04351103A (ja) マイクロ波共振器
JPH07101228B2 (ja) 集積回路のモニタ装置
JPH06100629B2 (ja) 磁界測定プロ−ブ
TW202217337A (zh) Rf電壓及電流(v-i)感測器與測量方法
US4306312A (en) Symmetric mixer for millimeter waves and a receiver using such a mixer
JP2019078563A (ja) 方向性結合器
KR102026733B1 (ko) 플라즈마 공정 측정 센서 및 그 제조 방법
US3763431A (en) Microwave transmission line measuring system
Dib et al. Coplanar waveguide discontinuities for pin diode switches and filter applications
US3900805A (en) Directional coupler for transmission lines
KR102616493B1 (ko) 플라즈마 측정 방법 및 플라즈마 공정 측정 센서