SU430532A1 - Устройство для изготовления трубообразных корпусов из полупроводникового материала - Google Patents
Устройство для изготовления трубообразных корпусов из полупроводникового материалаInfo
- Publication number
- SU430532A1 SU430532A1 SU1704107A SU1704107A SU430532A1 SU 430532 A1 SU430532 A1 SU 430532A1 SU 1704107 A SU1704107 A SU 1704107A SU 1704107 A SU1704107 A SU 1704107A SU 430532 A1 SU430532 A1 SU 430532A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tubes
- bridge
- semiconductor material
- reaction
- carbon
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001446316 Bohle iridovirus Species 0.000 description 1
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
1
Изобретение относитс к устройствам дл изготовлени трубообразных корпусов из полупроводникового матер.иала, преимущественно из кремни или германи .
Известно устройство дл изготовлени полупроводниковых трубообразных корпусов, включающее реакционный сосуд с расположенной внутри него подложкой в виде полого стержн из жаропрочного материала, соединенного в нижней части через стенку сосуда и электроды с источником нагрева, и средства дл цодачи и отвода реакционного газа. Иодложку нагревают в реакционном, газе, содержащем соответствующий полупроводниковый материал. В результате поверхность подложки покрываетс слоем полупроводникового мате-риала , который после отделени от подложки образует трубообразный корпус.
Однако операци отделени корпуса трубы от подложки требует дополнительных мер дл отделенн без разрушени подложки.
Цель изобретени - облегчение отделени корпуса от подложки.
Дл этого подложку выполн ют в виде двух параллельных трубок из углерода, например графита, соединенных в верхней части электропровод щим мостом из углерода. Внутренн полость по крайней мере одной из двух трубок соединена со средством подачи проточного охладител . Преимущественно трубки из
углерода установлены концентрически по отношению друг к другу. Электропровод щий мост выполнен с выемками дл установки трубок из углерода, открытыми в сторону реакционного пространства. Электропровод щий мост может быть также выполнен в виде крыщки, тогда на внутренней поверхности трубок высверлены отверсти дл проточного охладител .
На фиг. 1 и 2 изображено предложенное устройство.
Оно состоит из подовой плиты / из кварца .или жаркостойкого инертного металла, герметически соединенной с колпаком 2 из кварца.
Внутри реакционного пространства наход тс две вертикальные трубки 3, которые концами вставлены в высверленные отверсти 4 электрода 5, удерживающего трубки.
.Верхние концы вертикальных трубок 3 соединены провод щим мостиком 6 преимущест-, венно из того же материала, что и трубки 3, и вставлены в высверленные отверсти 7 мостика 6. Иосредством соответствующей герметической пр игонки обеспечивают безукоризненный электрический контакт. Отверсти 7 несколько суживаютс юверху, а отверсти 4 - книзу, поэтому трубки 3 установлены в электроды 5 и в мостик 6 до упора. Внутренн часть трубки 3 через отверсти 7 сообщаетс с реакционным пространством, поэтому
поступающее в трубки 3 через вводы трубок 5 в подовой 1 и через отверсти 4 в электродах 5 газообразное охлаждающее средство проходит в реакционное пространство. Охлаждающее средство, в даином случае водород, непосредственно участвующий в реакции в качестве восстановител азота, выполн ет только функции разбавител активных компонентов реакционного газа.
Эти реакционные газы, например в случае получени корпуса из кремни смесь из SiHClOa или SiCU и водорода, при необходимости с газообразным легирующим средством, проход т в реакционное пространство через ввод трубки 9 в плите /. Концентрически к этому вводу проходит выводна труба 10 дл использованного газа. Пр,и этом ввод трубки 9 входит внутрь реакционного сосуда несколько далее, чем концентрическа выводна труба 10, и находитс точно между двум трубками 3. Свежий реакционный газ при этом устройстве должен входить под соответствующим высоким давлением, поэтому в реакционном пространстве образуетс отчетливый луч. Электроды 5 наход тс в провод щем соединении с вводами трубок //, которые проведены через подовую плиту 1 изолированно друг от друга.
Осаждение происходит обычным образом. При этом на боковой поверхности трубок 5 образуетс полупроводниковый корпус 12, например , из кремни , германи , SiC или из соединени AMI ВIV , которые после охлаждени устройства без труда могут быть сн ты с трубок 3.
При этом, однако, важно, чтобы температура наружной стороны трубок 3 не превыщала в последующем 1250°С, так как иначе углеродна основа будет реагировать с полупроводником и полученный корпус не может быть легко сн т с углеродной трубки. Такими температурами вл ютс , °С:
при получении корпуса из кремни 1250 из германи 900
из CaAs1150
из SiC1300
из SnSb850
Трубки 3, мостик 6 и электроды 5 состо т из графита одното сорта, а вводы трубок 8, 9, 11 v( вывод трубы 10 - из резистивного металла . Токопровод щие части должны быть этом изолированы одна от другой соответствующим изол ционным слоем.
В устройстве, изображенном на фиг. 2, также имеетс подова плита / и герметически св занный с ней кварцевый колпак, которые вместе образуют реакционное пространство. В центре через цодовую плиту / проходит система концентрических электродов 13 и 14, герметически и электрически изолированных один от другого. При этом электрод 13 выполнен трубообразно. Оба электрода в верхней торцовой части внутри реакционного сосуда профилированы. При помощи такого профилировани и соответствующего ему негативного
профилировани в нижних торцовых местах обеих трубок 15 и 16 из графита они насаживаютс на электроды 13 и 14 из углерода. Охлаждающее средство течет не только в пространстве между трубками 15 и 16, но также и внутри трубки 15. Отверсти 17 образуют сквозное соединение с нространстеом между обеими трубками 15 и 16. Это промежуточное пространство снабжаетс свежим охлаждающим средством через два или несколько вводов , проложенных симметрично внутренней
трубке 15. Охлаждающее средство поступает
через ввод трубки 8 системы обеих трубок
15 vi 16 Yi выходит через выход трубы 10.
Верхние концы обеих трубок 15 и 16 вход т в соответствующие выемки соедин ющего их мостика в виде крыщки 18. Этот мостик имеет форму диска и отдел ет внутреннюю часть внутренней трубки 15 и пространство между
обеими трубками 15 и 16 от собственно реакционного пространства за трубкой 16 и наход щегос в нем газа.
Если поперечное сечение соединительного мостика между трубками будет настолько
больщим, что нагревание мостика окажетс недостаточным, тогда образуетс корпус 12, открытый с обеих сторон (см. фиг. 1). В другом же случае получаетс трубообразный ковш 19 (см. фиг. 2).
Полученные при правильном применении устройства трубообразные корпуса используют , прежде всего, в качестве резервуаров дл обработки при изготовлении полупроводниковых элементов. Дл этой цели трубы оснащают полуцроводниковыми дисками, которые затем устанавливают во втором резервуаре дл обработки, закрытом снаружи. В этом втором резервуаре дл обработки создают атмосферу, необходимую дл обработки полупроводниковых дисков. Кроме того, труба, состо ща из полупроводниковых материалов, нагреваетс , например, индуктивно или посредством прохождени тока.
Труба может служить в качестве источника
при транспортной реакции. Она передает полупроводниковый материал служащему дл этой цели известному транспортирующему газу , вследствие чего образуетс газообразное соединение, которое разлагаетс при высаживании полупроводников на поверхности несколько более холодных полупроводниковых дисков.
Чрезвычайно важным вл етс применение труб в качестве резервуаров дл обработки в
цел х легировани . В результате достаточно высокого легировани труб, содержащих подлен-;ащие легированию диски, легирующее вещество при соответствующем нагревании испар етс и создает внутри трубы, т.е. в месте легировани полупроводниковых дисков, желаемую легирующую атмосферу.
Предмет изобретени
Claims (5)
1. Устройство дл изготовлени трубообразных корпусов из полупроводникового материала , включающее реакционный сосуд с расположенной внутри него подложкой в виде лолого стержн из жароирочного материала, соединенного в нижней части через электроды с источником нагрева, и средства дл подачи и отвода реакционного газа, отличающеес тем, что, с целью облегчени отделени корпуса от подложки, последнюю выполн ют в виде двух параллельных трубок из углерода, например графита, соединенных в верхней части электропровод щим мостом из углерода.
2. Устройство по п. 1, отличающеес тем, что 1внутренн полость по крайней мере одной из двух трубок соединена со средством подачи проточного охладител .
3.Устройство по пп. 1-2, отличающеес тем, что трубки из углерода установлены концентрически по отпощению друг к другу.
4.Устройство по пп. I-2, отличающеес тем, что электропровод щий мост выполнен с выемками дл установки трубок из углерода, открытыми в сторону реакционного пространства .
5.Устройство по пп. I-3, отличающеес тем, что электропровод щий мост выполпен в виде крыщки, а па внутренней поверхности трубок высверлены отверсти дл проточного охладител .
/Z7
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2050076A DE2050076C3 (de) | 1970-10-12 | 1970-10-12 | Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU430532A1 true SU430532A1 (ru) | 1974-05-30 |
| SU430532A3 SU430532A3 (ru) | 1974-05-30 |
Family
ID=5784889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1704107A SU430532A3 (ru) | 1970-10-12 | 1971-10-08 | Устройство для изготовления трубообразных корпусов из полупроводникового материала |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3746496A (ru) |
| JP (1) | JPS491393B1 (ru) |
| BE (1) | BE768301A (ru) |
| CA (1) | CA959382A (ru) |
| CH (1) | CH528301A (ru) |
| CS (1) | CS188118B2 (ru) |
| DE (1) | DE2050076C3 (ru) |
| DK (1) | DK133604C (ru) |
| FR (1) | FR2111084A5 (ru) |
| GB (1) | GB1347368A (ru) |
| NL (1) | NL7111264A (ru) |
| SE (1) | SE367443B (ru) |
| SU (1) | SU430532A3 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3950479A (en) * | 1969-04-02 | 1976-04-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing hollow semiconductor bodies |
| US4015922A (en) * | 1970-12-09 | 1977-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for the manufacture of tubular bodies of semiconductor material |
| US3979490A (en) * | 1970-12-09 | 1976-09-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the manufacture of tubular bodies of semiconductor material |
| US4034705A (en) * | 1972-05-16 | 1977-07-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Shaped bodies and production of semiconductor material |
| DE2322952C3 (de) * | 1973-05-07 | 1979-04-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen |
| DE2518853C3 (de) * | 1975-04-28 | 1979-03-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas |
| JPS58177460U (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-28 | 後藤 定三 | カラ−錠前 |
| JP2725081B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1998-03-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置製造用熱処理装置 |
| US6228297B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-05-08 | Rohm And Haas Company | Method for producing free-standing silicon carbide articles |
| US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
| JP5309963B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンのシリコン芯棒組立体及びその製造方法、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコン製造方法 |
| RU2499081C2 (ru) * | 2008-03-26 | 2013-11-20 | ДжиТиЭйТи Корпорейшн | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы |
| KR20100139092A (ko) * | 2008-03-26 | 2010-12-31 | 지티 솔라 인코퍼레이티드 | 금-코팅된 폴리실리콘 반응기 시스템 및 방법 |
| MY157446A (en) * | 2008-06-23 | 2016-06-15 | Gt Solar Inc | Chuck and bridge connection points for tube filaments in a chemical vapor deposition reactor |
| US10494714B2 (en) * | 2011-01-03 | 2019-12-03 | Oci Company Ltd. | Chuck for chemical vapor deposition systems and related methods therefor |
| CN103158200B (zh) * | 2011-12-09 | 2016-07-06 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种c形硅芯的搭接方法 |
| CN103158202B (zh) * | 2011-12-09 | 2016-07-06 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种空心硅芯的搭接方法 |
| CN103158201B (zh) * | 2011-12-09 | 2016-03-02 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种空心硅芯与实心硅芯的搭接方法 |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
| US10450649B2 (en) * | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
| WO2020069722A1 (en) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Flowil International Lighting (Holding) B.V. | Linear led light source and manufacturing method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2955566A (en) * | 1957-04-16 | 1960-10-11 | Chilean Nitrate Sales Corp | Dissociation-deposition unit for the production of chromium |
| NL124690C (ru) * | 1958-05-29 | |||
| NL124906C (ru) * | 1958-12-09 | |||
| GB944009A (en) * | 1960-01-04 | 1963-12-11 | Texas Instruments Ltd | Improvements in or relating to the deposition of silicon on a tantalum article |
| DE1223804B (de) * | 1961-01-26 | 1966-09-01 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials, wie Silicium |
-
1970
- 1970-10-12 DE DE2050076A patent/DE2050076C3/de not_active Expired
- 1970-12-29 JP JP45121933A patent/JPS491393B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-02-08 US US00113286A patent/US3746496A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-06-09 BE BE768301A patent/BE768301A/xx unknown
- 1971-08-16 NL NL7111264A patent/NL7111264A/xx unknown
- 1971-08-17 CH CH1207171A patent/CH528301A/de not_active IP Right Cessation
- 1971-09-03 CS CS716329A patent/CS188118B2/cs unknown
- 1971-09-22 GB GB4411571A patent/GB1347368A/en not_active Expired
- 1971-10-07 FR FR7136062A patent/FR2111084A5/fr not_active Expired
- 1971-10-08 SU SU1704107A patent/SU430532A3/ru active
- 1971-10-08 CA CA124,754A patent/CA959382A/en not_active Expired
- 1971-10-11 DK DK492371A patent/DK133604C/da active
- 1971-10-12 SE SE12918/71A patent/SE367443B/xx unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU430532A1 (ru) | Устройство для изготовления трубообразных корпусов из полупроводникового материала | |
| US3293074A (en) | Method and apparatus for growing monocrystalline layers on monocrystalline substrates of semiconductor material | |
| US2686212A (en) | Electric heating apparatus | |
| US3099534A (en) | Method for production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes | |
| US3746496A (en) | Device for producing tubular bodies of semiconductor material, preferably silicon or germanium | |
| US2966537A (en) | High temperature furnace | |
| US3157541A (en) | Precipitating highly pure compact silicon carbide upon carriers | |
| US2999735A (en) | Method and apparatus for producing hyper-pure semiconductor material, particularly silicon | |
| US3025192A (en) | Silicon carbide crystals and processes and furnaces for making them | |
| GB795191A (en) | Improvements in or relating to processes for the production of very pure crystallinesubstances | |
| JPS6070177A (ja) | 化学的蒸着装置 | |
| US3751539A (en) | Use of vapor deposition to form a hollow tubular body closed on one end | |
| US3895967A (en) | Semiconductor device production | |
| US2893850A (en) | Apparatus for the production of elemental silicon | |
| US3222217A (en) | Method for producing highly pure rodshaped semiconductor crystals and apparatus | |
| US3147159A (en) | Hexagonal silicon carbide crystals produced from an elemental silicon vapor deposited onto a carbon plate | |
| US3134695A (en) | Apparatus for producing rod-shaped semiconductor bodies | |
| US3820935A (en) | Method and device for the production of tubular members of silicon | |
| US3343920A (en) | Furnace for making silicon carbide crystals | |
| US4020791A (en) | Apparatus for indiffusing dopants into semiconductor material | |
| US4681995A (en) | Heat pipe ring stacked assembly | |
| JPS58153332A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| US3243174A (en) | Dissociation-deposition apparatus for the production of metals | |
| US3523816A (en) | Method for producing pure silicon | |
| US3142584A (en) | Method for pyrolytic production of hyperpure semiconductor material |