SU429604A1 - Способ изготовления полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Info

Publication number
SU429604A1
SU429604A1 SU1790173/25A SU1790173A SU429604A1 SU 429604 A1 SU429604 A1 SU 429604A1 SU 1790173/25 A SU1790173/25 A SU 1790173/25A SU 1790173 A SU1790173 A SU 1790173A SU 429604 A1 SU429604 A1 SU 429604A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor devices
manufacturing semiconductor
irradiation
temperature
onset
Prior art date
Application number
SU1790173/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Болотов
А.В. Васильев
Н.Н. Герасименко
Л.С. Смирнов
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU1790173/25A priority Critical patent/SU429604A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU429604A1 publication Critical patent/SU429604A1/ru

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.
SU1790173/25A 1972-05-29 1972-05-29 Способ изготовления полупроводниковых приборов SU429604A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1790173/25A SU429604A1 (ru) 1972-05-29 1972-05-29 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1790173/25A SU429604A1 (ru) 1972-05-29 1972-05-29 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU429604A1 true SU429604A1 (ru) 2000-05-20

Family

ID=60522103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1790173/25A SU429604A1 (ru) 1972-05-29 1972-05-29 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU429604A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE750055A (fr) Tri-montanate de glycerol et procede de fabrication
GB1332932A (en) Methods of manufacturing a semiconductor device
CA944869A (en) Diffusion of doping materials into wafers of semi-conductor material
SU429604A1 (ru) Способ изготовления полупроводниковых приборов
US3733222A (en) Method of removing inversion layers from semiconductor bodies of p-type conductivity
ES402164A1 (es) Un metodo para fabricar dispositivos monoliticos semicon- ductores.
ES386515A1 (es) Un metodo de manufacturar un dispositivo semiconductor.
JPS5233484A (en) Manufacturing process of semiconductor device
BE768643A (fr) Procede de fabrication de gaufrettes semiconductrices ultraminces
JPS53134374A (en) Semiconductor device
JPS51114881A (en) Semiconductor device manufacturing method
JPS5312280A (en) Semiconductor device and its production
GB1093822A (en) Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices
ES344100A1 (es) Dispositivo semiconductor.
BE793800A (fr) Dispositif semiconducteur et son procede de fabrication
FR2009940A1 (fr) Combustible,son procede de fabrication et son application
SU385536A1 (ru) Способ изготовления полупроводниковой структуры
SU463398A1 (ru) Способ изготовления гетероперехода sic-si
ES385996A1 (es) Un metodo de fabricar un dispositivo semiconductor.
JPS51139280A (en) Semi-conductor device and method of manufacturing the same
JPS53132274A (en) Semiconductor device and its production
FR95912E (fr) Électrode et son procédé de fabrication.
FR2118846A1 (en) Semiconductor detector for radiation - having separated semiconducting zones of opposite type on base material
BE777627A (fr) Dispositifs semiconducteurs, tels que transistors de puissance et leur procede de fabrication
CA978281A (en) Junction transistor with graded impurity concentration in the high resistivity portion of its collector zone