SU425241A1

SU425241A1 - METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICES

Info

Publication number: SU425241A1
Application number: SU1326678A
Authority: SU
Inventors: Е. М. Якир О. М. Гуторенко О. Л. Калихман С. И. Васильев
Priority date: 1969-04-21
Filing date: 1969-04-21
Publication date: 1974-04-25

Description

1one

Изобретение относитс к технологии изготовлени электровакуумных приборов.The invention relates to a technology for the manufacture of vacuum devices.

В известнОМ способе изготовлени электронного прибора со стекл нной оболочкой и вакуум«оплот1ным электрическим вводом используют уплотн ющее вещество дл получени вакуумноплотного соединени крышки, на которой нанесен провод щий полупрозрачный слой, с оболочкой прибора. Однако такой способ характеризуетс наличием в нриборе загр знений и ограниченным температурным диапазоном работы.In the known method of manufacturing an electronic device with a glass envelope and a vacuum with an optic electrical input, a sealing substance is used to obtain a vacuum-tight connection between the cover on which the conductive translucent layer is applied to the envelope of the device. However, this method is characterized by the presence of contaminants in the atmosphere and a limited temperature range of operation.

По предлагаемому способу, с целью расщирени рабочего температурного диапазона, при использовании в качестве крышки сапфира на нижнюю и боковую поверхность нанос т полупрозрачный провод щий слой и сваривают его со стекл нной оболочкой прибора при 950°С в течение 8-9 сек.According to the proposed method, in order to expand the operating temperature range, when using sapphire as a cap, a translucent conductive layer is applied to the bottom and side surfaces and is welded to the glass envelope of the device at 950 ° C for 8-9 seconds.

Сущность предлагаемого способа заключаетс в следующем.The essence of the proposed method is as follows.

На торец стекл нного корпуса оболочки накладывают сапф.ировую крышку (шайбу) с нааесенной на ее поверхности токопровод щей пленкой толщиной 2 мкм. С помощью графитового нагревател , введетшого в высокочастотное поле, разогревают сапфировую крышку и стекл нный корпус оболочки в зоне их соединени . Температура сварки 950+20°С, врем выдержки сек. После доведени A sapphire cover (washer) with a conductive film 2 microns thick mounted on its surface is placed on the end of the glass case of the shell. Using a graphite heater introduced into the high-frequency field, the sapphire cover and the glass case of the shell are heated in the area of their connection. Welding temperature 950 + 20 ° С, holding time sec. After finishing

температуры до 950°С на 4-5 сек прово.д ща пленка на поверхности сапфировой крыщки смачиваетс расплавленным стеклом, что характеризуетс потемнением места прилегани крышки к корпусу оболочки. Затем в течение 3-4 сек. дают выдержку, в течение которой пленка частично раствор етс в расплавленном стекле. Увеличение вре.мени нагрева или температуры сверх указанных приводит к нарущению электропроводности пленки.temperature up to 950 ° C for 4-5 seconds, the conductive film on the surface of the sapphire cap is moistened with melted glass, which is characterized by darkening of the position of the cover against the shell. Then within 3-4 seconds. give an exposure during which the film partially dissolves in the molten glass. An increase in the heating time or temperature above the specified values leads to the violation of the electrical conductivity of the film.

Достоинством предлагаемого способа вл етс то, что изготовленные электронные нриборы могут работать при -196°С|-480°СThe advantage of the proposed method is that the manufactured electronic devices can operate at -196 ° C | -480 ° C

и выдерживают термоудар +60°С196°С.and withstand thermal shock + 60 ° С196 ° С.

Кроме того, выходное оптическое окно из сапфира вл етс прозрачным дл излучени In addition, the output sapphire optical window is transparent to radiation

вплоть до 6 М.КМ.up to 6 M.KM.

П р с д Л е т и 3 о б р е т е н и P r with dLet and 3 about b ete n and

Способ изготовлени электронного прибора со стекл нной oбoлoчкqй и вакуумноплотным электрическим вводом на входном окне, которое выполнено из сапфирового диска, отличающийс тем, что, с целью расширени рабочего температурного диапазона, на сапфировый диск нанос т провод п;ий слой и сваривают его со стекл нной оболочкой прибора приA method of manufacturing an electronic device with a glass shell and a vacuum-tight electrical input at the entrance window, which is made of a sapphire disk, characterized in that, in order to expand the operating temperature range, a wire is applied to the sapphire disk; device cover when

950°С в течепие 8-9 сек.950 ° C during 8-9 sec.