SU420583A1

SU420583A1 - GLASS

Info

Publication number: SU420583A1
Application number: SU1808632A
Authority: SU
Original assignee: И. В. Филатова, В. С. Минаев, В. Петрова, Н. М. Грабчак, А. А. МИЛОЕ , Н. М. Парфенов; Московский институт электронной техники
Priority date: 1972-07-11
Filing date: 1972-07-11
Publication date: 1974-03-25

Description

1one

Изобретение относитс к стеклам дл активных элементов переключени и пам ти и может использоватьс в микроэлектронике дл создани переключаемого напр жением прибора как с эффектом пам ти, так и без него.The invention relates to glasses for active switching elements and memory and can be used in microelectronics to create a voltage-switching device with or without a memory effect.

Известно стекло дл получени активных элементов переключени и пам ти на основеGlass is known for obtaining active switching elements and memory based on

VsOs, Р205, V204.VsOs, P205, V204.

Цель изобретени - получение активного элемента с устойчивым эффектом пам ти и переключени с расширением температурного диапазона работы.The purpose of the invention is to obtain an active element with a stable memory effect and switching with an extension of the temperature range of operation.

Достигаетс это тем, что стекло дополнительно содержит СаО при следующем соотношении .компонентов, вес. %:This is achieved by the fact that the glass additionally contains CaO in the following ratio of components, weight. %:

VaOs55-65VaOs55-65

PaOs18-22PaOs18-22

УгО 5-15UDO 5-15

СаО8-12CaO8-12

Введение СаО обеспечивает повышение температуры разм гчени (Tg) стекла, что расшир ет температурный диапазон работы приборов , а совместное добавление СаО и PgOs к компонентам, обеспечивающим полупроводниковые свойства стекла, т. е. к смеои четырех и п тиО|КИ1си ванади , позвол ет получить устойчивое к кристаллиза-ции исходное стекло, что улучшает качесгво приборов. Предложенное стекло так же обеспечивает уменьшение величины токов переключени на вольт-амперный характеристике приборов, что улучшает стабильность работы приборов. Пример.The introduction of CaO provides an increase in the softening temperature (Tg) of the glass, which expands the temperature range of the instruments, and the joint addition of CaO and PgOs to the components that provide the semiconductor properties of the glass, i.e., a mixture of four and five | Vanadium to obtain resistant to crystallization of the original glass, which improves the quality of the devices. The proposed glass also provides a reduction in the magnitude of the switching current to the current-voltage characteristic of the devices, which improves the stability of the operation of the devices. Example.

Предлагаемое стекло содержит следующие компоненты, вес. %:The proposed glass contains the following components, weight. %:

VsOs60Vsos60

Р205 Р205

20 10 10 20420 10 10 204

СаОCao

В качестве исходных компонентов шихты используют V205 и V204 марки чда,As the initial components of the mixture using V205 and V204 brand chd,

(NH4)2HPO4 марки чда, СаО марки чда, тщательно смешивают и синтезируют в корундовых тигл х в силитовой печи при li200°C с выдержкой 2 час. Стекло отливают на стальную плиту и отжигают при 300°С не менееThe (NH4) 2HPO4 brand of chd, cao of the brand of chd, is thoroughly mixed and synthesized in corundum crucibles in a silicon silicate furnace at li200 ° C with a holding time of 2 hours. The glass is cast on a steel plate and annealed at 300 ° C not less

4 час.4 hours

Стекло имеет Tg,340°C, удельное сопротивление ом/см. При повторной термической обработке исходного стекла при 460°С происходит объемна кристаллизаци . На основе этого стекла получены элементы с устойчивыми свойствами переключени и запоминани . Тонкие пленки стекла имеют хорошую адгезию к конструкционным материала м, используемым в переключающих устройствах. 3 Предмет изобретени Стекло дл получени активных элементов переключени и 1иам т1И, включающее VaOg, Р205, V2O4, отличающеес тем, что, с5 целью обеопечени1Я устойчивых эффектов переключени и пам ти с расширением темпе4 ратурного диапазона работы приборов, оно дополнительно содержит СаО ири следующем ооотношании компонентов; (вес. %: VgOg- 55-65 Р2О5 18 22 V2O4 5-16 СаО в 12The glass has a Tg, 340 ° C, resistivity Ohm / cm. Upon repeated heat treatment of the original glass at 460 ° C, bulk crystallization occurs. On the basis of this glass, elements with stable switching and storage properties are obtained. Thin films of glass have good adhesion to structural materials m used in switching devices. 3 Subject of the Invention Glass for obtaining active switching elements and 1 and 2, including VaOg, P205, V2O4, characterized in that, with the aim of providing stable switching effects and memory with an expansion of the temperature range of operation of the devices, it further comprises CaO or ; (wt.%: VgOg- 55-65 P2O5 18 22 V2O4 5-16 CaO in 12