SU419982A1 - ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-li - Google Patents
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-liInfo
- Publication number
- SU419982A1 SU419982A1 SU1681459A SU1681459A SU419982A1 SU 419982 A1 SU419982 A1 SU 419982A1 SU 1681459 A SU1681459 A SU 1681459A SU 1681459 A SU1681459 A SU 1681459A SU 419982 A1 SU419982 A1 SU 419982A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- address
- keys
- key
- voltage
- inputs
- Prior art date
Links
Landscapes
- Storage Device Security (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Dram (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области запоминающих устройств.
Известио запоминающее устройство (ЗУ), содержащее регистр адреса, соединенный со входами перестраиваемого дещифратора, выходы которого соединены с управл ющими входами адресных ключей, другие входы которых Объединены и подключены через общие адресные ключи к источникам напр жени пол ризации и считывани , дополнительный общий адресный ключ, лодсоединепный к одному источнику напр жени частичной нол ризации , матрицу за:поми1нающих пьезотрансформаторов , адресные шины которых подключены к выходам адресных ключей, экранирующие шины - к .выходам разр дных ключей, входы которых объединены и соединены через общие разр дные ключи соответственно с источником напр жени пол ризации и другим источником напр жени частичной пол ризации , разр дные шины - ко входам дифференциональиых усилителей считывани .
Предложенное ЗУ отличаетс от известного тем, что содержит вономогательиьп оби;ий адресный ключ, вход которого подсоединен ко входам адресных ключей, а выход - к выходу дополнительного общего адресного ключа и Через резисторы - к адресным шинам.
Эти отличи позвол ют снизить мощность, потребл емую устройством.
На чертеже изображена блок-схема устройства .
Устройство содержит блок 1 управлени но адресу, матрицу 2 запоминающих ujHpoKonoлосных пьезотрансформаторов, блок 3 управлени по разр ду и блок 4 усилителей считывани .
Блок 1 управлени ,по адресу содержит регистр 5 адреса, перестраиваемый дешифратор
6 с представлением выходных переменных в системе высоких и низких лотеициалов, выходы которого соединены с управл ющими входами составных адресных ключей 7. Каждьп из составных адресных ключей состоит из
ключа 8, через который адресные шины 9 матрицы 2 соединены с тиной нулевого потенциала , и из ключа 10, через которьп адресные шины 9 1иодключены к шине 11 управл ющих напр жений. Шина 11 через обидий адресный
ключ 12 соединена с источником напр жении считываии - бч-ч (клемма 13) и через другой общий адресный ключ 14 соединена с источником напр жени пол ризации - lj, (клемма 15). Клеммы 16 и 17 вл ютс управл ющими входами соответственно ключей 12 и 14. Кроме того, управл ющие входы запрета адресных ключей 10 соединены с шиной 18 «Запрет. Адресные шины 9 через резисторы 19 подключены к выходу дополнительного
общего адресного ключа 20, вход которого
(клем.ма 21) соединен с источником напр жени частичной пол ризации - Up3, составл ющего одну треть нанр л ени нол ризации. Клемма 22 вл етс управл ющим входом ключа 20. Выход ключа 20 через всномогательный общий адресный ключ 23 соединен с щиной управл ющих напр жений 11, т. е. с входами адресных ключей 7. Клемма 24 вл етс управл ющим входом ключа 23. В матрин 2 входные электроды 25 щироконолосных запоминающих пьезотрансформаторов 26 (запоминающих элементов) соединепы с адресными шинами 9. Экранирующие электроды 27 пьезотрансформаторов объединены но разр дам в экранирующие щипы 28. Выходные электроды 29 и 30 (то два на каждый разр д) пьезотрансформаторов объединены в разр дlibie шипы 31 и 32, которые соединепы с входами диф ферен|циальпых усилителей считывани 33 блока 4. Пьезокерамические пластины 34 генераторной секции пьезотрансформаторов имеют жесткую пол ризацию, противоположного направлени под выходными электродамп 29 и 30. Пластина 35 секции возбуждени может иметь различную пол ризацию, направление ее определено записанной информацией . Экранирующие шины 28 подключены к выходам составных разр дных ключей 36, каждый из которых состоит из двух ключей: ключа 37, через который экранирующие щины соединены с шиной нулевого потенциала , и ключа 38, через который экранирующие щины соединены с щипой напр жений 39. Управл ющие входы разр дных ключей соединены с входами регистра числа 40. Шипа 39 соединена через один ключ 41 с источником напр жени пол ризации - LJy (клемма 42) и через второй ключ 43 с источником напр t/p (клемл еии частичной пол ризации
ма 44), составл ющего две третьих нанр жени пол ризации. Клеммы 45 и 46 вл ютс управл ющими входами соответственно ключей 41 и 43.
Запись информации по данному адресу производитс с предварительной подготовкой элементов , при этом ранее записанна информаци стираетс , что производитс следующим образом. Все разр ды регистра 40 устанавливаютс в «О, и потенциалы на выходных шинах регистра открывают ключи 38 и закрывают ключи 37. Дешифратор адреса перестраиваетс в состо ние с представлением выходных переменных в системе низких потенциалов . При этом в исходном режиме положительным потенциалом на всех выходных щинах дешифратора ключи 8 закрыты, закрыты и ключи 10 положительным потенциалом на щине 18 «Запрет. По сигналу стирани потенциал на выходной шине дешифратора, соответствующий коду в регистре адреса 5, снижаетс до нул , на остальных шинах потенциал остаетс высоким, вследствие чего открываетс только ключ 8 выбранного адреса и соответствующа адресна шина 9 подключаетс к шине нулевого нотенциала. Одновременно сигналы стирани поступают па управл ющие входы 17, 24, 45 соответственно ключей 14, 23, 41.
К экранирующим шинам через ключи 38 и к адресным шииам через резисторы 19, за исключением выбранной адресной шины, прикладываетс напр жепие - U,. В выбранном адресе напр жение - Up к шине 9 не. прикладываетс , так как соответствующий ключ 8 открыт и эта щина подключена к щине нулевого потенциала. Таким образом, к электродам 27 и 25 ньезотрансформаторов только выбранного адреса прикладываетс разница
напр жени - Up. Под действием этого напр жени пол ризаци пластин 35 принимает направление, соответствующее значению «О, т. е. стираетс ранее записанна информаци и данный адрес подготавливаетс к записи
пового числа.
Записываемое число принимаетс в регистр 40. При этом под действием потенциалов на выходных щинах регистра экранирующие щины 28, соответствующие тем разр дам регистра , которые наход тс в «1, подключаютс через ключи 37 к шине нулевого потенциала, а экранирующие шины, соответствующие тем разр дам регистра, которые наход тс в состо нии «О, подключаютс через ключи 38 к щине 39. Дешифратор адреса перестраиваетс в состо ние с представлением выходных перемепных в системе высоких потенциалов. В исходном состо нии нулевым потенциалом на
всех выходных щипах дещифратора ключи 10 закрыты. Снижением до нул нанр жени смещени - бсм (на чертеже не показано) закрываютс и ключи 8 всех адресов. По сигналу записи положительный импульс напр жеПИЯ на выходной щине дещифратора, соответствующей коду адреса в регистре 5, открывает выбранный ключ 10. Одновременно с этим сигналы записи прикладываютс к управл ющим входам 17, 22, 46 ключей, и ключи 14, 20, 43 открываютс . При этом к выбранной адресной шине 9 через открытый ключ 10 прикладываетс напр жение - Up, к невыбранным адресным шинам через резисторы 19 прикладываетс напр жение -
-Up. К экранирующим шинам 28, которые
иодключены к шине 39.через ключи 38, открытые согласно коду регистра числа 40, при2 ,,
кладываетс напр жениеUp, остальные
экранирующие щины через открытые ключи 37 иодключены к шине нулевого потенциала. Вследствие этого к электродам 27, 25 элементов невыбранных адресов приложено напр жение -|Up илиUp, к электродам элементов выбранного адреса, в которые записы1 ,, ваютс нули приложено напр жение
а к электродам элементов, в которые записываютс единицы, приложено напр жение i-Up. При действием напр жени измен етс направление пол ризации пластин 35 соответствующих элементов, т. е. происходит запись «1. Дл изменени пол ризации пластин 32 напр жени - Up недостаточно, поэтому разрун ени информации в невыбранных адресах и записи ложной информации в вы бранном адресе не происходит. Таким образом после стирани предыдущей информации и записи новой пьезокерамические пластины 35 элементов выбранного адреса пол ризованы в направлени х, которые соответвуют записываемому числу.
В режиме считывани информации все разр ды регистра 40 наход тс в состо нии «1, ключи 37 открыты и экранирующие щины подключены к щине нулевого потенциала. Дешифратор 6 находитс в состо нии, при котором выходные переменные дешифратора представлены в системе высоких потенциалов . При этом в исходном состо нии ключи 10 закрыты, а ключи 8 открыты, вследствие чего адресные шины 9 подключены к щине нулевого потенциала. К щине 11 через открытый ключ 12 приложено досто нное напр жени - t/сч. По сигналу чтени короткий положительный импульс с соответствующего выхода дешифратора прикладываетс к управл ющему входу выбранного адресного ключа. При этом ключ 8 закрываетс , ключ 10 открываетс и во врем действи импульса с выхода дешифратора к адресной шине прикладываетс напр жение - Uc4- Импульс напр л ени , приложенный к адресной шине, вызывает импульсную деформацию пластины 35 элементов данного адреса и одновременно с этим импульсную деформацию пластины 34, причем направление этой деформации зависит от направлени пол ризации пластины 35, т. е. от записанной информации. При этом на разр дных шинах 31 и 32 по вл ютс разнопол рные сигналы, так как участки пьезокерамики
под электрода.ми 29 и 30 пол ризованы встречно, причем пол рность выходных сигналов определ етс направлением механической деформации пластины 32, т. е. записанной информацией . Эти сигналы поступают на входы разр дных усилителей считывани , и на выходах усилителей по вл ютс импульсы, пол рность которых однозначно св зана с записанной информации. Данное устройство донускает многократное считывание, причем считывание вл етс неразрущающим, благодар чему подобное устройство целесообразно использовать в качестве полупосто нного запоминающего устройства.
Предмет и з о -б р е т е н и
Запоминающее устройство, содержаш,ее регистр адреса, соединенный со входами перестраиваемого дещифратора, вы.чоды которого соединены с управл ющими входа.ми адресных ключей, другие входы которых объединены и подключены через общие адресные ключи к источникам напр жени пол ризации и считывани , донолнительный общий адресный ключ, подсоединенный к одно.му источнику напр жени частичной пол ризации, матрицу
запо.минающих пьезотрансформаторов, адресные шины которых подключены к выходам адресных ключей, экранирующие шины - к выходам разр дных ключей, входы которых объединены и соединены через общие разр дные ключи соответственно с источником напр жени пол ризации и другим источником напр жени частичной пол ризации, разр дные щины - ко входам дифференциальных усилителей считывани , отличающеес
тем, что, с целью снижени потребл емой мощности, оно содержит вспомогательный общий адресный ключ, вход которого подсоединен ко входам адресных ключей, а выход - к выходу дополнительного общего адресного
ключа и через резисторы - к адресным шинам .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1681459A SU419982A1 (ru) | 1971-07-12 | 1971-07-12 | ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-li |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1681459A SU419982A1 (ru) | 1971-07-12 | 1971-07-12 | ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-li |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU419982A1 true SU419982A1 (ru) | 1974-03-15 |
Family
ID=20482976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1681459A SU419982A1 (ru) | 1971-07-12 | 1971-07-12 | ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-li |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU419982A1 (ru) |
-
1971
- 1971-07-12 SU SU1681459A patent/SU419982A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950014560B1 (ko) | 불휘발성 기억 장치 | |
US4947410A (en) | Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory | |
US5907861A (en) | Destructive read protection using address blocking technique | |
EP0459794B1 (en) | Read only memory device | |
GB1250109A (ru) | ||
US3582909A (en) | Ratioless memory circuit using conditionally switched capacitor | |
US4054865A (en) | Sense latch circuit for a bisectional memory array | |
JPS601709B2 (ja) | Mosダイナミツクランダムアクセスメモリ | |
SU419982A1 (ru) | ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОЦП•'t-li | |
US3713114A (en) | Data regeneration scheme for stored charge storage cell | |
JP2815099B2 (ja) | 不揮発性dram記憶装置におけるデータのページリコールのための装置と方法 | |
SU481067A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU385314A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU374662A1 (ru) | Ассоциативный накопитель | |
JPS58128090A (ja) | ダイナミツクicメモリ | |
ITMI20011812A1 (it) | Metodo di lettura e di ripristino di dati contenuti in una cella di memoria ferroelettrica | |
SU368645A1 (ru) | Всесоюзная ' | |
SU1042083A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU946001A1 (ru) | Счетное устройство,сохран ющее информацию при отключении питани | |
SU600739A1 (ru) | Счетное устройство,сохран ющее информацию при перерывах питани | |
SU1084869A1 (ru) | Устройство дл отображени информации на экране газоразр дной индикаторной панели | |
SU731474A1 (ru) | Ассоциативное запоминающее устройство | |
SU802959A1 (ru) | Устройство дл сортировки информации | |
SU1088068A1 (ru) | Полупосто нное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации | |
SU447757A1 (ru) | Запоминающее устройство |