SU407979A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU407979A1 SU407979A1 SU1740154A SU1740154A SU407979A1 SU 407979 A1 SU407979 A1 SU 407979A1 SU 1740154 A SU1740154 A SU 1740154A SU 1740154 A SU1740154 A SU 1740154A SU 407979 A1 SU407979 A1 SU 407979A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- program
- output
- regulator
- relay
- controller
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛА В УЛЬТРАЗВУКОВОМ ПОЛЕDEVICE FOR ELECTRIC SUPPLY OF METAL IN ULTRASOUND FIELD
1one
Изобретение относитс к области гальваностегии и может быть приме}|ено дл осаждени металла в ультразвуковом поле.The invention relates to the field of electroplating and can be applied for the deposition of a metal in an ultrasonic field.
Известно устройство дл электроосаждени металла в ультразвуковом поле, содержащее ванну и магнитостриктор, подключенный к генератору с регул тором числа посылок импульсов .A device for electroplating a metal in an ultrasonic field is known, which contains a bath and a magnetostrictor connected to a generator with a regulator of the number of pulses.
Предлагаемое устройство отличаетс тем, что оно снабжено программным блоком, вход которого подключен к электронным весам с эталонной пластиной, а выход - к регул тору числа посылок импульсов, регул тором иптенсивностн ультразвуковых колебаний и регул тором катодной плотности тока, причем выходы программного блока и регул тора интенсивности ультразвуковых колебаний подключены к генератору, а выход регул тора катодпой плотности тока - к электродам ванны. Это повышает производительность процесса. The proposed device is characterized in that it is equipped with a software unit, the input of which is connected to an electronic balance with a reference plate, and an output to a pulse number controller, an ultrasonic vibration intensity controller and a cathode current density controller, and the outputs of the software block and controller The intensities of the ultrasonic vibrations are connected to the generator, and the output of the cathode voltage regulator is connected to the electrodes of the bath. This improves the performance of the process.
На фиг. 1 изображена блок-схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - программный блок, электрическа схема; на фиг. 3 - график работы устройства; на фиг. 4 - программы возможного режима устройства.FIG. 1 shows a block diagram of the proposed device; in fig. 2 - program block, electrical circuit; in fig. 3 - device operation schedule; in fig. 4 - programs of the possible device mode.
Устройство состоит из программного блока /, соединенного со входами регул тора 2 количества посылок импульсов, регул тора 3 интенсивности ультразвуковых колебаний и регул тора 4 катодной плотности тока.The device consists of a program block / connected to the inputs of the regulator 2 of the number of pulses, the regulator 3 of the ultrasonic vibration intensity and the regulator 4 of the cathode current density.
Выходы регул торов 2 и 3 подключены на входы импульсного генератора 5, выход которого соединен с магнитостриктором 6, установленным па электролитической ванне 7. В последней установлены также электроды 6 и 9, соединенные с выходом регул тора 4.The outputs of the regulators 2 and 3 are connected to the inputs of the pulse generator 5, the output of which is connected to the magnetostrictor 6 installed on the electrolytic bath 7. The latter also has electrodes 6 and 9 connected to the output of the controller 4.
Вход программного блока / подключен к электронным весам 10 с эталонной пластиной }1. Выход весов соединен через эмиттерные повторители с полупроводниковыми потенциометрами Л;, /42, AZ и релейными схемами i, 9 и БЗ. Потенциометры Ль 2 и АЗ включают в схемы регулируемые сонротивлени , номиналами которых они отличаютс друг от друга, а в остальном принципиально одинаковы. Например , нотенциометр А включает в схему Б сопротивлени и i.The input of the program block / connected to an electronic scale 10 with a reference plate} 1. The output of the weights is connected via emitter followers to semiconductor potentiometers L ;, 42, AZ and relay circuits i, 9 and KB. Potentiometers L2 and AZ include adjustable resistances in circuits, the values of which they differ from each other, but are otherwise essentially the same. For example, the notteniometer A includes resistance and i in circuit B.
На выходе каждого потенциометра подключен переключатель программ.A program switch is connected at the output of each potentiometer.
Выходы а и б потенциометра Л подключены через нормально разомкнутые контакты реле PI к одной клемме трехпозиционного переключател Я программ и непосредствеппо к другой клемме этого же переключател .The outputs a and b of potentiometer L are connected via normally open contacts of the relay PI to the same terminal of the three-position program switch I and directly to the other terminal of the same switch.
В случае большего числа программ переключатель fJi может быть с большим числом позиций, к последней клемме переключател fJi подключены через нормально замкнутый и нормально разомкнутый контакты реле PI регулируемые сопротивлени Rs и R. ВыходIn the case of a larger number of programs, the fJi switch can be with a larger number of positions, the last terminal of the fJi switch is connected via the normally closed and normally open PI relay contacts to the adjustable resistances Rs and R. Output
переключател подключен к регул тору 3 интенсивности ультразвуковых колебаний, представл ющему собой управл емые выпр мители на кремниевых управл емых вентил х (тиристорах) DI и DZ- Тиристоры DI и D2 использованы с высоким пр мым напр жением.the switch is connected to the ultrasound oscillation controller 3, which is a controlled rectifier on silicon controlled DI and DZ-silicon (thyristor) fans. The DI and D2 thyristors are used with high forward voltage.
Устройство может работать по трем программам .The device can work on three programs.
Программа 1. После общеизвестной при электроосаждении металлов подготовки дополнительно переключатель /7i став т на первую программу. Эталонную пластину опускают в электролит. После чего на устройство подают напр жением. В результате электролиза на пластине осаждаетс металл, вследствие чего рычаг электронных весов опускаетс , измен пропорпионально выходной сигнал. Поскольку нормально разомкнутый контакт реле PI разомкнут , а сигнал от электронных весов недостаточен дл срабатывани указанного реле, то к схемам устройства подключено сопротивление 4, т. е. выполн етс программа верхнего услови (см. фиг. 3, график /). По мере изменени веса эталонной пластины измен етс выходной сигнал с электронных весов и по достижении заданного уровн реле PI срабатывает , самоблокируетс и подключает к схеме своими контактами сопротивление В это врем реализуетс , программа нижнего уровн этого графика.Program 1. After the preparation, well known at electrodeposition of metals, an additional switch / 7i is put on the first program. The reference plate is immersed in the electrolyte. Then the device is supplied with voltage. As a result of electrolysis, metal is deposited on the plate, as a result of which the lever of the electronic scale is lowered, changing the output signal. Since the normally open contact of the relay PI is open and the signal from the electronic scale is insufficient for the operation of the indicated relay, a resistance 4 is connected to the device circuits, i.e., an upper condition program is executed (see Fig. 3, plot /). As the weight of the reference plate changes, the output signal from the electronic scale changes and when the set level reaches the relay, the PI triggers, blocks itself and connects the resistance to its circuit. At this time, the program of the lower level of this graph is realized.
Таким образом, можно отнести двухслойное покрытие с резкими переходами от одних параметров к другим. Можно выполнить плавный переход от одних параметров к другим, например от твердых к плавно м гким (см. фиг. 3, график //).Thus, a two-layer coating can be attributed with sharp transitions from one parameter to another. You can make a smooth transition from one parameter to another, for example, from hard to smoothly soft (see Fig. 3, chart //).
Программа П. В исходном состо нии релейный блок отключен, а полупроводниковый потенциометр AI подключен непосредственно к схемам управлени . Тогда по мере изменени веса эталонной пластины, т. е. поProgram P. In the initial state, the relay unit is disconnected, and the semiconductor potentiometer AI is connected directly to the control circuits. Then, as the weight of the reference plate changes, i.e.
мере увеличени выходного сигнала весов-,, плавно измен ютс частота посылок, интенсивность ультразвуковых колебаний и катодна плотность тока, т. е. получим покрытие, 5 которое мен ет свои физико-механические свойства от толщины покрыти .As the output of the balance- increases, the frequency of the packages, the intensity of the ultrasonic vibrations and the cathode current density, i.e., we obtain a coating, 5 which changes its physical and mechanical properties of the coating thickness, gradually change.
Программа П1. В исходном состо нии к регул торам подключено сопротивление Rs т. е. покрытие нанос т с посто нными нара10 метрами (например, твердое покрытие). По мере увеличени веса эталонной пластины увеличиваетс выходной сигнал и по достижении заданного уровн срабатывает реле PI. Тогда к регул торам подключаетс через нормальноProgram P1. In the initial state, the resistance Rs is connected to the regulators, i.e. the coating is applied with a constant width of 10 meters (for example, a hard coating). As the weight of the reference plate increases, the output signal increases and, when the target level is reached, the relay PI is triggered. Then it connects to the regulators normally.
15 разомкнутые контакты полупроводниковый потенциометр Ль после чего программа нанесени металла соответствует программе II, т. е. мы имеем например, у основани твердое покрытие, а к периферии покрытие, которое15 open contacts semiconductor potentiometer E, after which the metal deposition program corresponds to program II, i.e. we have, for example, a hard coating at the base, and to the periphery a coating that
0 плавно мен ет свои физико-механические свойства в сторону постепенного см гчени . Эту программу целесообразно использовать в случае ремонта или восстановлени деталей.0 smoothly changes its physical and mechanical properties in the direction of gradual softening. This program is advisable to use in case of repair or restoration of parts.
Предмет изобретени Subject invention
Устройство дл электроосаждепи металла в ультразвуковом поле, содержащее ванную и магнитостриктор, подключенный к генератору с регул тором числа посылок импульсов, отличающеес тем, что, с целью повыщени производительности процесса, оно снабжено программным блоком, вход которого подключен к электронным весам с эталонной пластиной , а выход - к регул тору числа посылокA device for electro-precipitating a metal in an ultrasonic field, containing a bath and a magnetostrictor connected to a generator with a pulse number controller, characterized in that, in order to increase the productivity of the process, it is equipped with a software unit whose input is connected to an electronic balance with a reference plate, and output - to the controller of the number of parcels
5 импульсов, регул тором интенсивности ультразвуковых колебаний и регул тором катодной плотности тока, причем выходы программного блока и регул тора интенсивности ультразвуковых колебаний подключены к генератору , а выход регул тора катодной плот ности тока - к электродам ванны. S М-5 pulses, an ultrasound oscillation intensity regulator and a cathode current density regulator, the outputs of the program block and the ultrasonic vibration intensity regulator connected to the generator, and the output of the cathode current density regulator to the bath electrodes. S M-
п ffn ff
J :,f7J:, f7
- //X/7/v --,,.- // X / 7 / v - ,,.
/9/тШ/777777777/ 9 / tSh / 777777777
pp
IV tH /7, Hi IV tH / 7, Hi
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1740154A SU407979A1 (en) | 1972-01-24 | 1972-01-24 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1740154A SU407979A1 (en) | 1972-01-24 | 1972-01-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU407979A1 true SU407979A1 (en) | 1973-12-10 |
Family
ID=20500825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1740154A SU407979A1 (en) | 1972-01-24 | 1972-01-24 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU407979A1 (en) |
-
1972
- 1972-01-24 SU SU1740154A patent/SU407979A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4466864A (en) | Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles | |
US6139703A (en) | Cathode current control system for a wafer electroplating apparatus | |
JP2547921B2 (en) | Metal plating apparatus and method, conductor restoration apparatus and method, and circuit restoration apparatus and method | |
EP0171195B1 (en) | Method for detecting endpoint of development | |
US6517689B1 (en) | Plating device | |
US6723219B2 (en) | Method of direct electroplating on a low conductivity material, and electroplated metal deposited therewith | |
US6093291A (en) | Electroplating apparatus | |
GB2295829A (en) | Control of charging and discharging of the electrochemical diffusion layer in electroplating to achieve uniform deposit characteristics | |
US4100036A (en) | Method of regulating cathode current density in an electroplating process | |
SU407979A1 (en) | ||
JPS62256968A (en) | Method and apparatus for controlling chemical state of chemical plating bath | |
US6344126B1 (en) | Electroplating apparatus and method | |
WO1988003453A1 (en) | Method and apparatus for discharge machining | |
US3798141A (en) | Technique for electroetching thin film metallization | |
CN212357443U (en) | Electroplating device and anode assembly thereof | |
US3738917A (en) | Method for simultaneous production of a plurality of equal semiconductor components with a pn junction from a single semiconductor wafer | |
JP3096296B1 (en) | Electroplating equipment | |
JPH05243183A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
US3563862A (en) | High precision anodizing of thin films | |
US2741586A (en) | Electroplating metals | |
JPH03183136A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH0319314B2 (en) | ||
JPS58174597A (en) | Method for controlling thickness of electrodeposition film | |
SU918340A1 (en) | Device for automatically controlling electrical deposition of metal | |
SU136146A1 (en) | Method of electroplating on cermet lamps and method of mounting the lamps and supplying current to them in the electroplating bath |