SU390422A1 - УСТРОЙСТВО дл ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области,электронной техники, в частности, к аппаратуре нераз .рушающего контрол  нолунроводниковых приборов и н-редназначено дл  вы .влени  дефектов кристаллов незагерметизи.рованных приборов , В том числе современных плапарных и интегральных схем.

Известпы устройства дл  вы влени  дефектов поверхности кристаллов полупроводниковых приборов (инверсионных слоев, локального поверхностного пробо , разрывов и несплошпостей металлизации, загр знений поверхности полуправоднЕка посторонними частицами , трудно .вы вл емых при визуальном осмотре). Они основаны на сканировании световым зондом кристалла с /з- -переходами н регистрации сигнала фотоответа (так называемый метод фотоответа).

В существующих установках сканирование светового зонда осуществл лось либо вручную , либо механической разверткой. Это обсто тельство резко ограничивает область пх применени  дл  вы влени  дефектов сОВременных полупроводниковых структур в услови х серийного производства.

Целью изобретени   вл етс  создание улучшенного устройства дл  вы влени  дефектов поверхности кристаллов полупроводниковых приборов, позвол ющее получить .контрастное фотоответное изображение полупроводниковой структуры с большей эффективностью вы влени  указанных выше дефектов при одновременном упрощении конструкции.

Другой целью изобретени   вл етс  получение видимого изображени  структуры дл  определени  расположени  дефектов на поверхности кристалла, что позвол ет повысить производительность труда при отбраковке дефектных структур ;в услови х контрол  серийного производства.

Дл  достижени  поставленной цели используют сигнал фотоответа полупроводниковой структуры, получаемого при сканировании по кристаллу светового п тна, проектируемого от луча электроннолучевой трубки, дл   р.костной модул ции луча этой же трубки и получени  тем самым фотоответного контрастного изображени  с усиленным или ослабленным контрастом.

Дл  получени  видимого изображени  используетс  световой сигнал, отраженный от поверхности объекта лри сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.

На чертенке изображена блок-схема устройства , где обозначены: 1--телевизионна  проекционна  трубка; 2 -объектив; 3 - полупроводниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 - световод; 6--фотоэлектронный умножитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;

8 - смеситель и аттенюатор видеосигналов и коммутатор обратной ов зи; 9 - блок питани  объекта.

Устройство работает следующим образом.

Телевизионный растр, создаваемый на лроекционной электроннолучевой трубке /, проектируетс  через объектив 5 на поверхность кристалла прибора 3. Сигнал фотоответа поступает через усилитель 4 на вход смесител  видеосигналов и коммутатора 8 обратной св эй . Отраженный от объекта свет через световод 5 поступает на катод ФЭУ 6 и затем через усилитель 7 на второй вход блока 8.

Сигнал фотоответа зависит от места попадани  светового зонда на участке структуры, Максимум сигнала при обратном смещении р-л-пе;рехода будет при попадании светового луча в область объемного зар да р-л-,перехода , а минимум - при удалении светового зонда на рассто ние, превышающее диффузионную длину носителей или при попадании светового зонда на неп.розрачное металлическое покрытие.

В зависимости от знака видеосигнала, модулирующего  ркость трубки, последн   может увеличиватьс  «ли уменьшатьс , дава  тем самым позитивное или негативное контрастное изображение фотоот1вета или видимого изображени  объекта.

При положительной св зи  ркость трубки возрастает, когда световой зонд попадает на чувствительную к свету точку объекта, и степень контраста повышаетс , что способствует наблюдению слабых изображений. Наоборот, .при отрицательной степень контраста уменьшаетс , что благопри тно при наблюдении объектов с  рКО выраженными «п тнами светочувствительности (например, локальный поверхностный пробой).

Вид работы устройства зависит от степени совмещени  фотоот.ветного и видимого изображений .

Устройство отличаетс  улучшенным контрастом изображени  фотопровод щего сло  полупроводникового прибора за счет применени  светозлектрической обратной св зи, получаемым при применении всего одной телевизионной проекционной трубки.

Предмет изобретени 

Устройство дл  Вы влени  дефектов поверхности кристалла полупроводниковых приборов с р-/г-переходом посредством регистрации сигналов фото-э. д. с., содержащее электроннолучевую трубку, оптическую систему, усилитель сигнала фотоответа и -индикаторный блок, отличающеес  тем, что, с целью упрощени  устройства и повышени  эффективности вы влени  дефектов, 1выход усилител  сигналов фОтоот вета через коммутатор соединен с управл ющим электродом электроннолучевой трубки.